包括沟槽栅极结构和掩埋遮蔽区的半导体器件和制造方法技术

公开了包括沟槽栅极结构和掩埋遮蔽区的半导体器件和制造方法。为了制造半导体器件(500)，第一掺杂剂被注入通过碳化硅本体(100)的第一表面(101)的第一表面区段(101a)。形成从第一表面(101)延伸到碳化硅本体(100)中的沟槽(450)。沟槽(450)包括第一侧壁表面(451)和相对的第二侧壁表面(452)。形成间隔物掩模(420)。间隔物掩模(420)至少覆盖第一侧壁表面(451)。第二掺杂剂被注入通过沟槽(450)底部表面(453)的被间隔物掩模(420)暴露的部分。第一掺杂剂和第二掺杂剂具有相同的导电类型。激活注入的第一掺杂剂和第二掺杂剂。第一掺杂剂形成直接邻接第二侧壁表面(452)的掺杂的顶部遮蔽区(161)。第二掺杂剂形成直接邻接底部表面(453)的掺杂的掩埋遮蔽区(162)。(453)的掺杂的掩埋遮蔽区(162)。(453)的掺杂的掩埋遮蔽区(162)。

【技术实现步骤摘要】
包括沟槽栅极结构和掩埋遮蔽区的半导体器件和制造方法


[0001]本公开的示例涉及具有沟槽栅极结构和掩埋遮蔽区的半导体器件，特别是涉及碳化硅器件。其它示例有关制造具有沟槽栅极结构和掩埋遮蔽区的半导体器件的方法，特别是涉及制造碳化硅器件的方法。

技术介绍

[0002]功率半导体器件典型地被用作为用于变换电能的电路中(例如在DC/AC转换器、AC/AC转换器或AC/DC转换器中，以及在驱动重电感负载的电路中(例如在 马达驱动器电路中))的开关和整流器。由于碳化硅(SiC)的介电击穿场强与硅相比是高的，因此SiC器件与它们的硅对应物相比可以显著地更薄并且可以示出更低的导通状态电阻。在与硅相比碳化硅中的掺杂剂原子的低扩散速度的情况下，与对于等效的硅器件而言的情况相比碳化硅中的掺杂区的形成通常要求更多的付出。
[0003]存在对于可以以更低的成本来高效地制造并且没有性能损失的碳化硅器件的需要。

技术实现思路

[0004]本公开的实施例涉及制造半导体器件的方法。第一掺杂剂被注入通过碳化硅本体的第一表面的第一表面区段。形成从第一表面延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件(500)的方法，所述方法包括：将第一掺杂剂注入通过碳化硅本体(100)的第一表面(101)的第一表面区段(101a)；形成从第一表面(101)延伸到碳化硅本体(100)中的沟槽(450)，其中沟槽(450)包括第一侧壁表面(451)和相对的第二侧壁表面(452)；形成至少覆盖第一侧壁表面(451)的间隔物掩模(420)；将第二掺杂剂注入通过沟槽(450)底部表面(453)的由间隔物掩模(420)暴露的部分，其中第一掺杂剂和第二掺杂剂具有相同的导电类型；激活所注入的第一掺杂剂和第二掺杂剂，其中第一掺杂剂形成直接邻接第二侧壁表面(452)的掺杂的顶部遮蔽区(161)，并且其中第二掺杂剂形成直接邻接底部表面(453)的掺杂的掩埋遮蔽区(162)。2.根据前项权利要求所述的方法，其中在从第一侧壁表面(451)到第二侧壁表面(452)的方向上，掩埋遮蔽区(162)在沟槽(450)下方或者在顶部遮蔽区(161)下方终止。3.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中掩埋遮蔽区(162)的横向中心在沟槽(450)的横向中心和第二侧壁表面(452)之间。4.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中第二掺杂剂的至少一部分是在正交于沟槽(450)的水平的纵向延伸的竖向平面中以注入角度(β)相对于竖向方向倾斜的注入束轴的情况下注入的，并且其中注入束轴指向第二侧壁表面(452)。5.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中形成沟槽(450)包括：在第一表面(101)上形成硬掩模(421)，硬掩模(421)包括暴露第一表面(101)的第二表面区段(101b)的硬掩模开口(425)；以及使用硬掩模(421)作为蚀刻掩模形成沟槽(450)，以及其中形成间隔物掩模(420)包括：形成覆盖第一侧壁表面(451)、第二侧壁表面(452)以及底部表面(453)的掩模层(422)；以及选择性地移除掩模层(422)的水平层部分，其中硬掩模(421)和掩模层(422)的剩余的竖向层部分形成间隔物掩模(420)。6.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中形成间隔物掩模(420)包括暴露沟槽(450)的底部表面(453)的一部分并且使沟槽(...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：