【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术实施例大致是关于半导体基材处理系统，详细地说，是关于一种传递气体进入制程室的方法及设备。
技术介绍
在制造集成电路及半导体组件时，典型地会在制程室(例如，化学气相沉积(CVD)室之类的沉积室)中将诸如氧化物的材料沉积在基材上。沉积制程典型地会导致某些材料沉积在制程室壁及诸如气体分配板或面板之类的组件上。由于制程期间，材料是分布于整个气体分配板上，因此该气体分配板上经常会沉积出一层沉积层，因而导致板上的孔洞被阻塞，或是该沉积层自板上整片剥落并掉在基材上，因而影响基材上的沉积速率及基材上的沉积均匀度并会污染基材。因此，需要常规地清洁该制程室内部。已有数种清洁制程室(包括气体分配板)的方法被研发出来。举例来说，可使用一远程等离子体清洁制程，它是以高密度等离子体源(例如一微波等离子体系统、等离子体产生器或类似装置)从制程室远程产生一蚀刻物等离子体。之后，将来自蚀刻物等离子体的解离物种传送到沉积室，并在沉积室中与不欲求的沉积物反应并将其蚀刻移除。此外，也可以一原位制程室清洁操作来移除制程室壁内部所累积的不欲求的沉积材料。常见的原位制程室清洁技术包括使用一蚀刻物...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种分配气体进入一制程室的设备，其至少包含一气体分配板，其界定出多个位于其上的孔洞；一挡板，其界定出多个位于其上的孔洞；一第一气体通道，设置成可传送一第一气体穿过该挡板及该气体分配板；及一第二气体通道，设置成可传送一第二气体绕过该挡板及通过该气体分配板。2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述的挡板是位于该气体分配板的上方。3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述的第一气体通道是设置成可在该气体分配板之前传送该第一气体通过该挡板。4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述的第二气体通道是设置成可传送大部分的该第二气体通过多个位于该气体分配板周长部位的孔洞。5.如权利要求1所述的设备，其特征在于，还包含一护板，它是被设置成可导引该第二气体绕过该挡板。6.如权利要求5所述的设备，其特征在于，所述的护板是位于该挡板上方。7.如权利要求5所述的设备，其特征在于，所述的护板是耦接至该挡板的一上方部份。8.如权利要求5所述的设备，其特征在于，所述的护板的一内部界定出该第一气体通道。9.如权利要求5所述的设备，其特征在于，所述的第一气体通道是界定在该护板内部。10.如权利要求5所述的设备，其特征在于，所述的第二气体通道是设置成可导引该第二气体流动绕过该护板的一外面部份及该挡板。11.如权利要求5所述的设备，其特征在于，还包含一架设板，该架设板上架设有一气体分配板，其特征在于，所述的护板的一外面部份，与该架设板及气体分配...
【专利技术属性】
技术研发人员：索沃·森，赵茂生，因娜·什穆朗，李惠衡，尚卡尔·文卡塔拉曼，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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