本发明专利技术提供一种负载稳定性等特性为同等以上且更为小型的微波炉用磁控管。所述磁控管包括：阳极圆筒（１）、从阳极圆筒内表面朝着中心轴（４１）延伸并且自由端（３１）形成叶片内接圆（直径：Ｄａ（ｍｍ））的多个叶片（２）（高度：Ｈ（ｍｍ））、配置于中心轴（４１）的螺旋状的阴极（５）、与阴极（５）的两端固接的一对端帽（６、７）（外径：ＤＥＨ１（ｍｍ）、ＤＥＨ２（ｍｍ））、以及从与它们相对的贯穿孔（３２）（内径：ＤＰＰ１（ｍｍ）、ＤＰＰ２（ｍｍ））呈漏斗状扩大并夹有阴极（５）的一对极片（８、９），所述磁控管的形状满足：Ｈ≤８．５、Ｈ／Ｄａ≤０．９５、ＤＥＨ１／ＤＰＰ１≤０．８、ＤＥＨ１／ＤＰＰ２≤０．８、ＤＥＨ２／ＤＰＰ１≤０．８、ＤＥＨ２／ＤＰＰ２≤０．８、０．９２≤Ｄａ／ＤＰＰ１≤０．９５、０．９２≤Ｄａ／ＤＰＰ２≤０．９５。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微波炉用磁控管。
技术介绍
激发出2450MHz波段的电波的普通微波炉用磁控管包括阳极圆筒和多个 叶片。叶片在阳极圆筒的内部呈辐射状配设。叶片在圆周方向上一个隔一个地 被焊接于叶片上下端部的一对大小带环连结。在被多个叶片的自由端包围的电 子作用空间内，螺旋状阴极沿着阳极圆筒的轴心配设。螺旋状阴极的两端分别 与输出侧端帽和输入侧端帽固接。另外，在阳极圆筒的两端分别固接有大致漏 斗状的输出侧极片和输入侧极片。从加热设备自身的小型化、省资源以及削减成本的观点出发，希望微波炉 用磁控管小型化。但是，若只是简单地进行小型化，则有时会无法维持磁控管 的各种特性。例如，若减小叶片的轴向高度和输入座部的长度，则有时会导致电子的阴 极反向冲击(反加热back heat)和负载稳定性恶化。为了縮短磁控管的高 度，若只是想通过单纯地縮小极片间隔来实现磁体的有效利用，则极片与带环 之间的基于电磁场的结合增加，其结果是，电子的阴极反向冲击增加，导致阴 极温度上升。另一方面，若为了确保极片与带环之间存在一定距离而縮短了叶 片的轴向高度，则负载稳定性会恶化。另外，若縮短输入座部，则电子的阴极 反向冲击急剧增加，阴极温度上升，在极端情况下，会发生一部分熔化的现象。 因此，认为将叶片轴向高度做成9 10ram的磁控管能实现小型化并具有良好的特性。在专利文献1中特别着眼于作用空间内的磁场分布而公开了一种通过改 进极片的形状和尺寸、与带环之间的基于电磁场的结合来进一步縮小叶片轴向高度的磁控管。在该磁控管中，通过变更极片的形状和尺寸，使叶片内端面位 置上的轴向的强度差成为规定比例以下，从而使作用空间内的磁场分布变得均 匀。另外，通过将带环从叶片的侧端面埋入槽内部，使其与极片之间的基于电 磁场的结合减少，从而即使叶片的轴向高度和输入座部被縮短，电子的阴极反 向冲击和负载稳定性也几乎不会恶化。专利文献1:日本专利特公平5 — 035531号公报但是，在专利文献1中公开的磁控管的叶片的轴向高度为8. 5mm以上。若 进一步减小叶片的轴向高度，则会因负载稳定性急剧下降而无法实用。另外， 在縮短叶片的轴向高度时，阴极两端的端帽与叶片轴向端面之间的间隙增大， 因此，从作用空间部泄漏出的电子增多(暗电流增加)。因此，有时会出现输 出效率下降、叶片或极片等熔化的情况。为了避免输出效率下降、叶片等的熔化，也同样需要縮短阴极两端的端帽 间隔、即灯丝有效长度。