具有改善的几何和会聚特性的阴极射线管用偏转轭制造技术

一种安装在阴极射线管的管颈上的偏转轭，包括一对水平偏转线圈、一对垂直偏转线圈和一个铁磁性材料制成的磁心。在靠近该阴极射线管的显示屏端的前部区域中，磁心沿垂直方向具有比沿水平方向大的磁阻。在本发明专利技术的一个实施例中，这个特征是通过在磁心的喇叭形前部（２１）与水平对称面ＸＺ的交叉处形成凹口（２４）实现的。在本发明专利技术的另一实施例中，磁心的厚度（ｅ）是变化的。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于彩色阴极射线管的偏转轭。偏转轭包括一对垂直偏转线圈、一对鞍形的水平偏转线圈和一个铁磁性材料环，环围绕偏转线圈，以使偏转场集中在合适的区域中。用于产生彩色图象的阴极射线管通常包括一个电子枪，电子枪发射三个共面的电子束，每个电子束用于激发阴极射线管的显示屏上的规定基色(红、绿或蓝)的荧光粉。在偏转场的作用下，电子束扫描阴极射线管的显示屏，偏转场是由固定在阴极射线管的管颈上的偏转系统的水平和垂直偏转线圈产生的。由电子枪产生的三个电子束必须总是会聚在阴极射线管的显示屏上，否则会引起所谓的会聚误差，会聚误差尤其是会使色彩的再现失真。为了使三个共面电子束会聚，公知的方式是采用所谓的自会聚象散偏转场；在自会聚偏转线圈中，在面对阴极射线管的显示屏的一侧上，在此线圈的稍位于其前部的部分区域中，由水平偏转绕组产生的场强或通量线通常为枕形。另外，在均匀的水平和垂直偏转场的作用下，由电子束扫描的空间范围(volume)为锥形，其顶点与偏转系统的偏转中心重合，并且其与非球面形显示屏表面的交叉呈现被称为枕形畸变的几何缺陷。图象的这种几何畸变随着阴极射线管的显示屏的曲率半径的增大而增大。自会聚偏转系统产生象散的偏转场，它使得可以修正图象的南/北和东/西几何形状，并且尤其是部分地校正南/北枕形畸变。在没有诸如金属件或永磁体之类的附加组件的情况下，借助于构成偏转线圈的导体的特定结构，已经难以实现电子束的会聚和显示屏上的图象的南/北几何形状的校正而不用金属件或永磁体之类的组件。附加组件被设置用于产生偏转场的局部修正。这些附加组件可能是昂贵的，并且可能导致与工作频率有关的过热问题，尤其是当它们被用于修正水平偏转场时，因为目前的趋势是朝着将所述频率增大到32kHz或者甚至64kHz的方向发展。另外，这些图象几何形状和会聚问题与显示屏的平面度相关，并且随所述显示屏的曲率半径增大。几年前制造的常规阴极射线管采用球面形的显示屏，通常具有曲率半径R。当显示屏具有大于1R的较大曲率半径，例如1.5R或更大时，要想仅仅借助于由偏转线圈产生的合适的场解决上述的问题就变得极其困难。欧洲专利申请EP701267公开了一种控制由偏转系统在显示屏表面上产生的图象的南/北几何形状以及电子束的会聚的装置，该装置采用一个铁磁性材料的环或磁心使偏转场集中。磁心的最靠近阴极射线管的显示屏的部分是这样设置的最靠近垂直对称轴的区域具有比最靠近水平对称轴的区域大的磁阻。但是，这种结构可能需要采用一个附加的场整形器对缺陷进行局部校正。在用于彩色阴极射线管的偏转系统中，采用这样的磁心可能是所希望的，即，该磁心的几何形状使得可以校正会聚和几何误差，而不需要采用附加的场整形器。根据本专利技术的一个特征，一种偏转系统包括一对水平偏转线圈和一对垂直偏转线圈。一个近似截头圆锥形状的铁磁性磁心至少部分地设置在偏转线圈上。磁心具有垂直对称面YZ和水平对称面XZ。在其前部，磁心在水平对称面附近的磁阻比在垂直对称面附近的磁阻大。在附图中附图说明图1显示出一种装有已有技术的偏转轭的阴极射线管，此偏转轭用于使电子束偏转；图2显示出一种根据已有技术的由铁磁性材料制成的环或磁心；图3显示出根据已有技术的铁磁性环的另一实施例；图4为根据本专利技术的一种环的立体图；图5是根据本专利技术的另一实施例的一种环的立体图。如图1中所示，一种自会聚彩色显示装置包括一个阴极射线管(CRT)50，后者设有一个抽真空的玻壳6和一个由重现三种颜色的荧光粉单元组成的阵列，此阵列设置在玻壳的一端，形成显示屏9。三个一字排列式电子枪组成的电子枪组7设置在玻壳的第二端。电子枪组被设置成产生三个电子束12，这些电子束水平地排成一行，以激发对应的不同颜色的荧光粉单元。电子束借助于偏转轭1扫描显示屏的整个表面，偏转系统1设置在CRT 50的管颈8上。偏转系统1包括一对水平偏转线圈3、一对垂直偏转线圈4和一个铁磁性磁心10，水平偏转线圈和垂直偏转线圈由一个隔离件2隔离，磁心10用于使场集中在要施加作用的位置处。