像素和有机发光显示设备制造技术

一种像素包括发光器件、用于根据栅源电压控制从电力线流到所述发光器件的电流的大小的驱动TFT、设置在所述电力线和所述驱动TFT的栅极之间的存储电容器、响应于第一扫描信号将数据电压传送到所述驱动TFT的源极的扫描TFT、串联连接在所述驱动TFT的漏极和所述栅极之间的第一和第二补偿TFT、响应于第二扫描信号将第一电压施加到所述驱动TFT的所述栅极的栅极初始化TFT、响应于第三扫描信号将第二电压施加到所述发光器件的阳极的阳极初始化TFT以及设置在位于所述第一补偿TFT和第二补偿TFT之间的节点与所述电力线或第二电压线之间的屏蔽电容器。蔽电容器。蔽电容器。

【技术实现步骤摘要】
像素和有机发光显示设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年6月30日提交的第10
‑
2020
‑
0080497号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有目的，通过引用将上述韩国专利申请并入本文，如同在本文中完全阐述一样。


[0003]本专利技术的示例性实施例总体上涉及像素和有机发光显示设备。

技术介绍

[0004]有机发光显示设备包括发光器件，例如有机发光二极管，其亮度根据电流而变化。有机发光显示设备中的一个像素包括：有机发光二极管；驱动晶体管，根据栅极端子和源极端子之间的电压来控制供应到有机发光二极管的电流的量；开关晶体管，被配置为将用于控制有机发光二极管的亮度的数据电压传递到驱动晶体管；以及用于存储数据电压的存储电容器。当存储在存储电容器中的数据电压在一帧内不保持恒定时，有机发光二极管的亮度改变。
[0005]另外，在将数据电压写入像素之前，向驱动晶体管的栅极施加初始化电压。当在有机发光二极管发光之前向有机发光二极管的阳极施加相同的初始化电压时，由于有机发光二极管的电容器特性，发光可能延迟。
[0006]在该
技术介绍
部分公开的以上信息仅是为了加强对本专利技术构思的
技术介绍
的理解，因此其可能包含不构成现有技术的信息。