可是， 一旦縮短灯丝有效长度，则负载稳定性会进一 步下降，而且电子的阴极反向冲击也会增大。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种负载稳定性等特性不会恶化的、更为小 型的磁控管。为了解决上述技术问题，本专利技术的微波炉用磁控管，其特征在于，包括 沿着中心轴呈圆筒状延伸的阳极圆筒、从所述阳极圆筒的内表面延伸至位于沿 着所述中心轴延伸的圆筒状的叶片内接圆上的自由端的多个叶片、绕所述中心 轴呈螺旋状延伸的阴极、与所述阴极的两端固接的一对端帽、以及从分别与所 述端帽相对的贯穿孔朝着所述阳极圆筒的端部呈漏斗状扩大并夹有所述阴极 的一对极片，在将所述叶片的高度设为H (mm)、将所述叶片内接圆筒的直径 设为Da (mm)、将所述一对端帽的外径分别设为DEH1 (mm)和DEH2 (ram)、 并将所述一对极片的所述贯穿孔的内径分别设为DPP1 (ram)和DPP2 (mm)时， 满足H《8. 5、 H/Da《0. 95、 DEH1/DPP1《0. 8、 DEH1/DPP2《0. 8、 DEH2/DPP,1 《0.8、 DEH2/DPP2《0. 8、 0. 92《Da/DPPl《0. 95、 0. 92《Da/DPP2《0. 95。采用本专利技术，可提供一种与以往的叶片轴向高度大于8. 5mm的磁控管相比 负载稳定性等特性不逊色或是同等以上的、更为小型的磁控管。附图说明图1是本专利技术的微波炉用磁控管的一实施形态的阳极圆筒附近的放大纵 剖视图。图2是本专利技术的微波炉用磁控管的一实施形态的纵剖视图。 图3是统一表示微波炉用磁控管的形状和特性的表。 (符号说明) 1阳极圆筒 2叶片 3带环(大) 4带环(小) 5阴极6端帽(输出侧)7端帽(输入侧)8极片(输出侧)9极片(输入侧)10金属封装体(输出侧)11金属封装体(输入侧)12输出侧陶瓷体13排气管14天线15罩16输入侧陶瓷体 17支撑杆 18支撑杆 19中继板20输入端子 21磁体 22磁体 23轭铁 24轭铁 25散热器 26过滤器 27箱体 31自由端 32贯穿孔具体实施例方式参照附图对本专利技术的微波炉用磁控管的实施形态进行说明。对相同或 相似的结构标记相同的符号，并省略其重复说明。图2是本专利技术的微波炉用磁控管的一实施形态的纵剖视图。本实施形态的微波炉用磁控管包括沿着同一根轴(中心轴41)配置的 阳极圆筒l、阴极5、 一对端帽6、 7和一对极片8、 9;以及从该中心轴41的 附近呈辐射状延伸的多个叶片2。阳极圆筒1沿着中心轴41呈圆筒状延伸。叶片2从中心轴41的附近呈辐 射状延伸，固定在阳极圆筒l的内表面上。叶片2分别实质上形成为长方形的 板状。叶片2的未固定于阳极圆筒1内表面的一侧的自由端31配置在沿中心 轴41延伸的同一个圆筒面上，将该圆筒面称作叶片内接圆筒。多个叶片2在 圆周方向上一个隔一个地被焊接于叶片上下端部的分别成对的大小带环3、4 连结。阴极5呈螺旋状，配置在电子作用空间即叶片内接圆筒的内部，并配 置于阳极圆筒1的中心轴。阴极5的两端分别与端帽6、 7固接。端帽6、 7 例如相对于叶片2配置在中心轴41的外侧。一对极片8、 9分别形成为在中央部具有贯穿孔32的漏斗状。贯穿孔32的中心位于中心轴41上。各个极片8、 9以相对于端帽6、 7之间的空间 从贯穿孔32朝着中心轴41的外侧扩大的形态形成。