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一种半导体器件蒸镀缺陷的检测方法，包括对蒸镀完成的待测芯片进行加温，使所述待测芯片的导通阻抗增大，获取所述待测芯片的测量导通阻抗数据，根据所述测量导通阻抗数据判断所述待测芯片中是否存在蒸镀缺陷。由于通过使待测芯片升温，使得所述待测芯片内部的...
该专利属于浙江里阳半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江里阳半导体有限公司授权不得商用。

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