用于功率电子器件的温度监测的方法和电子装置以及机动车制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于功率电子器件的温度监测的方法以及相应设置的机动车，功率电子器件包括至少一个功率晶体三极管。在该方法中，在功率晶体三极管的激活运行中测量功率晶体三极管的漏源电压和漏极电流并且由漏源电压和漏极电流计算出导通电阻。由此，根据预定的配设关系确定功率晶体三极管的当前的阻挡层温度以用于温度监测。自动地为了功率晶体三极管的将来的运行而再校准预定的配设关系，其方式为，在激活运行之外自动地分别在多个不同的时间点测量各一个由功率晶体三极管的当前的导通电阻和功率电子器件的当前的温度构成的值对。所述温度在与功率晶体三极管的阻挡层在空间上间隔开的部位处测量并且采纳为在相应的时间点存在的阻挡层温度。然后根据所述值对更新配设关系。更新配设关系。更新配设关系。

【技术实现步骤摘要】
用于功率电子器件的温度监测的方法和电子装置以及机动车


[0001]本专利技术涉及用于功率电子器件的温度监测的方法和电子装置以及相应的机动车。

技术介绍

[0002]在使用基于半导体的电气部件和电子部件时，运行温度是高效且同时可靠的运行的重要因素。因此，在高的负载要求的情况下可非常快速地出现高温，所述高温可导致相应的构件受损。而如果没有用尽可靠且运行安全的温度范围，则相应地也经常不能用尽相应的构件的满功率或功率能力。由于在如今的电子构件中和在成本视角下有价值的结构空间中的小的结构大小和高的包装密度，不能毫无问题地实现对在电子部件内的实际的温度的精确且可靠的测量。
[0003]重要的参数是在半导体晶体三级管或晶体三级管芯片内的所谓的过渡温度或阻挡层温度(专业术语，结温)。所述温度可以至少近似地直接测量，其方式为，例如在相应的晶体三级管芯片上直接布置PN二极管，所述PN二极管的正向电压线性地随着温度改变。但这以有价值的芯片面积、例如15％至20％的芯片有效面积为代价，并且因此在许多应用情况下是不可行的。如今，因此经常将温度传感器布置在包括多个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于功率电子器件(18)的温度监测的方法(24)，所述功率电子器件包括至少一个功率晶体三极管(20)，其中，
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在所述功率晶体三极管(20)的激活运行中对于所述功率晶体三极管测量漏源电压和漏极电流，并且由漏源电压和漏极电流计算出导通电阻；
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根据预定的配设关系确定所述功率晶体三极管(20)的与算得的导通电阻相配设的当前的阻挡层温度作为针对温度监测的特征数；并且
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自动地为了所述功率晶体三极管(20)的将来的运行而再校准所述预定的配设关系，其方式为，分别在所述功率晶体三极管(20)的激活运行之外自动地分别在多个不同的时间点测量各一个由所述功率晶体三极管(20)的当前的导通电阻和所述功率电子器件(18)的当前的温度构成的值对，其中，所测量的所述温度在与所述功率晶体三极管(20)的阻挡层在空间上间隔开的部位处测量并且采纳为在相应的时间点存在的阻挡层温度，并且根据所述值对更新所述配设关系。2.根据权利要求所1述的方法(24)，其特征在于，在多个再校准上检测所述配设关系的时间上的变化，并且当所检测的变化满足预定的评价标准、尤其是超出预定阈值时，自动地输出警告提示。3.根据前述权利要求中任一项所述的方法(24)，其特征在于，借助于温度传感器、尤其是借助于NTC热敏电阻测量用于所述再校准的温度，所述温度传感器布置在包括所述功率晶体三极管(20)的模块(20)的衬底上。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法(24)，其特征在于，所述功率电子器件(18)具有退饱和探测电路(20、22)，并且借助于所述退饱和探测电路测量所述漏源电压。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法(24)，其特征在于，在相应接通所述功率晶体三极管(20)之后经过预定的起振时间之后并且相应只有当相应的在所述起振时间之后剩余的接通持...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：宝马股份公司，
类型：发明
国别省市：