本实用新型专利技术涉及晶片清洗技术领域，具体为一种减少损伤的晶片背面清洗装置，包括箱体，所述箱体包括风机仓、液体仓以及工作仓，所述工作仓位于箱体的中间部分，所述风机仓以及液体仓分别位于箱体的两侧，所述工作仓的内部设有存水槽、清洗槽以及支撑块，所述清洗槽安装在工作仓的中间部分，并且所述清洗槽上设有第一清洗液口以及探头，所述存水槽安装在清洗槽的下端，所述探头安装在清洗槽的内壁上，所述液体仓的内部设有液体箱，所述支撑块上设有超声波发生器，所述风机仓的内部设有风机，通过风机提供热风进行烘干，通过液体箱提供清洗需要的液体，通过超声波发生器以及探头进行超声波清洗。波清洗。波清洗。
【技术实现步骤摘要】
一种减少损伤的晶片背面清洗装置
[0001]本技术涉及晶片清洗
，具体为一种减少损伤的晶片背面清洗装置。
技术介绍
[0002]众所周知，现有的晶片清洗方法，先经过碱洗去除晶片表面颗粒和有机物，然后再将晶片取出放在另一槽内进行酸洗，主要去除晶片表面微粒和金属离子，然后再经过超纯水进行清洗，去除晶片表面残留的离子。
[0003]例如公开号为“CN111009482A”专利名称为“一种晶片清洗装置及晶片清洗设备”的专利，专利公开了“本专利技术提供了一种晶片清洗装置及晶片清洗设备，涉及清洗设备
所述晶片清洗装置包括：间隔设置的夹持机构和刷体，所述夹持机构用于夹持晶片；所述刷体用于抵接在所述晶片的待清洗面，所述刷体能够相对于所述夹持机构在所述晶片的待清洗面上运动，以使所述刷体刷洗所述晶片的待清洗面。刷体能够抵接在所述晶片的待清洗面，然后刷体在晶片的待清洗面上进行擦洗，从而将晶片表面的杂质擦洗掉，尤其是针对粘在晶片表面且不溶于清洗液的杂质，擦洗更为有效，使用本专利技术实施例提供的晶片清洗装置可以使晶片待清洗面更加洁净”。
[0004]现有的晶片清洗装置在对晶片清洗时，采用传统的毛刷清洗，清洗的效率低，并且容易对晶片造成损伤。
技术实现思路
[0005](一)解决的技术问题
[0006]针对现有技术的不足，本技术提供了一种清洗效率高，并且自带烘干功能的减少损伤的晶片背面清洗装置。
[0007](二)技术方案
[0008]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种减少损伤的晶片背面清洗装置，包括箱体，所述箱体包括风机仓、液体仓以及工作仓，所述工作仓位于箱体的中间部分，所述风机仓以及液体仓分别位于箱体的两侧，所述工作仓的内部设有存水槽、清洗槽以及支撑块，所述清洗槽安装在工作仓的中间部分，并且所述清洗槽上设有第一清洗液口以及探头，所述存水槽安装在清洗槽的下端，所述探头安装在清洗槽的内壁上，所述支撑块设有两个，并且分别安装在清洗槽的两侧，所述支撑块上设有超声波发生器，并且所述超声波发生器与探头之间设有连通管连接，所述风机仓的内部设有风机，所述风机上设有输风管，所述输风管安装在风机的上端，并且延伸至支撑块附近，所述输风管的另一端设有出风口，所述液体仓的内部设有液体箱，所述液体箱上设有液体管，所述液体管安装在液体箱的上端，并且延伸至清洗槽的上端，所述液体管的一端设有液体出口。
[0009]为了提高本结构实用性，本技术的改进有，所述存水槽上设有排水管，所述排水管安装在存水槽的下端，并且所述排水管上设有阀门。
[0010]为了提高清洗槽的排水效果，本技术的改进有，所述清洗槽的下端设有第二
清洗液口，并且所述第二清洗液口与存水槽连通。
[0011]为了提高本结构烘干的效果，本技术的改进有，所述输风管设有两个，并且分别延伸至清洗槽的两侧。
[0012]为了防止液体进入输风管，本技术的改进有，所述出风口处设有防护网。
[0013]为了方便观察箱体内的工作情况，本技术的改进有，所述箱体上设有转门，所述转门安装在箱体的中间部分，并且所述转门与箱体之间设有转轴连接，所述转门上设有视镜。
[0014](三)有益效果
[0015]与现有技术相比，本技术提供了一种减少损伤的晶片背面清洗装置，具备以下有益效果：
[0016]该减少损伤的晶片背面清洗装置，所述支撑块设有两个，并且分别安装在清洗槽的两侧，所述支撑块上设有超声波发生器，并且所述超声波发生器与探头之间设有连通管连接，通过设有超声波发生器以及探头，实现超声波清洗，提高了清洗效率，所述工作仓的内部设有存水槽，通过设有存水槽，方便回收清洗之后的液体，所述清洗槽上设有第一清洗液口以及第二清洗液口，通过设有第一清洗液口以及第二清洗液口，使清洗后的水方便留进存水槽，所述风机仓的内部设有风机，所述风机上设有输风管，所述输风管安装在风机的上端，并且延伸至支撑块附近，通过设有输风管，使风机发出的热风吹向清洗槽，从而实现清洗之后的烘干处理。
