【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种显示器件的内偏转装置，尤其是用于内偏转显示器件的自会聚内偏转装置。在现有技术中，由于采用了窄缝形结构的行偏转装置，使得显示管的偏转角得以增大，偏转功耗降低，但由于在其结构中的磁极对之近电子抢一面上的曲面与磁极对等宽，从而使三基色电子束不能在荧光屏上实现自会聚。本技术的专利技术目的在于提供一种能够提高电子束会聚性能的自会聚内偏转装置。本技术采用如下技术方案来实现其专利技术目的本技术由行偏转装置2与帧偏转装置3组成，行偏转装置2为窄缝磁极对5，在磁极对5之相对的表面上设有凹陷7，在磁极对5近枪面上设有突起6且突起6的宽度小于磁极对5的宽度。与现技术相比较，本技术具有如下优点由于本技术的行偏转场在近枪端为弱的桶形场，而在近屏端是一强枕形场，故它可以使得从电子枪射出的红、绿、兰三基色电子束在荧光屏水平方向上的任意点都能实现会聚。另外，模拟实验表明对于21″90°彩色显像管，当激励为51鞍匝数时就可使三色电子束偏至满屏，而对于现有的偏转线圈，激励需达到109鞍匝数时才能使电子束偏至满屏。附图说明图1是本技术的结构示意图。图2是本技术行偏转装置结构示意图。图3是本技术行偏转装置结构俯示意图。图4是本技术行偏转装置结构主示意图。图5是本技术方形突起示意图。图6是本技术三角形突起示意图。图7是本技术椭圆形突起示意图。下面参照附图对本技术的实施方案作一详细描述本技术由行偏转装置2与帧偏转装置3组成，行偏转装置2为窄缝形磁极对5，在磁极对5之相对的表面上设有凹陷7，在磁极对5近枪面上设有突起6且突起6的宽度小于磁极对5的宽度，该突起6可以是圆弧形突起，也可...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于内偏转显示器件的自会聚内偏转装置，由行偏转装置(2)与帧偏转装置(3)组成，行偏转置(2)为窄缝形磁极对(5)，在磁极对(5)相对的表面上设有凹陷(7)，其特征在于在磁极对(5)近抢面上设有突起(6)，且突起(6)的宽度小于磁极(5)宽度。2.根据权利要求1所述的自会聚内偏转装置，其特征在于突起(6)为圆弧形凸起。3.根据权利要求2所述的自会聚内偏转装置，其特征在于圆弧形凸起的曲率半径(R1)为2毫米～50毫米，其宽度为2毫米～20毫米。4.根据权利要求3所述的自会聚内偏转装置，其特征在于圆弧形凸起的曲率...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪琛，汤勇明，尹涵春，李晓华，薛坤兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：
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