激光器及其制备方法技术

本申请涉及一种激光器及其制备方法，激光器包括依次层叠的衬底、第一反射层、第一晶格过渡层、发光有源层和第二反射层，其中，第一晶格过渡层的晶格常数大于第一反射层的晶格常数，且小于发光有源层的晶格常数，如此使得第一晶格过渡层分别与第一反射层和发光有源层晶格匹配，从而可从根本上解决第一反射层和发光有源层之间因晶格失配导致无法制备出高性能的激光器的问题。能的激光器的问题。能的激光器的问题。

【技术实现步骤摘要】
激光器及其制备方法


[0001]本申请涉及激光器
，特别是涉及一种激光器及其制备方法。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器(VCSEL)在数据通讯领域相比边发射激光器具有成本低的优势，并且在消费端的面部识别应用中VCSEL可以穿透OLED屏幕实现屏下面部识别的功能。当前发光波长在1300nm以上近红外波段的VCSEL可通过生长GaInNAs量子阱有源区、生长InAs/GaAs量子点有源区或生长InP量子阱有源区实现。其中InP基的VCSEL具体的问题在于InP体系的二元分布式布拉格反射层(DBR)的散热性能差，折射率差异小，因此InP基与DBR容易出现晶格失配，从而影响激光器性能和寿命。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种性能优越且耐用的激光器。
[0004]一种激光器，包括依次层叠的衬底、第一反射层、第一晶格过渡层、发光有源层和第二反射层，其中，
[0005]所述第一晶格过渡层的晶格常数大于所述第一反射层的晶格常数，且小于所述发光有源层的晶格常数。
[0006本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种激光器，其特征在于，包括依次层叠的衬底、第一反射层、第一晶格过渡层、发光有源层和第二反射层，其中，所述第一晶格过渡层的晶格常数大于所述第一反射层的晶格常数，且小于所述发光有源层的晶格常数。2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述第一晶格过渡层包括：超晶格结构层，包括呈周期排布的多个缓冲结构，所述缓冲结构包括多层不同组分的材料层，和/或，组分渐变层，包括In
x
GaAs
y
P渐变层和/或In
x
AlAs
y
P渐变层，其中x和y的范围分别为0至1，且在叠层方向上x逐渐增大，y逐渐减小。3.根据权利要求2所述的激光器，其特征在于，所述材料层包括GaAs体系材料层与InP体系材料层；和/或所述缓冲结构的周期为20至60，每一周期的所述缓冲结构厚度为2nm至10nm。4.根据权利要求1或2所述的激光器，其特征在于，所述激光器还包括：第二晶格过渡层，设置于所述发光有源层和所述第二反射层之间，其中所述第二晶格过渡层的晶格常数大于所述第二反射层的晶格常数，且小于所述发光有源层的晶格常数。5.根据权利要求4所述的激光器，其特征在于，所述第二晶格过渡层的组分与所述第一晶格过渡层的组分相同，且所述第二晶格过渡层的结构与所述第一晶格过渡层的结构关于所述发光有源层对称。6.根据权利要求4所述的激光器，其特征在于，所述激光器还包括：氧化限制层，设于所述第二晶格过渡层和所述第二反射层之间，所述氧化限制层在平行于叠层方向上形成通孔。7.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：董海云，倪健，薛聪，
申请(专利权)人：埃特曼北京半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：