气体放电设备和等离子显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种气体放电设备，其适于减少放电电压以及增加它的亮度和放光效率。在根据本发明专利技术实施例的气体放电设备中，注入放电空间的放电气体包括混合比率为０．０１％～２．０％的氢族同位素气体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及气体放电设备，并且更为具体的涉及适于减少放电电压以及增加它的亮度和发光效率的气体放电设备和等离子显示面板。
技术介绍
通常，气体放电设备被制造为管或面板的形状，以用作照明光源。近来，通过使用气体放电原理显示画面的等离子显示面板(在下文中，称为“PDP”)在市场上出现。PDP作为大尺寸的平板显示器引起了注意，并且通过在比如He+Xe、He+Ne+Xe或Ne+Xe的惰性混合气体(或放电气体)放电情况下产生的147nm的紫外线使得荧光材料发射光线，由此显示包括字符和图形的画面。这种PDP易于被制造为薄膜和大尺寸的类型。另外，PDP因为近来的技术进步提供了改进很多的画面质量。具体地说，三电极AC表面放电PDP具有的低电压驱动和长寿命的优点在于它在放电期间能够使用在其表面上累计的壁电荷来降低放电需要的电压，并且保护电极不受放电产生的飞溅影响。图1是现有技术的三电极AC表面放电PDP的放电单元的视图。参考图1，三电极AC表面放电PDP的放电单元包括在上基片10上形成的扫描电极Y和维持电极Z，以及在下基片18上形成的寻址电极X。扫描电极Y和维持电极Z的每一个包括透明电极12Y、12Z和金属总线电极13Y、13Z，该金属总线电极具有比透明电极更窄的行宽度，并且在透明电极的一侧边缘形成。现有技术中，透明电极12Y、12Z由铟锡氧化物ITO形成在上基片10上。金属电极13Y、13Z由比如氧化铬(chrome)Cr的金属形成在透明电极12Y、12Z上用于减少由高阻抗的透明电极12Y、12Z引起的电压降。在其中扫描电极Y和维持电极Z并行形成的上基片10上沉积电介质层14和钝化膜16。在等离子放电情况下产生的壁电荷在上介质层14上累积。钝化膜16防止上介质层14受到由在等离子放电情况下产生的离子引起的飞溅的损耗，并且增加次级电子的辐射效率。现有技术中，钝化膜16由氧化镁MgO制成。在其中形成寻址电极X的下基片18上形成下介质层22，并且在阻挡条24和下介质层22的表面上涂抹荧光材料层26。以与扫描电极Y和维持电极Z交叉的方向形成寻址电极X。将阻挡条24形成为带或格的形状以防止由放电产生的紫外线和可见光泄漏进相邻的放电单元。荧光材料层26由在等离子放电情况下产生的紫外线激发，以产生红色、绿色和蓝色可见光的任意一个。将惰性混合气体注入在上/下基片10、18和阻挡条24之间设置的放电空间。为了实现画面的灰度级，通过将一帧划分为几个子场来时分驱动地驱动PDP，其中多个子场的光辐射数量彼此不同。每个子场能够被划分为初始化整个屏幕的复位周期、选择扫描线和从所选的扫描线选择扫描单元的寻址周期，以及根据放电的数量实现灰度级的维持周期。在这里，将复位周期划分为提供上升沿波形的建立周期和提供下降沿波形的撤除周期。例如，在以256灰度级显示画面的情况中，将对应于1/60秒的帧周期(16.67ms)划分为8个子场(SF1到SF8)，如图2所示。如上所述，将8个子场(SF1到SF8)的每一个划分为复位周期、寻址周期和维持周期。每个子场的复位周期和寻址周期对于每个子场相同，但是每个子场中，维持周期以2n(n＝0、1、2、3、4、5、6、7)的比率增加。图3是表示现有PDP的驱动方法的波形。参考图3，将现有技术的PDP划分为初始化整个屏幕的复位周期、选择单元的寻址周期和保持所选单元的放电将被驱动的维持周期。在复位周期中，在建立周期中将上升到峰值电压Vp的上升沿波形Ramp-up同时施加到所有扫描电极Y。上升沿波形Ramp-up引起在整个屏幕的单元中产生弱放电，由此在单元中产生壁电荷。类似的上升沿波形Ramp-up在上升到峰值电压Vp之后在指定的时间内保持在峰值电压Vp。在撤除周期中，将从低于峰值电压Vp的正的电压下降到负电压-Vr的下降沿波形Ramp-down同时加到扫描电极Y。下降沿波形Ramp-down使得在单元中将产生弱擦除放电，因此消除空间电荷和由建立放电产生的壁电荷中不需要的电荷，并且使得必要壁电荷均匀地保持在后面，其中需要必要的壁电荷用于在整个屏幕的单元中的寻址放电。在寻址周期中，将负的扫描脉冲Scan(扫描)循序加到扫描电极Y，并且同时，将正的数据脉冲Data(数据)加到寻址电极X。将扫描脉冲Scan和数据脉冲Data的电压差添加到在复位周期期间产生的壁电压，以在应用了数据脉冲Data的单元中产生寻址放电。寻址放电引起在所选单元中产生的壁电荷，其中需要壁电荷用于维持周期的单元放电。另一方面，在撤除周期和寻址周期中将维持电压电平Vs的正的DC电压提供到维持电极Z。在维持周期中，将扫描脉冲Vs交替加到扫描电极Y和维持电极Z。之后，在由寻址放电选择的单元中，无论何时应用维持脉冲Vs同时在单元中的壁电压被添加到维持脉冲Vs，以在扫描电极Y和维持电极Z之间的表面放电形式产生维持放电。最后，在完成维持放电之后，将具有小的脉冲宽度的擦除斜面波形Erase(擦除)提供到维持电极Z以擦除在单元中的壁电荷。