具有改进的保护层的等离子显示板制造技术

提供了一种等离子显示板（ＰＤＰ），其包括彼此相对的第一基板和第二基板，其间具有预定间隙。所述ＰＤＰ还包括形成在与第二基板相对的第一基板表面上的第一电极和形成在与第一基板相对的第二基板表面上的第二电极。第一电极的长轴与第二电极的长轴相交。所述ＰＤＰ还包括介电层。一个介电层形成为覆盖第一基板上的第一电极，另一介电层形成为覆盖第二基板上的第二电极。所述ＰＤＰ还包括ＭｇＯ保护层，其形成为覆盖第一基板上的介电层。通过混合（１１１）平面和（１１０）平面来产生ＭｇＯ保护层的结晶取向平面，并根据ＭｇＯ保护层的晶粒尺寸设置（１１１）平面和（１１０）平面的混合比。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子显示板(以下称为″PDP″)，尤其涉及一种具有改进的保护层的PDP。
技术介绍
PDP是一种使用气体放电期间产生的从等离子发出的光，以显示字符和图形的显示装置。预定电压施加到装配在该PDP放电区域中的两个不同类型的电极上，从而在电极之间产生等离子放电；并且，等离子放电期间产生的紫外线激发放电单元表面上以预定图案形成的磷光层，由此产生图像的显示。几种不同种类的PDP包括AC PDP、DC PDP、以及混合PDP。图8是传统AC型PDP放电单元的部分分解透视图。参考图8，传统PDP 100包括下基板111和在下基板111上形成的各种元件，以及上基板113和其上形成的各种元件。对于下基板111来说，在下基板111相对于上基板113的表面上形成多个地址电极115。在下基板111上形成介电层119，覆盖所述地址电极111，并且在介电层119上形成多个阻挡肋123。阻挡肋123保持放电距离且防止串扰。在阻挡肋123暴露的内表面上形成磷光层125。上基板113相对于下基板111设置，其间具有预定的间隙。在上基板113相对于下基板111的表面上形成多个放电维持电极117。放电维持电极117的长轴基本垂直于地址电极115的长轴。此外，在上基板113上形成介电层121，覆盖所述放电维持电极117，并且在介电层121上形成保护层127。MgO通常用于保护层127。MgO不仅是透明的以允许可见光轻易地透过其传送，而且具有极好的介电层保护和二次电子发射特性。MgO保护层是薄的透明层，其具有溅射电阻(sputtering resistance)特性，由此使放电期间的放电气体离子轰击的影响最小化，所述放电产生于PDP工作期间。因而，MgO保护层保护介电层不受离子碰撞，且起到通过二次电子发射降低放电电压的作用。MgO保护层覆盖PDP的介电层，同时形成为3000-7000的厚度。可以采用多种方法形成MgO保护层，比如溅射、电子束淀积、IBAD(离子束辅助淀积)、CVD(化学汽相淀积)和溶胶-凝胶法(sol-gel method)。也采用一种相对较新的方法，称为离子电镀法(ion plating)。在电子束淀积中，由电场和磁场加速的电子束冲击MgO淀积材料，以使所述淀积材料加热和蒸发。通过这种工艺形成MgO保护层。溅射法允许制造这样的保护层，其可以更加密集地形成，并且与采用电子束淀积形成的保护层相比，其更容易形成结晶取向。然而，在使用溅射法时，保护层的单位成本较高。同样，可以从溶胶-凝胶法中的液体来产生MgO保护层。离子电镀法已经发展成为上述各种形成MgO保护层方法的替代方法。在离子电镀法中，电离蒸发粒子以形成层。虽然采用离子电镀法形成的MgO保护层的粘附性和结晶度与采用溅射法产生的MgO保护层相类似，但是离子电镀法具有实现约8nm/s的高淀积速度的优点。也可以使用单晶MgO或烧结MgO(sintered MgO)。在使用单晶MgO的情况下，作为为产生淀积而在熔化期间由冷却速度引起的固溶体限制中差异的结果，很难控制特定掺杂剂的合适数量。因此，通过离子电镀法来制造MgO保护层，该离子电镀法采用的是已经添加了合适数量的特定掺杂剂的烧结MgO。因为MgO保护层接触放电气体，包含在该保护层中的元件和层特性会很大地影响放电特性。MgO保护层特性在很大程度上取决于淀积期间它的元件和层的形成条件。因此，存在一种迫切的需要以生产出这样的MgO保护层结构，其通过发展能改善预期层特性的最佳保护层淀积条件，来提高PDP的显示品质。
技术实现思路
