多磁极自会聚偏转装置制造方法及图纸

多磁极自会聚偏转装置由磁芯和线圈组成，磁芯采用带凹槽结构，行与帧偏转线圈均采用多段式结构，线圈放置在磁芯凹槽内，线圈可分成２～７段，磁芯的磁极为８～３６极，磁芯可采用整体式结构或分段式结构，具有偏转灵敏度高和自会聚性能好、安装方便、绕线简单等特点，可广泛用于高清晰度显像管和高分辨率显示管。（*该技术在2006年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是一种用于高清晰度显像管和高分辨率显示管的多磁极自会聚偏转装置，属于电子显示器件
对于目前发展较快的高清晰度电视和高分辨率显示器，需要有大的偏转角、高的分辨率，这就对现有的偏转系统提出了更高的要求。为了增大偏转角和提高显像管的分辨率，就要求有大的偏转电流和扫描频率，而偏转电流的增大和扫描频率的提高会产生线圈温度的增加、涡流加大、能量损耗的增大等不良影响。降低能量损耗的有效方法是提高偏转装置的偏转灵敏度和降低偏转电流。减小显像管的管径尺寸可以提高偏转灵敏度，但对于彩色显像管管径的减小量是有限的，管径减小需要相应减小电子枪尺寸，这样会使电子枪产生的像差加大，影响电子光学性能。采用带有凹槽磁芯的偏转装置有利于提高偏转灵敏度，这种偏转装置将导线绕在磁芯的凹槽内，磁芯的磁极间距离比普通磁芯的磁极间距离小，在同样的激励电流下就可以产生较强的磁场，从而提高偏转灵敏度。现有的带凹槽磁芯的偏转装置一般用于产生均匀场，由于行偏转场和帧偏转场采用相同的带凹槽的磁芯，故无法实现行与帧偏转场的偏转中心的分离，使梯勒麻(Trilemma)常数为零，偏转像差不能被完全校正，从而不能实现自会聚。本技术的目的在于针对现有技术的不足，提供一种能满足高清晰度电视和高分辨率显示器要求的多磁极自会聚偏转装置。本技术可由磁芯和线圈组成，其特点是磁芯采用带凹槽的结构，线圈的绕线放置在磁芯凹槽内，行偏转线圈和帧偏转线圈均采用多段式结构，从电子枪端到荧光屏端的线圈一般可分成2～7段，最佳为3～5段。行与帧偏转场在各段上所加的偏转二极场的激励比例不同，通过调整各段二极场激励比例，使行偏转场与帧偏转场的偏转中心分离，从而使梯勒麻(Trilemma)常数为零或较小值，应用多极场理论调整像差校正的高次多极的激励分布，实现带凹槽磁极偏转装置的自会聚。磁芯的磁极(凸起部分)可以为8～36极，最佳为12～20极。磁芯可以是分段式结构，即一个线圈或几个线圈绕在一段磁芯上，其他线圈根据需要分布在其他段磁芯上，各个线圈之间相互连接；也可以采用整体式结构，即所有线圈都绕在一个磁芯上，通过抽头将线圈分成几段；在分段式结构的磁芯中，各段磁芯的磁极数可以相同，也可以不同；各段磁芯之间可以有一定的距离，也可以将距离减小到零(即整体式结构)。行与帧偏转二极场的激励在各段上的比例可根据需要通过线圈绕线来调整。行与帧的偏转线圈可以同时放入磁芯的凹槽内，也可以将帧偏转线圈放入凹槽内，行偏转线圈位于极与玻壳之间，偏转线圈可以绕在磁极上，也可以嵌在凹槽内(定子绕法)，还可以绕在凹槽处的外壁上(环形绕法)。本技术与现有技术相比，具有偏转灵敏度高和自会聚性能好、安装方便、绕线简单等特点，可广泛用于外偏转或内偏转的高清晰度显像管和高分辨率显示管。附图说明图1为分段式磁芯结构的实施方案示意图；图2为带凹槽的多磁极磁芯结构示意图。本技术可采用附图所示的方案实现。一种3段式磁芯结构如图1所示，各段磁芯之间的距离可以取5～15mm。图2为20极磁芯的结构示意图，1为磁芯的外壁，2为磁芯的凹槽，3为磁极。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于高清晰度显像管和高分辨率显示管的多磁极自会聚偏转装置，由磁芯和线圈组成，其特征在于磁芯采用带凹槽的结构，线圈的绕线放置在磁芯的凹槽内，行偏转线圈和帧偏转线圈均采用多段式结构。

【技术特征摘要】
1.一种用于高清晰度显像管和高分辨率显示管的多磁极自会聚偏转装置，由磁芯和线圈组成，其特征在于磁芯采用带凹槽的结构，线圈的绕线放置在磁芯的凹槽内，行偏转线圈和帧偏转线圈均采用多段式结构。2.根据权利要求1所述的多磁极自会聚偏转装置，其特征在于从电子枪端到荧光屏端的线圈分成2～7段，最佳为3～5段。3.根据权利要求1或2所述的多磁极自会聚偏转装置，其特征在于磁芯的磁极为8～36极，最佳为12～20极。4.根据权利要求3所述的多磁极自会聚偏转装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓兵，尹涵春，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]