一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜制造技术

技术编号:31578624 阅读:9 留言:0更新日期:2021-12-25 11:21
本发明专利技术公开了一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜,包括:导电薄膜本体和基材,所述导电薄膜本体包括底膜层、银膜层和保护层,所述银膜层设置在所述底膜层上,所述保护层设置在所述银膜层上。本发明专利技术提供了一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜,该抗氧化的低方阻透明导电薄膜包括导电薄膜本体和基材,该导电薄膜本体采用复合膜层结构,包括底膜层、银膜层和保护层,银膜层通过粘胶层固定在底膜层上,保护层通过粘胶层固定在银膜层上,通过上述银膜层和保护层的设计,使得该导电薄膜本体具有低方阻高透明度、不龟裂、抗手印氧化、耐候性能好等优点。耐候性能好等优点。耐候性能好等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜


[0001]本专利技术涉及导电薄膜
,更具体地说,本专利技术涉及一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜。

技术介绍

[0002]近年来,透明氧化物导电薄膜,如ITO、AZO、IZO、FTO、ATO等广泛应用于光电器件中,如大尺寸触摸屏、透明电热膜、透明电磁屏蔽、电致变色器件、太阳能电池、有机发光二极管和薄膜晶体管等。
[0003]常规用于透明导电膜一般是在PET、PC或PI等柔性基材表面,采用磁控溅射的方式镀ITO(氧化铟锡)薄膜镀层的方案,该方案的缺点是很难做到方阻低于20欧姆/口以下(尤其做不到10欧姆/口以下),其弯曲时镀层易龟裂且透光率较低。因此,有必要提出一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜,以至少部分地解决现有技术中存在的问题。

技术实现思路

[0004]在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
[0005]为至少部分地解决上述问题,本专利技术提供了一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜,包括:导电薄膜本体和基材,所述导电薄膜本体设置在基材上,所述导电薄膜本体包括底膜层、银膜层和保护层,所述银膜层设置在所述底膜层上,所述保护层设置在所述银膜层上。
[0006]根据本专利技术实施例的抗氧化的低方阻透明导电薄膜,所述底膜层11的厚度为10

100nm,所述银膜层12的厚度1

20nm,所述保护层13的厚度为50

200nm。
[0007]根据本专利技术实施例的抗氧化的低方阻透明导电薄膜,还包括:两个离型复合层,其中一个所述离型复合层设置在所述导电薄膜本体的顶部,另一个所述离型复合层设置在所述基材的底部,所述离型复合层包括耐磨复合层和防水层,所述防水层通过粘胶层与银膜层连接,所述耐磨复合层设置在所述防水层的上方,所述耐磨复合层包括第一耐磨层、第二耐磨层和第三耐磨层,所述第三耐磨层与所述防水层的表面相互接触,所述第一耐磨层、第二耐磨层依次设置第三耐磨层的上方。
[0008]根据本专利技术实施例的抗氧化的低方阻透明导电薄膜,上方所述离型复合层上设置有多个卡凸体,下方的所述离型复合层上设置有多个卡凹体,所述卡凸体与所述卡凹体相对应。
[0009]根据本专利技术实施例的抗氧化的低方阻透明导电薄膜,所述底膜层、银膜层之间设置有透明绝缘氧化物层、第一抗氧化层,所述银膜层与保护层之间设置有第二抗氧化层、透明导电氧化物层。
[0010]根据本专利技术实施例的抗氧化的低方阻透明导电薄膜,还包括:承载座,所述承载座上设置有承载槽,所述导电薄膜本体设置在所述承载槽内,并且所述导电薄膜本体的两端
设置有第一挡板,所述承载座的端部设置有内过孔,所述内过孔内设置有卡接部,所述卡接部抵顶所述第一挡板。
[0011]根据本专利技术实施例的抗氧化的低方阻透明导电薄膜,所述承载座的端部上设置有两个U型槽,所述U型槽内设置有防摔机构,所述防摔机构包括U型防摔管组、顶端机构、多个内撑机构,所述U型防摔管组包括由外至内依次设置的第一U型防摔管、内气囊管、第二U型防摔管以及U型芯杆,所述顶端机构设置在所述U型防摔管组的端部,多个所述内撑机构均布在所述U型防摔管组内并抵顶所述U型芯杆,所述第二U型防摔管的内壁上设置有多个第一内槽,所述内撑机构包括内撑块、外伸管、外延内杆以及内撑板,所述内撑块设置在所述第一内槽内,并且所述外伸管的内端穿过所述第一内槽的槽口与所述内撑块连接,所述内撑块与外伸管之间为容纳舱,所述容纳舱内设置有第一弹簧,所述外延内杆的内端穿过所述外伸管的外端并连接有第二挡板,所述第二挡板位于所述外伸管内,所述第一弹簧抵顶第二挡板,所述外延内杆的外端设置有滚珠槽,所述滚珠槽内设置有滚珠体,所述内撑板与所述滚珠体连接,并且所述内撑板远离所述滚珠体的表面设置有多个内撑凸起条,并且所述外伸管外伸管的外端设置有第三挡板。
[0012]根据本专利技术实施例的抗氧化的低方阻透明导电薄膜,所述顶端机构包括顶端套、多个第二弹簧以及内卡环板,所述顶端套设置在所述第一U型防摔管、第二U型防摔管的端部,所述顶端套内具有内滑环槽,所述内卡环板设置在所述内滑环槽内,并且多个所述第二弹簧均布在所述内卡环板与所述内滑环槽之间,所述U型槽的端部设置有插接至所述顶端套内的插杆,所述插杆与所述内卡环板连接。
[0013]根据本专利技术实施例的抗氧化的低方阻透明导电薄膜,所述顶端套靠近所述内气囊管的一侧设置有条形孔,所述内卡环板上设置有内伸插板,所述内气囊管的端部设置有与所述内伸插板对应的插槽,所述内伸插板穿过所述条形孔并插接至所述插槽内。
[0014]根据本专利技术实施例的抗氧化的低方阻透明导电薄膜,所述内气囊管的内表面设置有多个三角块,所述三角块与所述第一内槽对应,并且所述内撑块上设置有楔形缺口,使得所述三角块插接所述楔形缺口内抵顶所述内撑块的楔形壁。
[0015]相比现有技术,本专利技术至少包括以下有益效果:
[0016]本专利技术提供了一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜,该抗氧化的低方阻透明导电薄膜包括导电薄膜本体和基材,该导电薄膜本体采用复合膜层结构,包括底膜层、银膜层和保护层,银膜层通过粘胶层固定在底膜层上,保护层通过粘胶层固定在银膜层上,通过上述银膜层和保护层的设计,使得该导电薄膜本体具有低方阻高透明度、不龟裂、抗手印氧化、耐候性能好等优点。
[0017]本专利技术所述的抗氧化的低方阻透明导电薄膜,本专利技术的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现,部分还将通过对本专利技术的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
附图说明
[0018]附图用来提供对本专利技术的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术,并不构成对本专利技术的限制。在附图中:
[0019]图1为本专利技术的结构示意图。
[0020]图2为本专利技术中离型复合层的结构示意图。
[0021]图3为本专利技术中的另一结构示意图。
[0022]图4为本专利技术中承载座的结构示意图。
[0023]图5为本专利技术中承载座的结构俯视图。
[0024]图6为本专利技术中防摔机构的内部截面示意图。
[0025]图7为本专利技术中U型防摔管组的部分结构示意图。
[0026]图8为本专利技术中内撑机构的部分结构示意图。
[0027]图9为本专利技术图8中A部分的放大结构示意图。
[0028]图10为本专利技术中顶端机构的结构示意图。
[0029]图11为本专利技术图10中B部分的放大结构示意图。
[0030]图12为本专利技术中条形孔的结构示意图。
具体实施方式
[0031]下面结合附图以及实施例对本专利技术做进一步的详细说明,以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
[0032]应当理解,本文所使用的诸如“具有”、“包含”以本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜,其特征在于,包括:导电薄膜本体(1)和基材(10),所述导电薄膜本体(1)设置在基材(10)上,所述导电薄膜本体(1)包括底膜层(11)、银膜层(12)和保护层(13),所述银膜层(12)设置在所述底膜层(11)上,所述保护层(13)设置在所述银膜层(12)上。2.根据权利要求1所述的抗氧化的低方阻透明导电薄膜,其特征在于,所述底膜层(11)的厚度为10

