一种大气压下激光解析VUV灯后电离成像装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及激光熔融电离技术领域，特别涉及一种大气压下激光解析VUV灯后电离成像装置。包括：激光光路系统、成像系统及电离源系统，激光光路系统通过激光对样品表面进行解析产生样品分子；成像系统，对激光解析位点进行成像；电离源系统，通过紫外线光电离由激光光路系统解析的样品分子。本发明专利技术采用激光实现样品的解析，并用VUV灯后电离样品分子，SPI软电离源降低谱图复杂性，同时通过成像系统在线监测解析位点，实现三维成像分析；该电离源具有常压操作简便、软电离、可视化的特点，适合固态/液态样品的成像分析。态/液态样品的成像分析。态/液态样品的成像分析。

【技术实现步骤摘要】
一种大气压下激光解析VUV灯后电离成像装置


[0001]本专利技术涉及激光熔融电离
，特别涉及一种大气压下激光解析VUV灯后电离成像装置。

技术介绍

[0002]激光熔融电离技术可以直接分析测量固态/液态样品，具有方便、灵敏的优点，特别适用于表面元素分析和成像。激光熔融电离质谱的原理都是利用高功率激光气熔融表面产生的等离子体，通过分析检测等离子体中的离子质荷比获得化学信息。目前，一般都采用直接激光解析电离的方式进行固态/液态样品表面元素分析和成像，但是采用直接激光解析电离的方式，电离碎片较多，且灵敏度依赖激光功率和样品分子的种类，其功耗高，寿命短，由于谱图比较复杂，且分子离子峰往往较弱，难以对复杂样品进行鉴别。

技术实现思路

[0003]针对上述问题，本专利技术的目的在于提供一种大气压下激光解析VUV灯后电离成像装置。该装置采用激光实现样品的解析，并用VUV灯(真空紫外线灯)后电离样品分子，SPI软电离源降低谱图复杂性，同时通过成像系统在线监测解析位点，实现三维成像分析。该电离源具有常压操作简便、软电离、可视化的特点，适合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大气压下激光解析VUV灯后电离成像装置，其特征在于，包括：激光光路系统，通过激光对样品表面进行解析产生样品分子；成像系统，对激光解析位点进行成像；电离源系统，通过紫外线光电离由激光光路系统解析的样品分子。2.根据权利要求1所述的大气压下激光解析VUV灯后电离成像装置，其特征在于，所述电离源系统包括三维位移平台(9)、样品靶台(10)、侧置VUV灯(11)、前置VUV灯(12)及毛细管(14)，其中样品靶台(10)固定于三维位移平台(9)上；前置VUV灯(12)、侧置VUV灯(11)及毛细管(14)均设置于样品靶台(10)的上方，且前置VUV灯(12)和毛细管(14)相对设置于样品靶台(10)的两侧。3.根据权利要求2所述的大气压下激光解析VUV灯后电离成像装置，其特征在于，所述前置VUV灯(12)的前端设有导流管(13)，所述导流管(13)的侧壁上设有载气入口(15)；所述导流管(13)和所述毛细管(14)同轴设置。4.根据权利要求2所述的大气压下激光解析VUV灯后电离成像装置，其特征在于，所述毛细管(14)采用金属管，且通过加热陶瓷片加热，所述毛细管(14)的外侧端与质谱连接。5.根据权利要求2所述的大气压下激光解析VUV灯后电离成像装置，其特征在于，所述激光光路系统包括沿光路依次设置的激光器(1)、扩束镜(2)、三角棱镜(3)、聚焦透镜(4)和反射镜(5)；激光器(1)发...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海洋，曹艺雪，陈平，文宇轩，陈懿，
申请(专利权)人：中国科学院大连化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：