二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器以及制备方法技术

本申请涉及一种二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器以及制备方法。反馈线圈与输入线圈均绝缘设置于第一环路电极(SQUID环路的一部分)表面，形成了上下重叠耦合结构，使得输入线圈与SQUID环路的耦合更加匹配，增大了耦合系数。第一环路电极、第二环路电极、第三环路电极、第四环路电极、第一约瑟夫森结结构、第二约瑟夫森结结构之间并联连接，形成了二阶梯度并联电感结构的SQUID环路，可有效抵消外界磁场干扰。因此，通过二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器，重叠耦合结构耦合系数大，有利于减弱外界磁场干扰，有利于输入线圈与SQUID环路的耦合匹配。耦合匹配。耦合匹配。

【技术实现步骤摘要】
二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器以及制备方法


[0001]本申请涉及电子
，特别是涉及一种二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器以及制备方法。

技术介绍

[0002]超导量子干涉仪(SQUID)可用于超导转变边缘探测器(TES)、磁性金属微量能器(MMC)等低噪声探测器的信号读出。TES探测器在宇宙天文学、高能物理、量子信息、光子计量等领域具有广泛应用，可以作为探测毫米波的辐射热计，也可以作为探测X射线的微量能器，还可以作为探测可见光的单光子探测器。所有不同类型、不同波段的TES探测器的信号读出都需要SQUID电流传感器。
[0003]然而，SQUID电流传感器在工作时极易受到外界磁场的干扰，而且通常与TES探测器一起工作在无磁屏蔽或磁屏蔽效果并不好的环境中。传统的SQUID电流传感器，采用SQUID环路与输入线圈、反馈线圈交叉耦合的结构，导致耦合系数较小，输入线圈电感较大在nH～μH量级，不利于输入线圈与SQUID环路的耦合匹配。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述问题，提供一种二阶梯度重叠耦本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器，其特征在于，包括：第一环路电极；输入环路，设置于所述第一环路电极表面，所述输入环路与所述第一环路电极之间绝缘设置；所述输入环路用于输入超导转变边缘探测器信号；以及反馈线圈，与所述输入环路间隔设置于所述第一环路电极的表面，所述反馈线圈与所述第一环路电极绝缘设置，所述反馈线圈用于磁通锁定。2.根据权利要求1所述的二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器，其特征在于，所述二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器还包括第二环路电极、第三环路电极以及第四环路电极，所述第一环路电极、所述第二环路电极、所述第三环路电极以及所述第四环路电极沿顺时针方向依次设置；所述第二环路电极相对于所述第一环路电极旋转90
°
；所述第三环路电极相对于所述第一环路电极旋转180
°
；所述第四环路电极相对于所述第一环路电极旋转270
°
。3.根据权利要求2所述的二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器，其特征在于，所述第一环路电极的第一端与所述第二环路电极的第一端通过第一连接结构连接；所述第一环路电极的第二端与所述第二环路电极的第二端通过第二连接结构连接；所述第三环路电极的第一端与所述第四环路电极的第一端通过第三连接结构连接；所述第三环路电极的第二端与所述第四环路电极的第二端通过第四连接结构连接。4.根据权利要求3所述的二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器，其特征在于，所述二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器包括：第一约瑟夫森结结构，通过第五连接结构分别与所述第一连接结构和所述第四连接结构连接；第二约瑟夫森结结构通过第六连接结构分别与所述第二连接结构和所述第三连接结构连接。5.根据权利要求4所述的二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器，其特征在于，所述第一约瑟夫森结结构与所述第二约瑟夫森结结构间隔设置于所述第一环路电极、所述第二环路电极、所述第三环路电极以及所述第四环路电极形成的几何中心位置。6.根据权利要求2所述的二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器，其特征在于，所述反馈线圈靠近所述第一环路电极远离对称点的边缘设置；所述反馈线圈靠近所...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐达，李劲劲，钟青，王雪深，
申请(专利权)人：中国计量科学研究院，
类型：发明
国别省市：