阴极射线管制造技术

在形成具有矩形剖面的大致中空角锥梯形形状、将小口径的开口部侧向着电子枪侧配置的内部磁屏蔽体（２８）中，使小口径开口部的短缘边（５２）、（５４）形成落入面板侧的倒梯形形状，并且，使长缘边（５６）、（５８）形成向电子枪侧突出的钝角等腰三角形形状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及阴极射线管，特别是涉及具备内部磁屏蔽体的阴极射线管。
技术介绍
由于地磁和其他外部磁场的影响，从电子枪射出的电子束的轨道发生变化。其结果是，在彩色阴极射线管的情况下，3条电子束发生不在荧光屏的正规的位置上着屏而误着屏，因而产生色偏移等。为了避免这样的影响，被设计成大致中空角锥梯形的内部磁屏蔽体包围电子束通过的区域(例如，参照特开昭58-178945号公报)。但是，即使具备上述内部磁屏蔽体，尽管能够有效地屏蔽从水平方向及垂直方向进入的外部磁场，却不能屏蔽从管轴方向进入的外部磁场。这是由于为了确保从电子枪至荧光面的电子束的轨道，不得不在管轴方向前后开口的缘故。但是，配置在荧光面侧开口部与荧光面之间的荫罩虽然能够起到磁屏蔽的作用，但在电子枪侧的开口部与电子枪之间没有屏蔽磁场的构件存在。可是，在采用条纹荧光面的彩色阴极射线管的情况下，特别是向水平方向的误着屏对色偏移影响大。即，电子束所受的洛仑兹力的水平分力成为问题。该水平分力Fx能够用下式表示。Fx＝e(By·Vz-Bz·Vy) ...(1)在上式(1)中，e电子的电荷量、ByY轴方向(垂直方向)的磁通密度、BzZ轴方向(管轴方向)的磁通密度、Vz电子束的Z轴方向速度、Vy电子束的Y轴方向速度。在式(1)中，决定Fx的要素中，e当然不能改变，Vz与Vy也几乎没有办法使其变化。因此，为了减小Fx，需要调整By与Bz的平衡。此处，在阴极射线管将其管轴方向南北设置的情况下，没有通过内部磁屏蔽体被遮蔽的地磁引起的Bz成为最大，并且，由于原来By比Bz小，所以，Fx变为最大，产生的色偏移变为最大。这种情况下，通过调整By、Bz，使得By相对Bz的比例增高，能够减小Fx，因而能够谋求降低色偏移。通过在磁屏蔽体的形状上下功夫进行这样的调整，迄今，进行了各种各样的尝试。图1表示了这种尝试的一个例子。如图1所示，内部磁屏蔽体200是在垂直方向对置的一对的长边侧板202、204与在水平方向对置的一对短边侧板206、208接合，形成为大致中空角锥梯形的内部磁屏蔽体。而且，短边侧板206、208具有在成为电子枪侧部分切为倒梯形形状的切入部210。当将具备这样的内部磁屏蔽体200的阴极射线管设置成其管轴方向朝向南北时，该内部磁屏蔽体200被地磁磁化，其一个磁极出现在电子枪开口部周围与它的附近。并且，当进行消磁处理时(在设置在阴极射线管的外侧的消磁线圈中流过衰减交变电流，使之发生衰减交变磁场所进行的消磁处理)，内部磁屏蔽体在上述磁极更强消除外部磁场(地磁场)的方向上磁化。在该磁极呈现的区域中附加半色调点网格(half tone dot meshing)。此处，电子束通过区域中的磁通内、电子枪侧开口部的角部附近，通过斜边210A与在其附近呈现的磁极发生的磁通和外部磁场(地磁场)的磁通的矢量的合成形成，朝向向上或者向下的方向(Y轴方向)。其结果是，式(1)中的By相对Bz的比例变高，Fx变小，能够降低画面角部附近的色偏移。但是，如上所述，尽管上述内部磁屏蔽体200在降低画面角部附近的色偏移中发挥效果，但对降低画面中央上下端部附近的色偏移却几乎没有贡献。鉴于上述课题，本专利技术的目的在于提供一种不仅能够降低画面的角部附近的色偏移，而且能够降低画面中央上下端部附近的色偏移的阴极射线管。
技术实现思路
本专利技术的阴极射线管的特征在于，具有玻壳，由具有收存电子枪的颈部的玻锥与形成为大致矩形的面板接合而成；内部磁屏蔽体，作成具有矩形剖面的大致中空角锥梯形形状，将小口径的开口部侧向着电子枪侧收存在上述玻壳内；上述内部磁屏蔽体在上述小口径开口部中，对置的第1短缘边与第2短缘边形成落入面板侧的谷状，并且，在上述小口径开口部中，对置的第1长缘边与第2长缘边形成向电子枪侧突出的山状。由此，不仅能够降低面板(画面)的角部附近的色偏移，而且能够降低面板(画面)中央上下端部附近中的色偏移。此外，也能够形成上述内部磁屏蔽体，使得自包含上述面板的内面与上述阴极射线管的管轴的交点并且与该管轴正交的平面的上述管轴方向的高度关系为如下顺序，上述山状的上述两长缘边的顶部最高，其次是上述两长缘边与上述两短缘边的连接部、上述两短缘边的谷底部。进而，也能够形成上述内部磁屏蔽体，使得自上述小口径开口部的边缘的上述平面的上述管轴方向的高度从上述顶部向着上述谷底部逐渐降低。附图说明图1是表示现有技术的磁屏蔽体构架的透视图。