另一方面，在现有技术中，提出了通过增加在PDP中密封的放电气体中Xe的混合比率到4％～6％来增加亮度的方法。为更为具体地描述，在现在商用的现有PDP的情况中，其基于PDP模块具有大约1.0～1.2lm/W的效率。但是，在PDP中，如果Xe比率增加到4～6％，其具有的效率不大于大约1.5lm/W。因此，当在放电气体中包括4％～6％的Xe时，相比低密度Xe的PDP能够显示具有更高亮度和发光效率的图像。作为改进亮度和发光效率的另一方法，提出了使得在上基片上形成的扫描电极Y和维持电极Z之间的距离的长度在60-80μm级别的长间隙PDP方法。但是，高密度Xe的PDP或长间隙的PDP具有的缺点在于相比低密度Xe或短间隙PDP放电启动电压或放电电压变得更高。换句话说，如果将高密度的Xe注入PDP或使在上部板电极之间的间隙更宽，那么通过Xe成分或在电极之间的间隙放电产生概率变低。因此，为了稳定地产生放电，必须应用具有高电压值的放电电压。另外，在高密度Xe的PDP或长间隙的PDP中，其中开始放电的放电电压变得更高，因此存在功耗高的问题。因为类似地需要高功耗，为了平滑地驱动高密度Xe的PDP或长间隙的PDP，需要使用昂贵的驱动电路设备，因此存在制造成本增加并且因为高功耗而电抗性功率增加的问题。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提供适于减少放电启动电压的气体放电设备和等离子显示面板。本专利技术的另一目的是提供适于在长间隙PDP或高密度Xe的PDP中减少放电电压并且增加其亮度和发光效率的气体放电设备和等离子显示面板。为了实现本专利技术的这些和其它目的，根据本专利技术的一个方案的气体放电设备包括混合比率0.01％～2.0％的氢族同位素气体。在气体放电设备中，氢族同位素气体包括H2、D2和T2气体的至少一个氢族同位素气体。在气体放电设备中，放电气体包括H2、D2和T2的至少两个氢族同位素气体。根据本专利技术另一方案的气体放电设备包括H2和T2的至少一个氢族同位素气体。在气体放电设备中，氢族同位素气体被包括在混合比率0.01％～2.0％的放电气体中。根据本专利技术再一方面的等离子显示面板，其包括第一基片，其具有至少一个电极；第二基片，其具有至少一个电极；以及在第一和第二基片之间的放电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体放电设备，其形成有电极和荧光材料层，形成其中密封气体介质的放电空间，在放电情况下产生紫外线，在荧光材料层紫外线转换为可见光以发射光线，其中注入到放电空间的放电气体包括混合比率在０．０１％～２．０％的氢族同位素气体。

【技术特征摘要】
KR 2004-10-29 10-2004-0087528;KR 2004-12-23 10-2001.一种气体放电设备，其形成有电极和荧光材料层，形成其中密封气体介质的放电空间，在放电情况下产生紫外线，在荧光材料层紫外线转换为可见光以发射光线，其中注入到放电空间的放电气体包括混合比率在0.01％～2.0％的氢族同位素气体。2.如权利要求1所述的气体放电设备，其中，该氢族同位素气体包括H2、D2和T2的至少一个氢族同位素气体。3.如权利要求2所述的气体放电设备，其中，该放电气体包括H2、D2和T2的至少两个氢族同位素气体。4.一种气体放电设备，其形成有电极和荧光材料层，形成其中密封气体介质的放电空间，在放电情况下产生紫外线，在荧光材料层紫外线转换为可见光以发射光线，其中注入到放电空间的放电气体包括H2和T2的至少一个氢族同位素气体。5.如权利要求4所述的气体放电设备，其中，该氢族同位素气体被包括在混合比率为0.01％～2.0％的放电气体中。6.一种等离子显示面板，其包括第一基片，其具有至少一个电极；第二基片，其具有至少一个电极；以及放电气体，其被在第一和第二基片之间的放电空间中充电，以及其中该放电气体包括混合比率为0.01％～2.0％的氢族同位素气体。7.如权利要求6所述的等离子显示面板，其中，该氢族同位素气体包括H2、D2和T2的至少一个氢族同位素气体。8.一种等离子显示面板，其包括第一基片，其具有至少一个电极；第二基片，其具有至少一个电极；以及放电气体，其被在第一和第二基片之间的放电空间中充电，以及其中该放电气体包括H2和T2的至少一个氢族同位素气体。9.如权利要求6所述的等离子显示面板，其中，该氢族同位素气体被包括在混合比率为0.01％～2.0％的放电气体中。10.一种等离子显示面板，其包括第一基片，其具有至少一个电极；第二基片，其具有至少一个电极；以及放电气体，其被在第一和第二基片之间的放电空间中充电，以及其中该放电气体包括混合比率为0.01％～2.0％的氢族同位素气体，并且形成在第一基片上的电极之间的间隙在80μm和500μm之间。11.如权利要求10所述的等离子显示面板，其中，该以在80μm和500μm之间的间隙隔开的电极是扫描电极和维持电极。12.如权利要求10所述的等离子显示面板，其中，该氢族同位素气体包括H2、D...

【专利技术属性】
技术研发人员：安成容，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]