自会聚型CRT的常规偏转轭是借助于不均匀的偏转磁场使电子束会聚在CRT的屏板上的。在这种偏转系统中，水平偏转场具有枕形的强度分布，垂直偏转场具有桶形的强度分布。水平场的强度分布提供了对图象的南/北几何畸变的部分校正。但是，这种不均匀的场可能导致显示屏上的图象的水平边缘的所谓鸥翼形畸变。这种畸变归因于偏转场的级数展开的五阶或更高阶谐波分量。根据已有技术的一种偏转轭包括一个铁磁性材料的磁心或环，如图2中所示。这个环相对于Z轴总体上是对称的，并且具有一个内径为d的后部13。它具有一个喇叭形部分12，此部分端止于前表面11中，前表面11包含在一个垂直于Z轴的平面中。前部的内径为D。在垂直于其表面的截面中测量得到的环的厚度“e”基本上是不变的。根据图3中所示的一种已有技术，环或磁心可在其前部具有凹口14，这些凹口相对于XZ平面对称设置，并且处于与YZ平面的交叉处附近。这些凹口局部地改变了环的磁阻，并且改变了偏转场的磁力线分布。这种结构可以改善图象的南/北几何形状，并且使鸥翼畸变降至最小程度。它还可以改善电子束沿显示屏的X和Y轴的会聚状态。但是，在中间位置的会聚状态可能会严重变劣，尤其是在图象的角部。根据本专利技术的一个特征，为了使电子束偏转场集中，采用了一个图4中所示的例如铁磁性材料的环或磁心20。磁心20至少部分地置于偏转线圈上方。磁心20具有垂直对称面YZ和水平对称面XZ。在与水平对称面XZ的交叉处附近的磁心20的前部区域中，磁阻要比在与垂直对称面YZ的交叉处附近的磁心20的区域中大。一个处于与一个给定的对称面(水平或垂直对称面)的交叉处附近的区域被定义为由给定的对称面每侧的径向45°孔径角界定的区域。磁心20可以替代磁心10用于与图1的结构相似的结构中。图4所示的磁心20的前部区域靠近CRT 50的显示屏端设置。根据图4中所示的本专利技术的此实施例，环或磁心20是由一个具有基本不变的或均匀的厚度“e”的基体制成的，并且具有近似截头圆锥的形状。磁心20具有内径为D的前部21、内径为d的后部23和喇叭形部分22。为了形成一对半圆形凹口24，在环的前部与XZ平面的交叉处形成有一对切口，这对切口相对于YZ平面对称设置。切削平面25可以优选为平行于Z轴。按这种方式，沿环的前部与XZ平面的交叉处，环20的厚度从前述的值“e”逐渐变化为零，由此使得凹口24的区域中的磁阻值逐渐增大。对于改善会聚和几何参数而言，这种渐变可能要比从厚度“e”到零厚度的突变更好。与渐变相比，突变是由侧壁包含于垂直于Z轴的平面中的凹入切口引起的。另外，这种渐变可以根据希望实现的校正的程度而改变。为了达到这个目的，切削平面可以修改为与Z轴形成非零度角。下面的表1和2示出了从一个鞍形/鞍形类型的偏转轭获得的测量结果，这种偏转轭用于具有68cm的对角线尺寸和大于1.5R的曲率半径的显示屏的A68SF型CRT。此偏转轭包括由铁磁性材料制成的图4中所示的环或磁心20，它在Z轴方向上延伸50mm的长度。磁心20具有一个喇叭形部分22，其长度为38mm，后部内径“d”为50mm，前部内径D为105mm。表1给出了依次在以下三种状况下得到的几何和会聚参数的测量结果1.第一种状本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于阴极射线管的偏转轭，包括：一个水平偏转线圈，用于产生水平偏转场；一个垂直偏转线圈，用于产生垂直偏转场；和一个由磁性材料制成的磁心，它设置在至少一个所述偏转线圈附近至少一个所述偏转场的磁通量通路中，所述磁心在其第一部分中具 有比在其第二部分中大的磁阻，第一部分位于所述磁心的前部区域中并包括一个水平对称面，第二部分位于所述磁心的前部区域中并包括一个垂直对称面。

【技术特征摘要】
FR 1997-7-28 97/095551.一种用于阴极射线管的偏转轭，包括一个水平偏转线圈，用于产生水平偏转场；一个垂直偏转线圈，用于产生垂直偏转场；和一个由磁性材料制成的磁心，它设置在至少一个所述偏转线圈附近至少一个所述偏转场的磁通量通路中，所述磁心在其第一部分中具有比在其第二部分中大的磁阻，第一部分位于所述磁心的前部区域中并包括一个水平对称面，第二部分位于所述磁心的前部区域中并包括一个垂直对称面。2.根据权利要求1的偏转轭，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：N阿兹，O马森，
申请(专利权)人：汤姆森管及展示有限公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]