具有抗紫外线引起的劣化性的荧光体，以及图像质量不易随时间劣化的气体放电显示设备制造技术

一种根据本发明专利技术的锰活化的硅酸锌荧光体符合０＜β－α≤０．５和１．７≤β，此处α值是荧光体颗粒的表面区域中锌原子数和硅原子数的比率，该表面区域包括荧光体颗粒表面及其附近，并且β值是荧光体颗粒的整体中锌原子数和硅原子数的比率。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
(1)专利
本方面涉及一种锰活化的硅酸锌荧光体，并且尤其涉及用于防止荧光体被紫外线劣化，以及防止使用该荧光体的气体放电显示设备图像质量随时间而劣化的技术。(2)相关技术描述通常将锰活化的硅酸锌荧光体用作荧光灯和等离子显示面板(此后称之为“PDPs”)的绿光发射材料。该绿光发射材料使用紫外线作为激发光源。由于其高色纯度和高发光效率，该锰活化的硅酸锌荧光体尤其常用于气体放电显示设备，例如PDPs。锰活化的硅酸锌荧光体的母体(硅酸锌)用通式Zn2SiO4表示。所述锰活化的硅酸锌荧光体的化学组成由Zn1.9Mn0.1SiO4表达。然而，实际上该锰活化的硅酸锌荧光体是与相对于化学计量组成过量的硅一起使用来获得高发光效率，如Phosphor Handbook中所述(此后称之为“文献1”，Keikotai Dogakukai编辑(Phosphor Society)，Ohmsha出版，1987年12月25日，P219-220)。同时，通过配制并混合硅源(例如二氧化硅)、锌源(例如氧化锌)和锰源(例如碳酸锰)来制备锰活化的硅酸锌荧光体，从而如文献1所述，该硅成分相对于化学计量组成在某种程度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锰活化的硅酸锌荧光体，其中０＜β－α≤０．５和１．７≤β，其中α值是荧光体颗粒的表面区域中锌原子数和硅原子数的比率，该表面区域包括荧光体颗粒表面及其附近，并且β值是荧光体颗粒的整体中锌原子数和硅原子数的比率。

【技术特征摘要】
JP 2004-5-26 156499/041.一种锰活化的硅酸锌荧光体，其中0＜β-α≤0.5和1.7≤β，其中α值是荧光体颗粒的表面区域中锌原子数和硅原子数的比率，该表面区域包括荧光体颗粒表面及其附近，并且β值是荧光体颗粒的整体中锌原子数和硅原子数的比率。2.权利要求1的锰活化的硅酸锌荧光体，其中α值是通过使用AlKαX射线辐射的X射线光电子光谱来获得，并且β值是通过感应耦合等离子原子发射光谱来获得。3.权利要求2的锰活化的硅酸锌荧光体，其中该表...

【专利技术属性】
技术研发人员：长崎纯久，白石诚吾，坂井全弘，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]