一种抑制SiC—MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动电路制造技术

本发明专利技术涉及一种抑制SiC—MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动电路，包括第一开关管、第二开关管和输入电压源，开关管均连接有辅助电路和驱动电路，辅助电路包括串扰电压抑制电容、第一RCD网络和第二RCD网络，驱动电路包括关断负压源和开关驱动电路，第一开关管中的电流依次流经有第一寄生电容、寄生电阻和第二寄生电容，串扰电压抑制电容连接第二RCD网络后并联在寄生电阻和第二寄生电容的两端，第一RCD网络连接关断负压源后并联在寄生电阻和第二寄生电容的两端；第一RCD网络的发射结连接寄生电阻，第二RCD网络的发射结连接第二寄生电容。与现有技术相比，本发明专利技术无需增加额外的控制信号，系统控制复杂度较低，同时也能达到桥臂串扰抑制的目的。扰抑制的目的。扰抑制的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种抑制SiC
—
MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动电路


[0001]本专利技术涉及SiC—MOSFET驱动
，尤其是涉及一种抑制SiC— MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动电路。

技术介绍

[0002]高频桥式电路中的串扰现象，会造成SiC MOSFET的栅源极出现电压尖峰，导致开关管的误导通或栅源极负电压尖峰过高使开关管击穿，限制了SiC MOSFET 器件的高频应用。常用抑制串扰的方法分为无源抑制方法和有源抑制方法两类。无源抑制方法有以下几种：
[0003]1、增大驱动电阻
[0004]増大驱动电路中的驱动电阻可以降低开关过程中的dv/dt和di/dt，因此串扰产生过程中流过SiC MOSFET栅极电流Cgd*dv/dt减小。
[0005]2、栅源极间并联电容
[0006]串扰现象产生时，栅源极间的并联电容会分担一部分电流，相当于増大了栅源极间的等效电容，能在一定程度上减小栅源极电压尖峰。并联的电容的容值越大，则抑制效果越明显。
[0007]有源抑制方法中会用到三极管或MOS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抑制SiC—MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动电路，包括相互连接的第一开关管、第二开关管和输入电压源，所述第一开关管依次连接有第一辅助电路和第一驱动电路，所述第二开关管依次连接有第二辅助电路和第二驱动电路，其特征在于，所述第一辅助电路包括第一串扰电压抑制电容、第一RCD网络和第二RCD网络，所述第一驱动电路包括第一关断负压源和第一开关驱动电路，所述第一开关管中的电流依次流经有第一寄生电容、寄生电阻和第二寄生电容，所述第一串扰电压抑制电容连接第二RCD网络后并联在所述寄生电阻和第二寄生电容的两端，所述第一RCD网络连接第一关断负压源后并联在所述寄生电阻和第二寄生电容的两端；所述第一RCD网络的发射结连接所述寄生电阻，所述第二RCD网络的发射结连接所述第二寄生电容；所述第一串扰电压抑制电容的容值大于所述第二寄生电容的容值，所述第一关断负压源与所述第一开关管的电压方向相反；所述第一开关驱动电路用于通过第一辅助电路驱动第一开关管开通和关断；所述第二辅助电路和第二驱动电路与所述第一辅助电路和第一驱动电路的结构相同。2.根据权利要求1所述的一种抑制SiC—MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动电路，其特征在于，所述第二RCD网络和第一RCD网络均为RCD网络结构，该RCD网络结构包括晶体管、发射结电阻和二极管，所述晶体管的基极、发射结电阻和晶体管的发射结依次连接，所述二极管并联在所述发射结电阻的两端，所述发射结电阻的两端接入所述第一辅助电路。3.根据权利要求2所述的一种抑制SiC—MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动电路，其特征在于，所述RCD网络结构还包括基极电阻，所述晶体管的基极、基极电阻、发射结电阻和晶体管的发射结依次连接。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：李庆辉，潘三博，
申请(专利权)人：上海电机学院，
类型：发明
国别省市：