极片8、 9的外径形成 为与阳极圆筒1的直径大致相同。极片8、 9的外周部分分别固定于阳极圆 筒l的两个端部。这一对极片8、 9夹着端帽6、 7之间的空间进行配置。在极片8、 9上分别固接着筒状的金属封装体10、 11。各个金属封装 体10、 ll还与阳极圆筒1的一端接触。在输出侧的金属封装体10的与极片8相反的一侧的端部接合有输出侧 陶瓷体12。在输出侧陶瓷体12的与金属封装体相反的一侧的端部接合有排 气管13。天线14从叶片2引出。该天线14贯穿输出侧的极片8并在输出 部内延伸，前端被排气管13夹持固定。排气管13整体被罩15覆盖。在输入侧的金属封装体11的与极片9相反的一侧的端部接合有输入侧 陶瓷体16。在阴极5上通过端帽6、 7连接有两个支撑杆17、 18。支撑杆 17、 18例如通过中继板19向管外引出，与输入端子20连接。磁体21、 22和轭铁23、 24以包围这样的激发部本体的形态配设，从 而形成磁路。用于对激发部本体进行冷却的散热器25、与输入侧连接的过 滤器26以及包围该过滤器26的箱体27形成了护套。图1是本实施形态的微波炉用磁控管的阳极圆筒附近的放大纵剖视图。在下面的说明中，将叶片内接圆筒的直径和高度分别设为Da、 H。将 输出侧的端帽6的外径设为DEH1，将输入侧的端帽7的外径设为DEH2，将 输出侧的极片8的内径设为DP本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种微波炉用磁控管，其特征在于，包括： 沿着中心轴呈圆筒状延伸的阳极圆筒、 从所述阳极圆筒的内表面朝着所述中心轴延伸且自由端形成叶片内接圆的多个叶片、 配置于所述中心轴的螺旋状的阴极、 与所述阴极的两端固接的一对端帽、以及 从分别与所述端帽相对的贯穿孔朝着所述阳极圆筒的端部呈漏斗状扩大并以夹持所述阴极的形态配置的一对极片， 在将所述叶片的高度设为Ｈ（ｍｍ）、将所述叶片内接圆的直径设为Ｄａ（ｍｍ）、将所述一对端帽的外径分别设为ＤＥＨ１（ｍｍ）和ＤＥＨ２（ｍｍ）、并将所述一对极片的所述贯穿孔的内径分别设为ＤＰＰ１（ｍｍ）和ＤＰＰ２（ｍｍ）时，满足：Ｈ≤８．５、Ｈ／Ｄａ≤０．９５、ＤＥＨ１／ＤＰＰ１≤０．８、ＤＥＨ１／ＤＰＰ２≤０．８、ＤＥＨ２／ＤＰＰ１≤０．８、ＤＥＨ２／ＤＰＰ２≤０．８、０．９２≤Ｄａ／ＤＰＰ１≤０．９５、０．９２≤Ｄａ／ＤＰＰ２≤０．９５。
【技术特征摘要】
JP 2007-9-11 2007-2355111. 一种微波炉用磁控管，其特征在于，包括沿着中心轴呈圆筒状延伸的阳极圆筒、从所述阳极圆筒的内表面朝着所述中心轴延伸且自由端形成叶片内接圆的多个叶片、配置于所述中心轴的螺旋状的阴极、与所述阴极的两端固接的一对端帽、以及从分别与所述端帽相对的贯穿孔朝着所述阳极圆筒的端部呈漏斗状扩大并以夹持所述阴极的形态配置的一对极片，在将所述叶片的高度设为H(mm)、将所述叶片内接圆的直径设为Da(mm)、将所述一对端帽的外径分别设为DEH1(m...
【专利技术属性】
技术研发人员：东正寿，
申请(专利权)人：东芝北斗电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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