嵌套结构电离室制造技术

本实用新型专利技术涉及一种γ辐射的探测装置，具体为一种用于γ辐射探测的嵌套结构电离室。其结构包括置于屏蔽壳内的高压极和收集极，收集极上方设有收集连杆，收集连杆外套有绝缘子，其中，高压极的主体包围在收集极外部，高压极中间凸起部位置于收集极内，收集极的中部凸起置于高压极的中间凸起内，使高压极和收集极形成相互嵌套的结构。这种嵌套的结构使得电离室在测量范围的低端有足够大的输出电流，在测量范围的高端可以保证电离室的饱和度。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种Y辐射的探测装置，具体为一种用于Y辐射 探测的嵌套结构电离室。
技术介绍
电离室作为Y辐射的探测器，在测量电路能测量的输出电流下限 一定时，体积一定则电离室的测量下限及上限也基本确定，因为辐射 场低于电离室的测量下限时，电离室输出电流不能被测量电路有效测 量，或电离电流从绝缘子上泄漏以及绝缘子的泄漏电流大于电离电 流；电离室测量上限的确定是因为当辐射场足够强时，离子复合几率 提高，电离室两极对电离离子不能饱和吸收，就限制了电离室的测量 上限。目前扩大电离室测量范围的方法是测量下限的扩展可以对电 离室充高于1个大气压的工作气体，通过提高工作气体的密度来提高 光子电离工作气体分子的几率，从而延伸测量下限；测量上限可以通 过提高电极之间的场强以减小正负离子复合几率来提高，提高场强的 办法一般是提高收集电极与高压极之间的电压。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种结构合理、可靠性高的嵌套结构 电离室。本技术的技术方案如下 一种嵌套结构电离室，包括置于屏 蔽壳内的高压极和收集极，收集极上方设有收集连杆，收集连杆外套有绝缘子，其中，高压极的主体包围在收集极外部，高压极中间凸起 部位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种嵌套结构电离室，包括置于屏蔽壳（１）内的高压极（７、８）和收集极（１０），收集极（１０）上方设有收集连杆（４），收集连杆（４）外套有绝缘子（６），其特征在于：高压极（７、８）的主体包围在收集极（１０）外部，高压极中间凸起部位（１１）置于收集极（１０）内，收集极的中部凸起（１０）置于高压极的中间凸起（１１）内，使高压极和收集极形成相互嵌套的结构。

【技术特征摘要】
1.一种嵌套结构电离室，包括置于屏蔽壳(1)内的高压极(7、8)和收集极(10)，收集极(10)上方设有收集连杆(4)，收集连杆(4)外套有绝缘子(6)，其特征在于高压极(7、8)的主体包围在收集极(10)外部，高压极中间凸起部位(11)置于收集极(10)内，收集极的中部凸起(10)置于高压极的中间凸起(11)内，使高压极和收集极形...

【专利技术属性】
技术研发人员：靳根，钱仲敏，陈明焌，任智强，任伟，
申请(专利权)人：中国辐射防护研究院，
类型：实用新型
国别省市：14[中国|山西]