一种带自检的消谐电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带自检的消谐电路，主要内容为：包括压敏电阻RV1、电压变换器TV1、双向可控硅Q1、双向可控硅Q2、可控硅驱动光耦U1、可控硅驱动光耦U2、固态继电器U3、固态继电器U4、固态继电器U5、固态继电器U6、光耦U7、光耦U8、二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R10、阻尼电阻R3、电容C1和电容C2。本实用新型专利技术既实现了消谐阻尼电阻的投入和退出控制，又实现了对阻尼回路的在线检查，不仅提高了抗干扰能力，同时兼顾快速性和长寿命，从而进一步提高了微机二次消谐装置的可靠型。机二次消谐装置的可靠型。机二次消谐装置的可靠型。

A harmonic elimination circuit with self checking

【技术实现步骤摘要】
一种带自检的消谐电路


[0001]本技术涉及消除电力系统铁磁谐振
，具体地说，特别涉及一种带自检的消谐电路。

技术介绍

[0002]采用电磁式电压互感器的中性点非直接接地的电力系统发生的铁磁谐振现象，会引起设备过电压和过热等，从而导致设备损坏，造成恶性安全事故，因此需要安装消谐装置。微机二次消谐装置因可识别谐振与接地、可控制电阻投入时刻、可记录动作情况、动作快速等优点而被使用。微机二次消谐装置采用在电压互感器开口三角形绕组串入阻尼电阻来消除铁磁谐振，目前微机二次消谐装置没有在运行中对阻尼电阻回路进行检查，一旦阻尼电阻及其回路因焊接不良或在消谐过程中被烧断，将造成消谐失效。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，公开了一种带自检的消谐电路，其既实现了消谐阻尼电阻的投入和退出控制，又实现了对阻尼回路，包括阻尼电阻及双向可控硅的在线自检，避免了因阻尼电阻及其回路故障导致的消谐失效，同时在电路上使用可控硅、可控硅驱动光耦、固态继电器及光耦器件进行电气隔离，不仅提高了抗干扰能力，同时兼顾快速性和长寿命，从而进一步提高了微机二次消谐装置的可靠型。
[0004]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种带自检的消谐电路，包括压敏电阻RV1、电压变换器TV1、双向可控硅Q1、双向可控硅Q2、可控硅驱动光耦U1、可控硅驱动光耦U2、固态继电器U3、固态继电器U4、固态继电器U5、固态继电器U6、光耦U7、光耦U8、二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R10、阻尼电阻R3、电容C1和电容C2，所述压敏电阻RV1上端、电压变换器TV1的引脚1、双向可控硅Q2的引脚2、固态继电器U6的引脚4、电阻R7上端和电容C2右端都与输入端子U0连接，所述压敏电阻RV1下端、电压变换器TV1的引脚2、双向可控硅Q1的引脚1、固态继电器U3的引脚3、电阻R1左端和电阻R4上端都与输入端子Un连接，所述可控硅驱动光耦U1的引脚6与电阻R4下端连接，所述电阻R1右端与电容C1左端连接，所述电容C1右端、双向可控硅Q1的引脚2、电阻R5上端和阻尼电阻R3左端都与固态继电器U5的引脚3连接，所述双向可控硅Q1的引脚3和电阻R5下端都与可控硅驱动光耦U1的引脚4连接，所述阻尼电阻R3右端、固态继电器U4的引脚4、电阻R2左端和电阻R6上端都与双向可控硅Q2的引脚1连接，所述电阻R6下端与可控硅驱动光耦U2的引脚6连接，所述电阻R2右端与电容C2左端连接，所述双向可控硅Q2的引脚3和电阻R7下端都与可控硅驱动光耦U2的引脚4连接，所述固态继电器U3的引脚2和固态继电器U4的引脚1连接，所述固态继电器U4的引脚3与电阻R8左端连接，所述电阻R8右端和二极管D1输出端都与光耦U7的引脚1连接，所述固态继电器U5的引脚2和固态继电器U6的引脚1连接，所述固态继电器U6的引脚3与电阻R10左端连接，所述电阻R10右端和二极管D2输出端都与光耦U8的引脚1连接。
[0005]作为本技术的一种优选实施方式，所述电压变换器TV1副边引脚3和引脚4与A/D转换器的采集回路连接。
[0006]作为本技术的一种优选实施方式，所述固态继电器U3的引脚4和固态继电器U5的引脚4都与电源引脚V+连接。
[0007]作为本技术的一种优选实施方式，所述二极管D1输入端、光耦U7的引脚2、二极管D2输入端和光耦U8的引脚2都与电源引脚V
‑
连接。
