一种增益可编程的射频放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种增益可编程的射频放大器，包括：带隙基准，产生基准电流并输出至固定偏置电压电路；固定偏置电压电路，在基准电流的控制下产生电流电压可编程电路所需固定偏置电压；电流电压可编程电路，在n位增益控制信号的控制下将固定偏置电压转换为可编程偏置电流，并将固定偏置电压转换为第一可编程偏置电压；输入级偏置镜像模块，在电流电压可编程电路输出的可编程电流的控制下产生第二可编程偏置电压；输入级，在第二可编程偏置电压的控制下完成射频信号初步放大；输出级，在第一可编程偏置电压的控制下，将经输入级放大的射频信号进一步放大得到射频输出信号；低压差稳压电路，用于产生稳定电压供给输入级和输出级。级。级。

【技术实现步骤摘要】
一种增益可编程的射频放大器


[0001]本专利技术涉及一种射频放大器，特别是涉及一种增益可编程的射频放大器。

技术介绍

[0002]放大器系统作为信号接收关键模块，高增益决定接收最小信号灵敏度，低增益影响接收最大信号及线性度，因而增益功耗可编程设计对接收系统灵敏度及动态范围至关重要。故放大器进行增益可编程优化设计，可改善系统动态范围、简化系统设计、降低系统成本。同时增益可编程设计能够优化增益功耗能效比、降低系统功耗，延长续航。
[0003]如图1所示，传统射频放大器由带隙基准(BGR)10、偏置镜像模块20、输入级30、输出级40和偏置电路50组成。其中，带隙基准(Band
‑
Gap Reference)用于产生基准电流Iref并输出至偏置镜像模块20；偏置镜像模块20由输入偏置NMOS管N
inb
和第一栅极隔离电阻Rg组成，用于在基准电流Iref的控制下产生稳定的偏置电压Vg
Nin
并输出至输入级30的栅极；输入级30为电感负反馈(inductive
‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种增益可编程的射频放大器，包括：带隙基准，用于产生基准电流(Iref)并输出至固定偏置电压电路；固定偏置电压电路，用于在所述基准电流(Iref)的控制下产生电流电压可编程电路所需的固定偏置电压(Vb)；电流电压可编程电路，用于在n位增益控制信号(CT[1:n])的控制下将所述固定偏置电压(Vb)转换为可编程偏置电流(Ipc)并传输至输入级偏置镜像模块的输入端，同时在n位增益控制信号(CT[1:n])的控制下将所述固定偏置电压(Vb)转换为第一可编程偏置电压(Vpc)并传输至输出级以提供输出级所需的偏置电压(Vg
Mo
)；输入级偏置镜像模块，用于在所述电流电压可编程电路输出的可编程电流(Ipc)的控制下产生第二可编程偏置电压(Vg
Nin
)并输出至输入级；输入级，用于在所述第二可编程偏置电压(Vg
Nin
)的控制下完成射频信号(RF
in
)的初步放大；输出级，用于在所述第一可编程偏置电压(Vpc)的控制下，将经所述输入级放大的射频信号(RF
in
)进一步放大得到射频输出信号(RF
out
)；低压差稳压电路，用于产生稳定电压(Va)供给所述输入级和输出级以获得更稳定的增益控制效果。2.如权利要求1所述的一种增益可编程的射频放大器，其特征在于，所述电流电压可编程电路包括电流编程电路以及电压编程电路，所述电流编程电路包括n个第一可编程偏置单元(31i)，分别由n位增益控制信号(CT[i])控制，i＝1、2、
……
、n，各第一可编程偏置单元在增益控制信号(CT[i])和固定偏置电压(Vb)的控制下输出子输出偏置电流，n个子输出偏置电流合并为所述可编程偏置电流(Ipc)并连接至所述输入级偏置镜像模块的输入端，所述电压编程电路用于在n位增益控制信号(CT[1:n])和固定偏置电压(Vb)的控制下产生可编程偏置电压(Vpc)，所述可编程偏置电压(Vpc)由k位第二可编程偏置单元(32j)及(n
‑
k)位可编程电阻调节比实现可编程，其中k≤n。3.如权利要求2所述的一种增益可编程的射频放大器，其特征在于：各第一可编程偏置单元(31i)包括PMOS偏置电流输入管(P1i)、NMOS偏置电流输入管(N1i)和PMOS偏置电流输出管(MP2i)，增益控制信号CT[i]连接至PMOS偏置电流输入管(P1i)的栅极和NMOS偏置电流输入管(N1i)的栅极，PMOS偏置电流输入管(P1i)的漏极和NMOS偏置电流输入管(N1i)的漏极相连连接至PMOS偏置电流输出管(MP2i)的栅极，各PMOS偏置电流输出管(MP2i)的漏极连接在一起组成所述可编程偏置电流(Ipc)节点，所述可编程偏置电流(Ipc)节点连接至所述输入级偏置镜像模块。4.如权利要求3所述的一种增益可编程的射频放大器，其特征在于：各PMOS偏置电流输出管(MP2i)的宽度尺寸具有不同的权重。5.如权利要求2所述的一种增益可编程的射频放大器，其特征在于：所述电压编程电路包括k个第二可编程偏置单元(32j)、第四PMOS偏置管(MP4)、第一可编程电阻(R1)和第二可编程电阻(R2)，j＝1、2、
……
、k，k≤n，各第二可编程偏置单元(32j)包括PMOS偏置电压输入管(P2j)、NMOS偏置电压输入管(N2j)、PMOS偏置电压输出管(MP3j)，增益控制信号CT[j]连接至所述PMOS偏置电压输入管(P2j)的栅极和NMOS偏...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴若凡，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：