100nm,所述银膜层(12)的厚度1

20nm,所述保护层(13)的厚度为50

200nm。3.根据权利要求1所述的抗氧化的低方阻透明导电薄膜,其特征在于,还包括:两个离型复合层,其中一个所述离型复合层设置在所述导电薄膜本体(1)的顶部,另一个所述离型复合层设置在所述基材(10)的底部,所述离型复合层包括耐磨复合层(21)和防水层(22),所述防水层(22)通过粘胶层与银膜层(12)连接,所述耐磨复合层(21)设置在所述防水层(22)的上方,所述耐磨复合层(21)包括第一耐磨层(211)、第二耐磨层(212)和第三耐磨层(213),所述第三耐磨层(213)与所述防水层(22)的表面相互接触,所述第一耐磨层(211)、第二耐磨层(212)依次设置第三耐磨层(213)的上方。4.根据权利要求3所述的抗氧化的低方阻透明导电薄膜,其特征在于,上方所述离型复合层上设置有多个卡凸体(23),下方的所述离型复合层上设置有多个卡凹体(24),所述卡凸体(23)与所述卡凹体(24)相对应。5.根据权利要求1所述的抗氧化的低方阻透明导电薄膜,其特征在于,所述底膜层(11)、银膜层(12)之间设置有透明绝缘氧化物层(14)、第一抗氧化层(15),所述银膜层(12)与保护层(13)之间设置有第二抗氧化层(16)、透明导电氧化物层(17)。6.根据权利要求1所述的抗氧化的低方阻透明导电薄膜,其特征在于,还包括:承载座(3),所述承载座(3)上设置有承载槽(301),所述导电薄膜本体(1)设置在所述承载槽(301)内,并且所述导电薄膜本体(1)的两端设置有第一挡板(302),所述承载座(3)的端部设置有内过孔(303),所述内过孔(303)内设置有卡接部(304),所述卡接部(304)抵顶所述第一挡板(302)。7.根据权利要求6所述的抗氧化的低方阻透明导电薄膜,其特征在于,所述承载座(3)的端部上设置有两个U型槽(306),所述U型槽(306)内设置有防摔机构(4),所述防摔机构(4)包括U型防摔管组(41)、顶端机构(42)、多个内撑机构(43),所述U型防摔管组(41)包括由外至内依次设置的第一U型防摔管(411)、内气囊管(412)、第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭铜安
申请(专利权)人:深圳市玮柔光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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