半导体器件蒸镀缺陷的检测方法技术

一种半导体器件蒸镀缺陷的检测方法，包括对蒸镀完成的待测芯片进行加温，使所述待测芯片的导通阻抗增大，获取所述待测芯片的测量导通阻抗数据，根据所述测量导通阻抗数据判断所述待测芯片中是否存在蒸镀缺陷。由于通过使待测芯片升温，使得所述待测芯片内部的水气会在高温下呈现热胀冷缩，并且由于瞬间高电流的原因，污染、油渍等会出现碳化，从而使得待测芯片中接触不良的情形能够提前显现出来，增加了导通电阻的明显度，这样使得在电测时能够检测出电阻偏高的芯片，即这样才能够测量出来待测芯片的测量导通阻抗数据，通过获取待测芯片的测量导通阻抗数据，从而能够确认晶圆上蒸镀的金属是否接触良好。属是否接触良好。属是否接触良好。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件蒸镀缺陷的检测方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种半导体器件蒸镀缺陷的检测方法。

技术介绍

[0002]蒸镀，是指在真空条件下，采用一定的加热蒸发方式蒸发镀膜材料(或称膜料)并使之气化，粒子飞至基片表面凝聚成膜的工艺方法。蒸镀是使用较早、用途较广泛的气相沉积技术，具有成膜方法简单、薄膜纯度和致密性高、膜结构和性能独特等优点。在半导体的蒸镀制程中，蒸镀用于连接半导体跟金属，以便后续封装可以打线或者是连接铜片，但是蒸镀过程中是否存在缺陷通常没法判断，目前的蒸镀设备质量规格不一，好的蒸镀设备可以控制水气，灌入惰性气体排出水气，以及设备真空温度控制等等，但是好的蒸镀设备也仅仅只能尽量提高蒸镀设备的性能，但是所蒸镀完成的半导体本体与所接触的金属层之间还是会出现接触不良或连接不良的问题。
[0003]目前，对于蒸镀制程后的半导体器件，无法在生产线生直接进行检测，只能通过观察的方法或者在晶圆芯片切割后在使用或者拿取时，看金属层是否蒸镀牢靠，并且，通过人为观察的方法效率非常低下，而且检测结果的准确度也低，如因半导体表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件蒸镀缺陷的检测方法，其特征在于，包括：对蒸镀完成的待测芯片进行加温，使所述待测芯片的导通阻抗增大；获取所述待测芯片的测量导通阻抗数据；根据所述测量导通阻抗数据判断所述待测芯片中是否存在蒸镀缺陷。2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述获取待测芯片的测量导通阻抗数据包括：获取所述待测芯片在第一温度下的第一导通电压与第一导通电流；获取所述待测芯片在第二温度下的第二导通电压与第二导通电流；根据所述第一导通电压、第一导通电流、第二导通电压以及第二导通电流得到所述测量导通阻抗数据。3.如权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述测量导通阻抗数据R
D
为：其中，R
D
(T
j
)为待测芯片的测量导通阻抗数据，V
F
(I
F2
，T
j
)为待测芯片在第二温度下的第二导通电压，V
F
(I
F1
，T
i
)为待测芯片在第一温度下的第一导通电压，I
F2
为待测芯片在第二温度下的第二导通电流，I
F1
为待测芯片在第一温度下的第一导通电流，T
i
为第一温度，T
j
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓锋，蓝浩涛，
申请(专利权)人：浙江里阳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：