图2是实施方式的彩色阴极射线管装置的剖面图。图3是上述彩色阴极射线管装置中的磁屏蔽体构架的透视图。图4(a)是将构成上述磁屏蔽体构架的内部磁屏蔽体模式化的正视图，图4(b)是其仰视图。图5(a)是现有技术的内部磁屏蔽体的正视图，图5(b)是其仰视图。图6是表示垂直分量对磁通密度管轴分量的比例在电子束轨道上的变化图。图7是表示电子束的位置偏移的测量位置的图。图8是表示对于彩色阴极射线管，在管轴方向施加外部磁场时的画面各部中的电子束的水平方向的位置偏移量的实测结果的图。图9(a)是将一变形例的内部磁屏蔽体模式化的正视图，图9(b)是其仰视图。图10(a)是将一变形例的内部磁屏蔽体模式化的正视图，图10(b)是其仰视图。图11(a)是将一变形例的内部磁屏蔽体模式化的正视图，图11(b)是其仰视图。图12(a)是将一变形例的内部磁屏蔽体模式化的正视图，图12(b)是其仰视图。图13(a)是将一变形例的内部磁屏蔽体模式化的正视图，图13(b)是其仰视图。图14(a)是将一变形例的内部磁屏蔽体模式化的正视图，图14(b)是其仰视图。图15(a)是将一变形例的内部磁屏蔽体模式化的正视图，图15(b)是其仰视图。具体实施例方式以下，参照附图说明本专利技术的实施方式。图2是表示实施方式的彩色阴极射线管装置2的大致结构的剖面图。并且，彩色显象管装置2是宽高比4∶3、对角线尺寸为29英寸的彩色阴极射线管装置。如图2所示，彩色阴极射线管装置2具备彩色阴极射线管4与偏转线圈6。在本说明书中，将Z轴作为彩色阴极射线管4的管轴、在水平方向与Z轴正交的轴作为X轴(在图2中未图示)、在垂直方向与Z轴正交的轴作为Y轴，确定X-Y-Z 交坐标系。此外，在本说明书中，以管轴(Z轴)作为边界规定上和下，以从面板侧观察时的管轴(Z轴)作为边界规定左右。彩色阴极射线管4具有将构成大致矩形的玻璃面板(以下只称为“面板”)8与玻璃锥体(以下只称为“玻锥”)10接合而成的玻壳12。在玻锥10的颈部14内收存一字排列型(inline-type)电子枪20，在水平方向以预定的间隔、在管轴方向射出与R(红)、G(绿)、B(蓝)对应的3条电子束18。在面板8的内面形成纵向条状(条纹状)涂覆(排列)红-绿-蓝荧光体而成的荧光屏22。此外，与荧光屏22大体平行地设置作为色选择电极的荫罩26，被形成矩形框体的框架24支撑。荫罩26是在垂直方向上施加张力的铁制张力罩。并且，作为荫罩，也可以使用不施加张力的按压型的罩。虽然没有图示，但是在锥体10外周上设置有上下对置的一对消磁线圈。通过在该消磁线圈通电流过衰减交变电流使之发生衰减交变磁场，能够引起在后述的磁屏蔽体构架中减轻外部磁场(地磁)的影响的磁化(消磁处理)。偏转线圈6设置在锥体10外周上，上下、左右地偏转从电子枪2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阴极射线管，其特征在于，具有：玻壳，由具有收存电子枪的颈部的玻锥与形成为大致矩形的面板接合而成；内部磁屏蔽体，形成具有矩形剖面的大致中空角锥梯形形状，将小口径的开口部侧向着电子枪侧收存在上述玻壳内，上述内 部磁屏蔽体在上述小口径开口部中，对置的第１短缘边与第２短缘边形成落入面板侧的谷状，并且，在上述小口径开口部中，对置的第１长缘边与第２长缘边形成向电子枪侧突出的山状。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-7-10 272998/20031.一种阴极射线管，其特征在于，具有玻壳，由具有收存电子枪的颈部的玻锥与形成为大致矩形的面板接合而成；内部磁屏蔽体，形成具有矩形剖面的大致中空角锥梯形形状，将小口径的开口部侧向着电子枪侧收存在上述玻壳内，上述内部磁屏蔽体在上述小口径开口部中，对置的第1短缘边与第2短缘边形成落入面板侧的谷状，并且，在上述小口径开口部中，对置的第1长缘边与第2长缘边形成向电子枪侧突出的山状。2.如权利要求1所述的阴极射线管，其特征在于，上述内部磁屏蔽体被配置为使自包含上述面板的内面与上述阴极射线管的管轴的交点且与该管轴正交的平面的上述管轴方向的高度为以下的顺序关系，上述山状的上述两长缘边的顶部最高，其次是上述两长缘边与上述两短缘边的连接部、上述两短缘边的谷底部。3.如权利要求2所述的阴极射线管，其特征在于，自上述小口径开口部的边缘的上述平面的上述管轴方向的高度从上述顶部向着上述谷底部逐渐降低。4.如权利要求1～3的任何一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：中寺茂夫，河南阳子，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]