【技术实现步骤摘要】
一种滤波器、滤波器封装结构及滤波器制造方法
[0001]本专利技术涉及半导体
,具体涉及一种滤波器、滤波器封装结构及滤波器制造方法。
技术介绍
[0002]体声波(BAW)滤波器装置已在实现无线通信装置和系统小型化、多功能化改进中起到了非常重要的作用,该结构的滤波器在制造过程中,如图1和图2所示,通常在基体晶圆100上形成多个滤波器功能部件101,滤波器功能部件101如图2所示以阵列构造排布,滤波器功能部件101主要由上、下电极和压电体构成。在每个滤波器功能部件101周围形成高于滤波器功能部件101的键合环102,滤波器功能部件101被键合环102围绕其内。另一盖晶圆200上对应于每个滤波器功能部件101的位置处形成一凹槽201,凹槽201四周的表面处也形成环形键合层202,环形键合层202将凹槽201圈在其内。封装时,将盖晶圆200与基体晶圆100扣合,在一定温度和压力条件下,键合环102和环形键合层202键合在一起,这样就形成了多个BAW滤波器单元。相邻键合环102(或相邻环形键合层202)之间的区域为切割道103 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种滤波器制造方法,其特征在于,内容包括:在盖晶圆表面刻蚀出至少两个间隔排布的内凹空腔,相邻空腔之间的盖晶圆表面形成盖键合部,在盖键合部表面围绕每个空腔一圈沉积金属键合层形成盖键合环,至少在最外圈的每个相邻盖键合环之间的盖键合部表面沉积金属键合层形成盖切割道键合体,盖切割道键合体将相邻盖键合环连接在一起;在基体晶圆表面形成至少两个间隔排布的滤波器功能单元,每个滤波器功能单元与盖晶圆的内凹空腔相对应,并在每个滤波器功能单元的外围一圈沉积金属键合层形成基体键合环,至少在最外圈的每个相邻基体键合环之间沉积金属键合层形成基体切割道键合体,基体切割道键合体将相邻基体键合环连接在一起;将盖晶圆的每个内凹空腔对应于基体晶圆的每个滤波器功能单元,令盖键合环与基体键合环键合,令盖切割道键合体与基体切割道键合体键合。2.根据权利要求1所述的一种滤波器制造方法,其特征在于:沉积的金属键合层为金、锡、铜中的一种或多种组合形成。3.根据权利要求1所述的一种滤波器制造方法,其特征在于:所述盖键合部上开设环形凹槽,沉积的金属键合层覆盖在盖键合部表面及凹槽内。4.根据权利要求1所述的一种滤波器制造方法,其特征在于:所述盖切割道键合体仅形成于盖晶圆边缘最外圈的盖键合环之间,相应的,基体切割道键合体也仅形成于基体晶圆边缘最外圈的基体键合环之间。5.根据权利要求1所述的一种滤波器制造方法,其特征在于:所述盖切割道键合体形成于盖晶圆上每一个盖键合环之间,相应的,基体切割道键合体也形成于基体晶圆上每一个基体键合环之间。6.根据权利要求1所述的一种滤波器制造方法,其特征在于:所述滤波器功能单元包括底电极、压电体以及顶电极。7.根据权利要求6所述的一种滤波器制造方法,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯雪丽,王冲,王大甲,穆苑龙,项少华,魏有晨,
申请(专利权)人:绍兴中芯集成电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。