超导-半导体纳米线异质结及其制备方法和包含其的器件技术

本发明专利技术涉及异质结技术领域，具体而言，涉及一种超导

【技术实现步骤摘要】
超导
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半导体纳米线异质结及其制备方法和包含其的器件


[0001]本专利技术涉及异质结
，具体而言，涉及一种超导
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半导体纳米线异质结及其制备方法和包含其的器件。

技术介绍

[0002]拓扑量子计算方案利用凝聚态体系中的非阿贝尔任意子“马约拉纳零模”(MZM
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Majorana zero mode)进行编码，可以有效抵抗局域扰动，从而解决量子退相干与纠错的问题，具有内在的容错性。“超导
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半导体纳米线”混合体系是一种可以实现拓扑量子计算的理想材料体系，具有易于通过电学手段进行调控、易集成等优势。研究者通常认为“超导
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半导体纳米线”一维异质结中存在遵循非阿贝尔统计的“马约拉纳零模”，是一种可以实现拓扑量子计算的理想材料体系。“超导
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半导体纳米线”异质结构需要在一段半导体纳米线上的覆盖超导材料，在极低温下通过强磁场及电场调控，纳米线表面被超导材料覆盖的区域会变成拓扑超导区，其末端可以探测到“马约拉纳零模”，这是拓扑量子比特的基础载体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超导
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半导体纳米线异质结，其特征在于，包括：衬底，以及生长在所述衬底上的半导体纳米线和超导体层，所述超导体层至少一部分与所述半导体纳米线直接接触；其中，所述半导体纳米线的材料为化合物半导体PbTe，所述超导体层的材料为元素超导体Pb，所述衬底的材料为化合物半导体CdTe。2.根据权利要求1所述的超导
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半导体纳米线异质结的制备方法，其特征在于，所述半导体纳米线长为3μm～5μm，宽为0.05μm～0.3μm。3.根据权利要求1所述的超导
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半导体纳米线异质结的制备方法，其特征在于，所述半导体纳米线平行于所述衬底表面。4.根据权利要求1所述的超导
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半导体纳米线异质结的制备方法，其特征在于，所述半导体纳米线上部分覆盖所述超导体层。5.根据权利要求4所述的超导
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半导体纳米线异质结的制备方法，其特征在于，所述半导体纳米线的一端有1/3～2/3的长度被所述超导体层覆盖。6.根据权利要求4所述的超导
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半导体纳米线异质结的制备方法，其特征在于，所述半导体纳米线两端被超导覆盖，中间留有100nm～300nm的区域未被所述超导体层覆盖。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：何珂，张浩，冯硝，姜钰莹，苗文韬，宋文玉，曹霑，杨帅，李琳，仝冰冰，臧运祎，耿祖汗，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：