【技术实现步骤摘要】
体声波谐振装置、滤波装置及射频前端装置
[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，本专利技术涉及一种体声波谐振装置、滤波装置及射频前端装置。
技术介绍
[0002]无线通信设备的射频(Radio Frequency，RF)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波(Surface Acoustic Wave，SAW)滤波器、压电体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW)滤波器、微机电系统(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System，MEMS)滤波器、集成无源装置(Integrated Passive Devices，IPD)滤波器等。
[0003]SAW谐振器和BAW谐振器的品质因数值(Q值)较高，由SAW谐振器和BAW谐振器制作成低插入损耗、高带外抑制的射频滤波器，即SAW滤波器和BAW滤波器，是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流射频滤波器。其中，Q值是谐振器的品质因数值...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振装置，其特征在于，包括：第一层，所述第一层包括空腔；第一电极层，所述第一电极层的至少一端位于所述空腔内；压电层，位于所述第一电极层上，覆盖所述空腔，所述压电层包括第一侧及与所述第一侧相对的第二侧，所述第一电极层位于所述第一侧；第二电极层，位于所述第二侧，位于所述压电层上；至少一个边缘结构，位于所述第一电极层和所述第二电极层的重合部的边缘；以及至少一个频移层，位于所述至少一个边缘结构与所述压电层之间，用于降低引入所述至少一个边缘结构产生的寄生谐振的谐振频率。2.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述至少一个边缘结构包括第一边缘结构，位于所述第二侧，位于所述压电层上方，所述第一边缘结构包括第一围边部，所述第二电极层位于所述第一围边部内侧，所述第一围边部与所述第一电极层重合，其中，所述第二电极层上与所述第一电极层的重合部即第二电极层。3.如权利要求2所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一围边部呈环状。4.如权利要求2所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一边缘结构的材料包括金属。5.如权利要求2所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述至少一个频移层包括第一频移层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第一边缘结构之间，所述第一频移层与所述第一边缘结构重合。6.如权利要求5所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一频移层的介质包括以下之一：非金属材料、真空、空气。7.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述至少一个边缘结构包括第二边缘结构，位于所述第一侧，所述压电层还位于所述第二边缘结构上方，所述第二边缘结构包括第二围边部，所述第二围边部位于所述空腔内，所述第一电极层位于所述第二围边部内侧，所述第二围边部与所述第二电极层重合，其中，所述第一电极层上与所述第二电极层的重合部即第一电极层。8.如权利要求7所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第二围边部呈环状。9.如权利要求7所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第二边缘结构的材料包括金属。10.如权利要求7所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述至少一个频移层包括第二频移层，位于所述第一侧，位于所述第二边缘结构上，所述压电层还位于所述第二频移层上，所述第二频移层与所述第二边缘结构重合。11.如权利要求10所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第二频移层的介质包括以下之一：非金属材料、真空、空气。12.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述至少一个边缘结构包括第三边缘结构，位于所述第二侧，位于所述压电层上方，所述第三边缘结构包括第三围边部，所述第三围边部位于所述第二电极层上与所述第一电极层重合部的部分边缘。13.如权利要求12所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述至少一个边缘结构还包括第四边缘结构，位于所述第一侧，所述压电层还位于所述第四边缘结构上方，所述第四边缘
结构包括第四围边部，所述第四围边部位于所述空腔内，位于所述第一电极层...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩兴，周建，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。