线场发射显示器制造技术

技术编号:3158112 阅读:271 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种扁平平板式场发射显示器,其单元结构采用平面阴极结构,而不是传统的微尖结构,从而可提高集成度并且可以在低工作电压情况下以高速工作。根据该结构,在阴极的下面形成一槽绝缘体并且一栅极设置在槽绝缘体的下面。通过栅极电压可对由阴极的电子发射进行控制。采用该结构可简化制造工艺,并可以非常简便地实现电极间的间隔控制,因而此种显示器适用于从小屏幕到大屏幕显示的几乎所有视频系统。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种扁平平板式显示器,该显示器可以在真空隧道效应的基础上,在低压的情况下工作,因而可以实现长的工作寿命和均匀性。在世界上应用最为广泛的显示器是阴极射线管(CRT)。但目前由于日益要求图象的显现的屏幕更大并且更清晰,因而导致对平板式显示器的极大关注。传统的平板式显示器例如包括液晶显示器(LCD)、电荧光显示器(ELD)、场发射显示器(FED)、等离子显示板(PDP)、真空荧光显示器(VFD)、扁平平板式阴极射线管和发光二极管(LED)。在平板式显示器中,LCD最为流行,并且FED是目前由LCD制造厂家占有优势的平板式显示器市场上的一个强的竞争对手。通常LCD由单元结构构成,在每个单元结构中,将用磷涂敷的面端件与一配备有阴极发射器的背端件结合,并在两者之间具有预定的真空间隔。当将一范围由几百至几万伏的电位加在面端件和背端件上时,由电子发射器发射电子并且发射电子撞击磷覆层,发光。附图说明图1示出一种采用微尖型真空晶体管的传统的FED的一个象素的单元结构。如图所示,该传统的FED单元结构由一面板结构1和一背板结构2构成,面板结构1包括一面板3,在该面板下面设置一个透明的阳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双板型扁平线场发射显示器,由多个单元构成,每个单元包括:一面板结构,其中在透明的面板上形成一阳极并且用磷对该阳极涂敷;和一背板结构,其中在槽绝缘体上或下面形成一阴极和一栅极,背板在所述槽绝缘体下面,面板结构以如下方式在真空条件下 与背板连接,磷面向阴极,其中一低压加在栅极与阴极之间,以便由发射点向真空槽发射电子,在该发射点处阴极边缘与槽绝缘体触接,并且一高压加在阳极上,以便对发射的电子加速并最终使电子撞击磷,发光,所述发射的电子的数量受栅极与阴极间的电压控制,所述单元按图形排列,形成表示信息的一个象素。

【技术特征摘要】
KR 1999-3-17 8923/99;KR 1998-3-21 9816/981.一种双板型扁平线场发射显示器,由多个单元构成,每个单元包括一面板结构,其中在透明的面板上形成一阳极并且用磷对该阳极涂敷;和一背板结构,其中在槽绝缘体上或下面形成一阴极和一栅极,背板在所述槽绝缘体下面,面板结构以如下方式在真空条件下与背板连接,磷面向阴极,其中一低压加在栅极与阴极之间,以便由发射点向真空槽发射电子,在该发射点处阴极边缘与槽绝缘体触接,并且一高压加在阳极上,以便对发射的电子加速并最终使电子撞击磷,发光,所述发射的电子的数量受栅极与阴极间的电压控制,所述单元按图形排列,形成表示信息的一个象素。2.按照权利要求1所述的一种双板型扁平线场发射显示器,其特征在于,采用低逸出功材料对所述阴极向真空槽暴露的表面涂敷。3.按照权利要求1所述的一种双板型扁平线场发射显示器,其特征在于,低逸出功材料加在阴极与槽绝缘体之间。4.按照权利要求2或3所述的一种双板型扁平线场发射显示器,其特征在于,低逸出功材料加在栅极与槽绝缘体之间,以便降低偏离电压,该电压对加在栅极与阴极之间的电压起抵消作用。5.按照权利要求1至3中任一项所述的一种双板型扁平线场发射显示器,其特征在于,用绝缘保护膜和保护栅极以如下方式依次覆盖阴极,使保护栅极面向真空槽突出于阴极电子发射点,从而在槽绝缘体的上面形成一个间隔,以便对发射点进行保护,避免受到由阳极的高压的影响。6.按照权利要求4所述的一种双板型扁平线场发射显示器,其特征在于,用绝缘保护膜和保护栅极以如下方式依次覆盖阴极,使保护栅极面向真空槽突出于阴极电子发射点,从而在槽绝缘体的上面形成一个间隔,以便对发射点进行保护,避免受到阳极的高压的影响。7.一种集成型扁平线场发射显示器,由多个单元构成,每个单元包括一透明的面板;一在背板上形成的栅极;一在栅极上形成的槽绝缘体;一绝缘的阳极托件,该托件具有预定的宽度和厚度并在槽绝缘体上形成;一在阳极托件上形成的阳极;一涂敷在阳极上的磷;保护和极化栅极,以阳极为中心相对设置,所述栅极由导体构成,该导体具有一间隔结构并高于阳极;一具有一厚度的绝缘层,在保护和极化栅极与槽绝缘体间形成;和一阴极,该阴极位于阳极对面,在槽绝缘体上,槽绝缘体带有一保护和极化栅极,该栅极位于阴极和阳极之间,所述单元采用绝缘间隔壁相互绝缘,所述间隔壁高于保护和极化栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员:曹圭亨丁南声蔡均柳泰夏弘钟运柳承卓金荣基
申请(专利权)人:韩国科学技术院
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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