偏转线圈制造技术

本发明专利技术公开一种偏转线圈。这种偏转线圈不会使校正Ｈ漂移会聚误差的磁性片加大，可以对Ｈ漂移会聚误差有效地进行校正。水平偏转线圈２、２具有小口径侧的凸缘２Ａ、２Ａ。使画面水平方向的小口径侧凸缘２Ａ的宽度ｂ是画面垂直方向的小口径一侧凸缘２Ａ的高度ａ的２．０倍以上。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于在电视机及显示器装置等采用彩色显像管的图像显示装置中所使用的偏转线圈，特别是关于对鞍型水平偏转线圈进行改良的偏转线圈。在使用三枪一字排列型彩色显像管的图像显示装置中，使三个电子枪发射的三个电子束很好地集中(会聚)在屏面(画面)上的方法之一是采用自会聚方式的偏转线圈的方法。自会聚方式的偏转线圈一般由上下一对鞍型水平偏转线圈、及左右一对鞍型垂直偏转线圈构成，这是一种可得到良好会聚特性的结构。但是，一般批量生产的偏转线圈，由于水平偏转线圈及垂直偏转线圈特性的差异以及装配线圈时的位置偏差等原因，将产生会聚误差。从而，大多数偏转线圈是将磁性片安装在线圈的适当位置进行会聚调整，或通过校正电路对会聚进行校正。图5表示水平偏转磁场处于左右不平衡状态的图，图6表示在图5所示的状态时产生会聚误差图形的图。图5是从画面一侧看彩色显像管的颈部100断面的图，由圆圈包围的R、G、B表示R(红)、G(绿)、B(兰)电子束的断面，虚线表示磁场、×表示画面的水平方向。在图6中，R、B表示由R、B电子束画出的辉线。如图5(a)所示，水平偏转磁场的分布左右不平衡，即当对R电子束的磁场枕形失真强、而对B电子束的磁场枕形失真弱时，R电子束受到的磁场要比B电子束受到的磁场强，如图6(a)所示，在画面的水平方向两端上产生由实线表示的R辉线在由虚线表示的B辉线外侧的会聚误差。另外，如图5(b)所示，当对R电子束的磁场枕形失真弱，而对B电子束的磁场枕形失真强时，B电子束接受的磁场比R电子束的受到的磁场要强，如图6(b)所示，产生由虚线表示的B辉线在由实线表示的R辉线外侧的会聚误差。这些会聚误差称为H漂移会聚误差。在偏转线圈中，为了对这样的会聚误差进行校正，如图7所示，将磁性片6配置在水平偏转线圈2、2的小口径一侧(颈部)凸缘2A、2A的后方(电子枪一侧)。磁性片6并不是直接贴在小口径一侧凸缘2A、2A上。一般来说，磁性片6安装在隔板上。如图5(a)所示，当R电子束受到的磁场很强时，如图7所示将磁性片6配置在从小口径一侧看去的左侧、或从大口径一侧(画面一侧)凸缘2B一侧看去的右侧。这样，磁性片6通过小口径一侧凸缘2A产生的磁场磁化，结果在对H漂移会聚误差校正的方向产生磁场。利用图8再对磁性片6的作用进行说明。图8是从画面一侧看彩色显像管颈部100断面的图，由圆圈包围的R、G、B表示电子束的断面，虚线表示磁场，Y表示画面的垂直方向。例如向画面左侧偏转时，在水平偏转线圈2的小口径一侧凸缘2A中流过电流的方向为箭头21所示的方向。比小口径一侧凸缘2A更接近电子枪一侧配置的磁性片6通过在虚线22所示的范围内小口径一侧凸缘2A产生的磁场，在箭头23方向上磁化。结果，由磁性片6产生的磁场作用于抵消水平偏转线圈2的主偏转磁场方向，即，使右侧的磁场减弱，消除左右磁场的不平衡。这样，磁性片6被小口径一侧凸缘2A产生的Y方向磁场磁化，通过从该被磁化的磁性片6产生的磁场，使H漂移会聚误差被校正。但是，近些年来，随着显示器装置的画面越来越大，水平偏转线圈2的误差及装配水平偏转线圈2时的位置偏差对会聚特性影响的情况变得更大。另外为了使显示器装置节省功率，强烈要求降低对偏转线圈的偏转功率。为此，如特开平8-153477号公报中所记载的那样，有使水平偏转线圈2的小口径一侧凸缘2A小型化的倾向。这样，使磁性片6磁化的小口径一侧凸缘2A的磁场减小，并使H漂移会聚误差的校正效果减小。为此，为了使H漂移会聚误差的校正效果更大，只要加大磁性片6的尺寸即可。但是由于磁性片6一般使用对铁氧体进行加工的部件，所以当加大该尺寸时，会提高成本。另外，由于在偏转线圈隔板的小口径一侧凸缘上安装慧形像差校正线圈，以及在小口径一侧凸缘上设置的圆筒状的颈部上，为了使该颈部紧固在彩色显像管的颈部100上以固定偏转线圈，要安装紧固带等其他部件，所以加大了磁性片6的尺寸，从装配结构及装配位置的制约看必然受到限制。