[0008]本技术在阻尼电阻两端串联双向可控硅构成阻尼回路，阻尼回路并接在电压互感器开口三角形绕组的两端，通过控制两个双向可控硅的同时导通实现阻尼电阻的投入，进行二次消谐；当未发生谐振时可对阻尼电阻及两个双向可控硅构成的阻尼回路进行自检；自检方式为首先关闭一个可控硅，由阻尼电阻及另一个可控硅构成自检回路，通过固态继电器的导通在自检回路中串入光耦，并向自检回路加入直流电压，然后控制自检回路可控硅的导通与关闭，通过判断串入光耦的导通与否来判断自检回路是否正常，自检完毕关闭固态继电器；同样，关闭上次自检过的可控硅，由阻尼电阻和未自检的可控硅构成另一个自检回路，通过另一组固态继电器的导通在自检回路中串入光耦，并向自检回路加入直流电压，然后控制自检回路可控硅的导通与关闭，通过判断串入光耦的导通与否来判断自检回路是否正常，自检完毕关闭固态继电器；综合两次自检，可确定阻尼电阻及两个可控硅构成的阻尼回路是否正常；阻尼回路自检需要在未发生铁磁谐振的状态下进行，当发生铁磁谐振时立即退出自检过程，并可投入阻尼电阻进行消谐处理。
[0009]本技术的自检的工作流程如下所述：输入端子U0、输入端子Un接入电压互感器的开口三角形绕组，可控硅驱动光耦U1、可控硅驱动光耦U2，固态继电器U3、固态继电器U4、固态继电器U5和固态继电器U6，光耦U7、光耦U8接入消谐装置处理器的IO(输入输出)接口，电压变换器TV1经A/D转换器接入处理器。
[0010]消谐装置工作时，处理器首先将可控硅驱动光耦U1、可控硅驱动光耦U2，固态继电器U3、固态继电器U4、固态继电器U5和固态继电器U6关闭，则双向可控硅Q1、双向可控硅Q2处于关闭状态，阻尼电阻R3与输入端子U0、输入端子Un断开；当发生铁磁谐振时，输入端子U0与输入端子Un端会产生零序电压，处理器驱动可控硅驱动光耦U1、可控硅驱动光耦U2导通，电阻R5与电阻R7上产生分压，从而控制双向可控硅Q1、双向可控硅Q2导通将阻尼电阻R3接入进行消谐；关闭可控硅驱动光耦U1、可控硅驱动光耦U2则控制双向可控硅Q1、双向可控硅Q2关闭，从而退出阻尼电阻R3。
[0011]当消谐装置未检测到铁磁谐振，并且计算输入端子U0与输入端子Un端的电压方均根值小于设定值，此设定值按躲过电力系统正常运行时三相不平衡引起的零序电压设置，则可进行阻尼回路的检查。检查前将可控硅驱动光耦U1、可控硅驱动光耦U2、固态继电器U3、固态继电器U4、固态继电器U5及固态继电器U6关闭，则双向可控硅Q1和双向可控硅Q2也关闭，阻尼回路检查的逻辑图如图2所示。
[0012]进一步，处理器驱动固态继电器U3、固态继电器U4导通，由于双向可控硅Q1关闭，光耦U7无法导通，处理器可通过读取光耦U7的输出状态，确定双向可控硅Q1关闭完好，进一步处理器驱动可控硅驱动光耦U1使双向可控硅Q1导通，则电压V+通过固态继电器U3、双向可控硅Q1、阻尼电阻R3、固态继电器U4、电阻R8驱动光耦U7导通，处理器可通过读取光耦U7的输出状态，确定双向可控硅Q1、阻尼电阻R3回路导通是否完好，最后关闭固态继电器U3、
固态继电器U4、可控硅驱动光耦U1及双向可控硅Q1，完成双向可控硅Q1和阻尼电阻R3的自检。
[0013]进一步，处理器驱动固态继电器U5、固态继电器U6导通，由于双向可控硅Q2关闭，光耦U8无法导通，处理器可通过读取光耦U8的输出状态，确定双向可控硅Q2关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带自检的消谐电路，其特征在于：包括压敏电阻RV1、电压变换器TV1、双向可控硅Q1、双向可控硅Q2、可控硅驱动光耦U1、可控硅驱动光耦U2、固态继电器U3、固态继电器U4、固态继电器U5、固态继电器U6、光耦U7、光耦U8、二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R10、阻尼电阻R3、电容C1和电容C2，所述压敏电阻RV1上端、电压变换器TV1的引脚1、双向可控硅Q2的引脚2、固态继电器U6的引脚4、电阻R7上端和电容C2右端都与输入端子U0连接，所述压敏电阻RV1下端、电压变换器TV1的引脚2、双向可控硅Q1的引脚1、固态继电器U3的引脚3、电阻R1左端和电阻R4上端都与输入端子Un连接，所述可控硅驱动光耦U1的引脚6与电阻R4下端连接，所述电阻R1右端与电容C1左端连接，所述电容C1右端、双向可控硅Q1的引脚2、电阻R5上端和阻尼电阻R3左端都与固态继电器U5的引脚3连接，所述双向可控硅Q1的引脚3和电阻R5下端都与可控硅驱动光耦U1的引脚4连接，所述阻尼电阻R3右端、固态继电器U4的引脚4、电阻R2...

【专利技术属性】
技术研发人员：王根元，陈国鑫，杨博，
申请(专利权)人：西安创特电气科技有限公司，
类型：新型
国别省市：