附图说明
[0017]图1为本技术的刨面图；
[0018]图2为本技术图1中A处的局部放大结构示意图；
[0019]图3为本技术的转门处的结构示意图；
[0020]图中：1、箱体；2、风机仓；3、液体仓；4、风机；5、输风管；6、出风口；7、超声波发生器；8、连通管；9、清洗槽；10、第一清洗液口；11、存水槽；12、存放快；13、第二清洗液口；14、液体出口；15、液体管；16、液体箱；17、排水管；18、转轴；19、转门；20、支撑块；21、探头；
具体实施方式
[0021]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]请参阅图1
‑
3，本技术的一种减少损伤的晶片背面清洗装置，包括箱体1，所述箱体1包括风机仓2、液体仓3以及工作仓，所述工作仓位于箱体1的中间部分，所述风机仓2以及液体仓3分别位于箱体1的两侧，所述工作仓的内部设有存水槽11、清洗槽9以及支撑块20，所述清洗槽9安装在工作仓的中间部分，并且所述清洗槽9上设有第一清洗液口10以及探头21，所述存水槽11安装在清洗槽9的下端，所述探头21安装在清洗槽9的内壁上，所述支撑块20设有两个，并且分别安装在清洗槽9的两侧，所述支撑块20上设有超声波发生器7，并且所述超声波发生器7与探头21之间设有连通管8连接，所述风机仓2的内部设有风机4，所
述风机4上设有输风管5，所述输风管5安装在风机4的上端，并且延伸至支撑块20附近，所述输风管5的另一端设有出风口6，所述液体仓3的内部设有液体箱16，所述液体箱16上设有液体管15，所述液体管15安装在液体箱16的上端，并且延伸至清洗槽9的上端，所述液体管15的一端设有液体出口14。
[0023]本技术的减少损伤的晶片背面清洗装置在使用时，晶片放到存放块上，液体箱16用来承载液体箱16，然后液体箱16通过液体管15运输清洗液，清洗液在液体出口14上喷出，喷至清洗槽9当中后，超声波发生器7通过连通管8使探头21发出超声波，超声波使清洗槽9和清洗液发生共振，超声波清洗是利用超声波在液体中的空化作用、加速度作用及直进流作用对液体和污物直接、间接的作用,使污物层被分散、乳化、剥离而达到清洗，从而实现超声波清洗，提高了清洗的效率，清洗过程中的清洗液由第一清洗液口10流进存清洗液槽中，由存清洗液槽进行存储，清洗完毕之后，风机仓2用来承载风机4，风机4通过输风管5运输热风，将热风由出风口6吹出，从而达到清洗之后烘干的目的。
[0024]为了提高本结构实用性，本技术的改进有，所述存水槽11上设有排本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种减少损伤的晶片背面清洗装置，其特征在于，包括箱体(1)，所述箱体(1)包括风机仓(2)、液体仓(3)以及工作仓，所述工作仓位于箱体(1)的中间部分，所述风机仓(2)以及液体仓(3)分别位于箱体(1)的两侧，所述工作仓的内部设有存水槽(11)、清洗槽(9)以及支撑块(20)，所述清洗槽(9)安装在工作仓的中间部分，并且所述清洗槽(9)上设有第一清洗液口(10)以及探头(21)，所述存水槽(11)安装在清洗槽(9)的下端，所述探头(21)安装在清洗槽(9)的内壁上，所述支撑块(20)设有两个，并且分别安装在清洗槽(9)的两侧，所述支撑块(20)上设有超声波发生器(7)，并且所述超声波发生器(7)与探头(21)之间设有连通管(8)连接，所述风机仓(2)的内部设有风机(4)，所述风机(4)上设有输风管(5)，所述输风管(5)安装在风机(4)的上端，并且延伸至支撑块(20)附近，所述输风管(5)的另一端设有出风口(6)，所述液体仓(3)的内部设有液体箱(16)，所述液体箱(16)上设有液体管(15)，所述液体管(15)安装在液体箱(16)的上端，并且延伸至清洗槽(9)的上端，所述液体管...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟兴进，
申请(专利权)人：钟兴进，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。