技术实现思路

[0007]根据本专利技术的示例性实施例构造的装置包括像素、所述像素的布局和包括所述像素的有机发光显示设备，借助于所述像素，通过在不使串扰特性劣化的情况下应用现有的设计规则，可以保持分辨率和像素尺寸，并且可以解决发射延迟问题。
[0008]本专利技术构思的附加特征将在随后的描述中进行阐述，并部分地根据该描述将是明显的，或者可以由本专利技术构思的实践而获知。
[0009]根据一个或多个示例性实施例，一种像素，接收第一扫描信号、第二扫描信号和第三扫描信号以及数据电压，并且连接到被配置为传送驱动电压的电力线以及被配置为分别传送第一初始化电压和第二初始化电压的第一电压线和第二电压线，所述像素包括：发光器件；驱动薄膜晶体管(TFT)，用于根据栅源电压控制从所述电力线流到所述发光器件的电流的大小；存储电容器，位于所述电力线和所述驱动TFT的栅极之间；扫描TFT，被配置为响应于所述第一扫描信号将所述数据电压传送到所述驱动TFT的源极；第一补偿TFT和第二补偿TFT，响应于所述第一扫描信号而操作，并且彼此串联地连接在所述驱动TFT的漏极和所述栅极之间；栅极初始化TFT，被配置为响应于所述第二扫描信号将所述第一初始化电压施加到所述驱动TFT的所述栅极；阳极初始化TFT，被配置为响应于所述第三扫描信号将所述
第二初始化电压施加到所述发光器件的阳极；以及屏蔽电容器，设置在浮置节点和所述电力线或所述第二电压线之间，所述浮置节点位于所述第一补偿TFT和所述第二补偿TFT之间。
[0010]所述像素可以包括：半导体层，所述半导体层具有所述第一补偿TFT的第一补偿沟道区、所述第二补偿TFT的第二补偿沟道区以及位于所述第一补偿沟道区和所述第二补偿沟道区之间的导电区域，所述导电区域作为所述屏蔽电容器的下电极；第一导电层，包括所述第一补偿TFT的第一栅极和所述第二补偿TFT的第二栅极；以及第二导电层，位于所述第一导电层上，所述第二导电层包括所述屏蔽电容器的与所述半导体层的所述导电区域至少部分地交叠的上电极。
[0011]所述第一导电层还可以包括所述存储电容器的下电极以及被配置为分别传送所述第一扫描信号、所述第二扫描信号和所述第三扫描信号的第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线，所述第二导电层还可以包括所述存储电容器的上电极以及所述第一电压线和所述第二电压线，并且所述第一扫描线、所述第二扫描线和所述第三扫描线以及所述第一电压线和所述第二电压线在第一方向上延伸。
[0012]所述像素还可以包括：第三导电层，位于所述第二导电层上，所述第三导电层具有所述电力线和被配置为传送所述数据电压的数据线；以及第四导电层，位于所述第三导电层上，所述第四导电层具有所述发光器件的阳极，其中，所述电力线和所述数据线在第二方向上延伸。
[0013]所述屏蔽电容器的所述上电极可以是所述第二电压线的一部分。
[0014]所述第三导电层还可以包括第一连接电极，所述第一连接电极将所述屏蔽电容器的在所述第二导电层中的所述上电极与所述存储电容器的在所述第二导电层中的所述上电极连接。
[0015]所述半导体层还可以包括所述阳极初始化TFT的漏极区和所述栅极初始化TFT的漏极区，并且所述第三导电层可以包括：第二连接电极，将所述第二导电层的所述第二电压线与所述阳极初始化TFT的在所述半导体层中的所述漏极区连接；以及第三连接电极，将所述第二导电层的所述第一电压线与所述栅极初始化TFT的在所述半导体层中的所述漏极区连接。
[0016]所述第二扫描线可以位于所述第一电压线和所述第二电压线之间，并且所述第二电压线可以位于所述第二扫描线和所述第一扫描线之间。
[0017]所述像素还可以包括：第一发射控制TFT，响应于发射控制信号将所述电力线连接到所述驱动TFT的所述源极；以及第二发射控制TFT，响应于所述发射控制信号将所述驱动TFT的所述漏极连接到所述发光器件的所述阳极。
[0018]所述第二初始化电压的电平可以高于所述第一初始化电压的电平。
[0019]根据一个或多个示例性实施例，一种像素连接到被配置为分别传送第一扫描信号、第二扫描信号和第三扫描信号的第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线、被配置为传送发射控制信号的发射控制线、被配置为传送数据电压的数据线、被配置为传送驱动电压的电力线以及被配置为分别传送第一初始化电压和第二初始化电压的第一电压线和第二电压线。所述像素包括：发光器件，包括阳极和阴极；存储电容器，包括上电极和下电极，所述存储电容器连接到所述电力线；第一薄膜晶体管(TFT)，包括连接到所述存储电容器的栅
极、连接到所述电力线的源极以及漏极；第二TFT，包括连接到所述第一扫描线的栅极、连接到所述数据线的源极以及连接到所述第一TFT的所述源极的漏极；第三TFT，包括第一补偿TFT和第二补偿TFT，所述第一补偿TFT包括连接到所述第一扫描线的栅极、连接到浮置节点的源极以及连接到所述第一TFT的所述栅极的漏极，所述第二补偿TFT包括连接到所述第一扫描线的栅极、连接到所述第一TFT的所述漏极的源极以及连接到所述浮置节点的漏极；第四TFT，包括连接到所述第二扫描线的栅极、连接到所述第一TFT的所述栅极的源极以及连接到所述第一电压线的漏极；第五TFT，包括连接到所述发射控制线的栅极、连接到所述电力线的源极以及连接到所述第一TFT的所述源极的漏极；第六TFT，包括连接到所述发射控制线的栅极、连接到所述第一TFT的所述漏极的源极以及连接到所述