【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种根据权利要求1的前序用来探测电离辐射的探测器,涉及一种根据根据权利要求25的前序用在平面束射线照相中的设备,及涉及一种根据根据权利要求29的前序用来检测电离辐射的方法。上述种类的一种探测器和一种设备在共同待决PCT申请PCT/SE98/01873中描述,该申请通过参考包括在这里。在参考资料中描述的探测器包括一个气体平行板雪崩腔室。该探测器提供良好的分辨率、较高的X射线探测效率、及计数吸收在探测器中的每个光子的可能性。当处理诸如能量探测之类的探测信号、从一定能量范围中的光子或从在离阳极或阴极一定距离范围处入射的光子分辨探测信号时,这进一步给出大量可能性。当在平面束X射线照相,例如缝隙或扫描射线照相,中使用这种类型的探测器时,实现一种提供要成象的物体仅需要用低剂量X射线光子照射的设备,同时得到高质量的图象。在本专利技术分领域的上述种类的另一种探测器和设备公开在EP-A1-0810 631中。对于气体平行板雪崩腔室,已经认为必要的是,雪崩阳极和阴极板是平行的,并且已经进行较大努力以在板之间实现高平行度。然而,关键在于,其中电子经受雪崩放大的距离,即电子雪崩的长度,在气体平行板雪崩腔室中的不同位置处没有差别。其原因于在于,放大强烈取地决于从开始点至雪崩结束点的距离。然而,雪崩阳极和阴极在它们延伸的平面中与它们之间的距离相比具有较大尺寸。因此,得到这些距离或间隙的足够均匀性一直是非常复杂的,并且是高成本的。本专利技术的一个主要目的在于,提供一种用来探测电离辐射的探测器,该探测器采用雪崩放大,提供良好定义的雪崩,及能以简单和成本有效的方式制造。 ...
【技术保护点】
一种用于电离辐射的探测的探测器,包括: 一个腔室,填充有一种电离气体, 第一和第二电极装置,提供在所述腔室中,在它们之间有一个空间,所述空间包括一个转换和漂移体积, 用于电子雪崩放大的装置,布置在所述腔室中,及 至少一个读出元件装置,用于探测电子雪崩, 该探测器的特征在于: 提供一个辐射进口,从而辐射进入在第一与第二电极装置之间的转换和漂移体积, 用于电子雪崩放大的装置包括至少一个雪崩阴极和至少一个雪崩阳极,在它们之间施加一个电压以便生成用于雪崩放大的至少一个电场,及 用于电子雪崩放大的所述装置包括多个雪崩区域。
【技术特征摘要】
SE 1999-4-14 9901325-21.一种用于电离辐射的探测的探测器,包括一个腔室,填充有一种电离气体,第一和第二电极装置,提供在所述腔室中,在它们之间有一个空间,所述空间包括一个转换和漂移体积,用于电子雪崩放大的装置,布置在所述腔室中,及至少一个读出元件装置,用于探测电子雪崩,该探测器的特征在于提供一个辐射进口,从而辐射进入在第一与第二电极装置之间的转换和漂移体积,用于电子雪崩放大的装置包括至少一个雪崩阴极和至少一个雪崩阳极,在它们之间施加一个电压以便生成用于雪崩放大的至少一个电场,及用于电子雪崩放大的所述装置包括多个雪崩区域。2.根据权利要求1所述的探测器,其中用于电子雪崩放大的装置包括场集中装置。3.根据权利要求2所述的探测器,其中所述场集中装置包括提供有开口或孔的雪崩阴极。4.根据权利要求1-3任一项所述的探测器,其中一个介电基片的一个表面在所述至少一个雪崩阴极与所述至少一个雪崩阳极之间形成用于局部雪崩放大的一个区域的至少一个限制表面。5.根据权利要求1-4任一项所述的探测器,其中所述至少一个雪崩阴极和所述至少一个雪崩阳极形成在一个介电基片的一个第一侧,使一个隔离层在所述至少一个雪崩阴极与所述至少一个雪崩阳极之间,所述隔离层形成用于局部雪崩放大的区域的限制表面。6.根据权利要求1-5任一项所述的探测器,其中所述至少一个雪崩阴极和所述至少一个雪崩阳极包括导电带条。7.根据权利要求5或6所述的探测器,其中多个雪崩阴极和阳极交替地提供在所述基片上。8.根据权利要求7所述的探测器,其中所述雪崩阴极和所述雪崩阳极包括带有基本上与入射辐射平行的纵向边缘的导电带条。9.根据权利要求4或5所述的探测器,其中所述至少一个雪崩阴极形成在所述介电基片的一个第一侧,而所述至少一个雪崩阳极形成在所述介电基片的一个第二侧,至少一个通道布置在所述至少一个雪崩阴极和所述介电基片中,并且所述至少一个雪崩阳极形成所述至少一个通道的一个壁。10.根据权利要求4或5所述的探测器,其中所述至少一个雪崩阴极形成在所述介电基片的一个第一侧,而所述至少一个雪崩阳极形成在所述介电基片的一个第二侧,至少一个通道布置在所述至少一个雪崩阴极、所述介电基片、及所述至少一个雪崩阳极中。11.根据权利要求9或10所述的探测器,其中所述至少一个通道具有一个基本圆形的横截面。12.根据权利要求9或10所述的探测器,其中所述至少一个通道具有一个基本方形的横截面,并且在介电基片的两个相对边缘之间延伸。13.根据任何以上权利要求所述的探测器,其中读出元件包括带有与入射辐射平行的纵向边缘的细长带条。14.根据权利要求1-12任一项所述的探测器,其中读出元件包括带有与入射辐射垂直的纵向边缘的细长带条。15.根据任何以上权利要求所述的探测器,其中第一电极装置是一个漂移阴极,第二电极装置是一个漂移阳极,读出元件布置在漂移阳极与雪崩阳极之间。16.根据权利要求1-14之一所述的探测器,其中第一电极装置是一个漂移阴极,第二电极装置是一个漂移阳极,漂移阳极...
【专利技术属性】
技术研发人员:汤姆弗兰克,弗拉蒂米尔帕斯科夫,
申请(专利权)人:埃克斯康特尔股份公司,
类型:发明
国别省市:SE[瑞典]
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