本专利技术是鉴于这些问题而提出的，其目的在于提供一种偏转线圈，不会使校正H漂移会聚误差的磁性片大型化，可以有效地校正H漂移会聚误差。本专利技术为了解决上述现有技术的问题而提供了一种偏转线圈，其安装在彩色显像管颈部(100)上，使上述颈部一侧为小口径，而使上述彩色显像管的画面一侧为大口径，在上述小口径一侧装有带凸缘的一对水平偏转线圈(2、2)，其特征在于使上述画面水平方向上的上述凸缘的宽度(b)是上述画面垂直方向的上述凸缘高度(a)的2.0倍以上。附图说明图1是在本专利技术的偏转线圈中采用的水平偏转线圈的一实施例的透视图。图2是表示本专利技术偏转线圈整体构成例的透视图。图3是为了说明在本专利技术偏转线圈中采用的水平偏转线圈的平面图。图4是为了说明在本专利技术偏转线圈中采用的水平偏转线圈的作用的图。图5是表示水平偏转磁场分布处于左右不平衡状态的图。图6是表示H漂移会聚误差图形的图。图7是表示在现有的偏转线圈中所采用的水平偏转线圈一例的透视图。图8是为了说明在现有的偏转线圈中所采用的水平偏转线圈作用的图。下面参照附图对本专利技术的偏转线圈进行说明。图1是表示在本专利技术偏转线圈中采用的水平偏转线圈的一实施例的透视图，图2是表示本专利技术的偏转线圈整体构成例的透视图，图3是为了说明在本专利技术的偏转线圈中采用的水平偏转线圈的平面图，图4是为了说明在本专利技术的偏转线圈中采用的水平偏转线圈的作用的图。首先，利用图2对本专利技术的偏转线圈整体构成例进行说明。图2中所示的构成例包括与本专利技术没有直接关系的构成。本专利技术的偏转线圈并不限于图2中所示的情况。在图2中，该偏转线圈例如通过对一对环状进行组合的隔板1，形成使一方(图中的上侧)为小口径部，而另一方(图中下侧)为大口径部的漏斗状。小口径部是彩色显像管的颈部一侧，大口径部是画面一侧。在该隔板1的内面上安装一对鞍型水平偏转线圈2、2，在外面安装一对鞍型垂直偏转线圈3、3，隔板1保持水平偏转线圈2、2和垂直偏转线圈3、3之间的电绝缘。在垂直偏转线圈3、3的外面安装由铁氧体等构成的铁心4。本专利技术在水平偏转线圈2的构成中具有特征。对于水平偏转线圈2的构成将在下面叙述。在本专利技术的偏转线圈中采用的水平偏转线圈2与图7中所示的现有技术的水平偏转线圈2形状不同，但是为了方便而标以相同标号。水平偏转线圈2具有小口径侧(颈部一侧)凸缘2A(参照图1)和大口径侧(画面一侧)凸缘2B。小口径侧凸缘2A装放在隔板1的小口径侧设置的装放部(图中未画出)中，大口径侧凸缘2B装放在大口径侧凸缘1b上。垂直偏转线圈3也具有小口径侧凸缘(图中未画出)和大口径侧凸缘3B。在这样构成的偏转线圈上通常需要对偏转特性进行校正的电路，装载这样的电路等的基板5安装在隔板1的侧面上。在隔板1的小口径侧设置有多片凸缘1a1、1a2、1a3构成的小口径侧凸缘1a。在小口径侧凸缘1a的最小口径侧的凸缘1a1上嵌装被称为一对4P线圈的4极校正线圈7。在最大口径侧的凸缘1a3上，为了将基板5安装在隔板1上而设置了整体形成的钩爪8。在基板5上形成孔5a，在该孔5a上锁合在凸缘1a3上设置的钩爪8。另一方面，在大口径侧凸缘1b上设置整体成形的一对板状的肋条9。基板5通过一对肋条9夹持其下端。这样，基板5通过在凸缘1a3上设置的钩爪8及肋条9，安装在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种偏转线圈，安装在彩色显像管颈部，使所述颈部一侧为小口径侧，而使所述彩色显像管的画面一侧为大口径侧，在所述小口径一侧装有带凸缘的一对水平偏转线圈，其特征在于： 使所述画面水平方向的所述凸缘的宽度是所述画面垂直方向的所述凸缘高度的２．０倍以上。

【技术特征摘要】
JP 2000-3-6 060013/2000;JP 2000-9-12 276124/20001．一种偏转线圈，安装在彩色显像管颈部，使所述颈部一侧为小口径侧，而使所述彩色显像管的画面...

【专利技术属性】
技术研发人员：野泽崇浩，浅山学，
申请(专利权)人：日本胜利株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]