在本专利技术的一个示例性实施例中，等离子显示板包括改善了材料性质和操作特性的MgO保护层。在本专利技术的另一示例性实施例中，等离子显示板包括改善了MgO保护层操作特性的MgO保护层的最佳结晶取向平面。在一个示例性实施例中，PDP包括其间具有预定间距且彼此相对的第一基板和第二基板。该PDP还包括在与第二基板相对的第一基板表面上形成的第一电极，和在与第一基板相对的第二基板表面上形成的第二电极。第一电极的长轴与第二电极的长轴相交。该PDP中还包括介电层。一个介电层形成为覆盖第一基板上的第一电极，另一介电层形成为覆盖第二基板上的第二电极。PDP进一步包括MgO保护层，其形成为覆盖第一基板上的介电层。通过混合(111)平面和(110)平面来最佳化MgO保护层的结晶取向平面。另外，可以根据MgO保护层的晶粒(grain)尺寸确定(111)平面和(110)平面的混合比。在本专利技术的一个示例性实施例中，如果MgO保护层的晶粒尺寸在约50nm至约100nm的范围内，(111)平面和(110)平面可以按照(5.5-6.5)∶(3.5-4.5)的比率混合。在本专利技术的另一示例性实施例中，如果MgO保护层的晶粒尺寸为约100nm至约150nm，(111)平面和(110)平面按照(4.5-5.5)∶(4.5-5.5)的比率混和。在本专利技术的另一示例性实施例中，如果MgO保护层的晶粒尺寸在约150nm至约200nm的范围内，(111)平面和(110)平面可以按照(3.0-4.0)∶(6.0-7.0)的比率混和。在本专利技术的又一示例性实施例中，如果MgO保护层的晶粒尺寸在约200nm至约250nm的范围内，(111)平面和(110)平面可以按照(2.5-3.5)∶(6.5-7.5)的比率混和。在本专利技术的另一示例性实施例中，如果MgO保护层的晶粒尺寸在约250nm至约350nm的范围内，(111)平面和(110)平面可以按照(1.5-2.5)∶(7.5-8.5)的比率混合。优选地，MgO保护层具有柱状晶体结构。此外，通过分别控制氢和氧的分压比(partial pressure ratio)来设置MgO保护层的晶粒尺寸。附图说明附图与说明书一起用于说明本专利技术的示例性实施例，并且与说明书一起用来解释本专利技术的原理。图1是根据本专利技术一个示例性实施例的PDP上基板的透视图；图2是根据本专利技术一个示例性实施例的MgO淀积工艺的示意图；图3是根据本专利技术第一实施例的MgO保护层表面的照片，其中使用扫描电子显微镜(以下简称“SEM”)拍摄该照片；图4是根据本专利技术第二实施例的MgO保护层表面的照片，其中使用SEM拍摄该照片；图5是根据本专利技术第三实施例的MgO保护层表面的照片，其中使用SEM拍摄该照片；图6是根据本专利技术第四实施例的MgO保护层表面的照片，其中使用SEM拍摄该照片；图7是根据本专利技术第五实施例的MgO保护层表面的照片，其中使用SEM拍摄该照片；图8是传统AC型PDP放电单元的部分分解透视图。具体实施例方式下面将参考附图详细描述本专利技术的示例性实施例。图1是根据本专利技术示例性实施例的等离子显示板(PDP)上基板的透视图。在图1中，只留下PDP的上部以供观看。在图1中，表示了上基板13和其上形成的元件。具体地，在该上基板13的一个表面上形成多个电极17、介电层21以及保护层27(按照这个顺序)。为了更好的观察，翻转上基板13以便显示其上形成这些元件的一侧。虽然图1中未显示，在下基板相对于上基板13的表面上形成其长轴基本垂直于电极17长轴的多个不同的电极、覆盖所述电极的介电层、以及在该介电层上形成的阻挡肋。在所述阻挡肋之间淀积磷光层。沿着上基板和下基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子显示板，包括：彼此相对的一第一基板和一第二基板，其间具有预定间隙；第一电极，其形成在与所述第二基板相对的所述第一基板的表面上，以及第二电极，其形成在与所述第一基板相对的所述第二基板的表面上，所述第一电极的长轴与所述 第二电极的长轴相交；介电层，所述介电层中的一个形成为覆盖所述第一基板上的所述第一电极，所述介电层中的另一个形成为覆盖所述第二基板上的所述第二电极；以及一ＭｇＯ保护层，其形成为覆盖所述第一基板上的第一介电层，其中，通过 混合（１１１）平面和（１１０）平面来产生所述ＭｇＯ保护层的结晶取向平面，并且根据所述ＭｇＯ保护层的晶粒尺寸来设置所述（１１１）平面和所述（１１０）平面的混合比。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金基东，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]