发光器件的所述阳极的漏极；第七TFT，包括连接到所述第三扫描线的栅极、连接到所述发光器件的所述阳极的源极以及连接到所述第二电压线的漏极；以及屏蔽电容器，包括连接到所述浮置节点的下电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素，所述像素被配置为接收第一扫描信号、第二扫描信号和第三扫描信号以及数据电压，并且连接到被配置为传送驱动电压的电力线以及被配置为分别传送第一初始化电压和第二初始化电压的第一电压线和第二电压线，所述像素包括：发光器件；驱动薄膜晶体管，用于根据栅源电压控制从所述电力线流到所述发光器件的电流的大小；存储电容器，设置在所述电力线和所述驱动薄膜晶体管的栅极之间；扫描薄膜晶体管，被配置为响应于所述第一扫描信号将所述数据电压传送到所述驱动薄膜晶体管的源极；第一补偿薄膜晶体管和第二补偿薄膜晶体管，响应于所述第一扫描信号而操作，并且彼此串联地连接在所述驱动薄膜晶体管的漏极和所述栅极之间；栅极初始化薄膜晶体管，被配置为响应于所述第二扫描信号将所述第一初始化电压施加到所述驱动薄膜晶体管的所述栅极；阳极初始化薄膜晶体管，被配置为响应于所述第三扫描信号将所述第二初始化电压施加到所述发光器件的阳极；以及屏蔽电容器，设置在浮置节点和所述电力线或所述第二电压线之间，所述浮置节点位于所述第一补偿薄膜晶体管和所述第二补偿薄膜晶体管之间。2.根据权利要求1所述的像素，其中，所述像素还包括：半导体层，包括所述第一补偿薄膜晶体管的第一补偿沟道区、所述第二补偿薄膜晶体管的第二补偿沟道区以及设置在所述第一补偿沟道区和所述第二补偿沟道区之间的导电区域，所述导电区域作为所述屏蔽电容器的下电极；第一导电层，包括所述第一补偿薄膜晶体管的第一栅极和所述第二补偿薄膜晶体管的第二栅极；以及第二导电层，位于所述第一导电层上，所述第二导电层包括所述屏蔽电容器的与所述半导体层的所述导电区域至少部分地交叠的上电极。3.根据权利要求2所述的像素，其中，所述第一导电层还包括所述存储电容器的下电极以及被配置为分别传送所述第一扫描信号、所述第二扫描信号和所述第三扫描信号的第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线，所述第二导电层还包括所述存储电容器的上电极以及所述第一电压线和所述第二电压线，并且所述第一扫描线、所述第二扫描线和所述第三扫描线以及所述第一电压线和所述第二电压线在第一方向上延伸。4.根据权利要求3所述的像素，其中，所述像素还包括：第三导电层，位于所述第二导电层上，所述第三导电层包括所述电力线和被配置为传送所述数据电压的数据线；以及第四导电层，位于所述第三导电层上，所述第四导电层包括所述发光器件的所述阳极，其中，所述电力线和所述数据线在第二方向上延伸。5.根据权利要求4所述的像素，其中，所述屏蔽电容器的所述上电极是所述第二电压线的一部分。
6.根据权利要求4所述的像素，其中，所述第三导电层还包括第一连接电极，所述第一连接电极将所述屏蔽电容器的在所述第二导电层中的所述上电极与所述存储电容器的在所述第二导电层中的所述上电极连接。7.根据权利要求4所述的像素，其中，所述半导体层还包括所述阳极初始化薄膜晶体管的漏极区和所述栅极初始化薄膜晶体管的漏极区，并且所述第三导电层包括：第二连接电极，将所述第二导电层的所述第二电压线与所述阳极初始化薄膜晶体管的在所述半导体层中的所述漏极区连接；以及第三连接电极，将所述第二导电层的所述第一电压线与所述栅极初始化薄膜晶体管的在所述半导体层中的所述漏极区连接。8.根据权利要求4所述的像素，其中，所述第二扫描线设置在所述第一电压线和所述第二电压线之间，并且所述第二电压线设置在所述第二扫描线和所述第一扫描线之间。9.根据权利要求1所述的像素，其中，所述像素还包括：第一发射控制薄膜晶体管，响应于发射控制信号将所述电力线连接到所述驱动薄膜晶体管的所述源极；以及第二发射控制薄膜晶体管，响应于所述发射控制信号将所述驱动薄膜晶体管的所述漏极连接到所述发光器件的所述阳极。10.根据权利要求1所述的像素，其中，所述第二初始化电压的电平高于所述第一初始化电压的电平。11.一种像素，所述像素连接到被配置为分别传送第一扫描信号、第二扫描信号和第三扫描信号的第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线、被配置为传送发射控制信号的发射控制线、被配置为传送数据电压的数据线、被配置为传送驱动电压的电力线、以及被配置为分别传送第一初始化电压和第二初始化电压的第一电压线和第二电压线，所述像素包括：发光器件，包括阳极和阴极；存储电容器，包括上电极和下电极，所述存储电容器连接到所述电力线；第一薄膜晶体管，包括连接到所述存储电容器的栅极、连接到所述电力线的源极、以及漏极；第二薄膜晶体管，包括连接到所述第一扫描线的栅极、连接到所述数据线的源极、以及连接到所述第一薄膜晶体管的所述源极的漏极；第三薄膜晶体管，包括第一补偿薄膜晶体管和第二补偿薄膜晶体管，所述第一补偿薄膜晶体管包括连接到所述第一扫描线的栅极、连接到浮置节点的源极、以及连接到所述第一薄膜晶体管的所述栅极的漏极，所述第二补偿薄膜晶体管包括连接到所述第一扫描线的栅极、连接到所述第一薄膜晶体管的所述漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：金成焕，金殷朱，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：