场发射阴极及平面光源制造技术

本发明专利技术涉及一种场发射阴极，该场发射阴极包括：一阴极导电层及一形成在所述阴极导电层上的电子发射体，所述电子发射体含有碳纳米管及吸气剂材料。本发明专利技术还涉及一种采用上述场发射阴极的平面光源，该平面光源包括：上述场发射阴极；及一阳极，其包括一阳极导电层及一形成在阳极导电层上的荧光体层，该荧光体层和电子发射体相对。该平面光源能有效维持平面光源内部一定的真空度，使平面光源的使用寿命长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种场发射装置，尤其涉及一种场发射阴极及一种采用该场发射阴极的平面光源。
技术介绍
碳纳米管(Carbon Nanotube，CNT)是一种新型碳材料，由日本研究人员Iijima在1991年发现，请参见″Helical Microtubules of Graphitic Carbon″，SIijima，Nature，vol.354，p56(1991)。碳纳米管是已知最好的场发射材料之一，其具有极低场发射电压，可传输极大电流密度，且电流极稳定，因而非常适合做场发射电子器件的电子发射源。目前碳纳米管最为热门的研究是平面显示方面的应用，例如应用在字符、图形及图像的显示。除此之外，在电光源领域，碳纳米管也具备潜在的应用前景，例如开发出应用在液晶显示器的背光源或照明用的光源。目前节能型高效光源多数利用水银，从环保角度看这是极为不利的，应当以其它光源取代之。因此利用碳纳米管的场发射特性制作光源是发展的趋势之一。碳纳米管平面光源的内部为一定的真空度。真空度是决定场发射稳定性的一个重要因素，如果碳纳米管阴极附近的真空度太低，将产生打火、气体电离、离子回轰阴极等问题，而将导致阴极发射电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场发射阴极，包括：一阴极导电层及一形成在所述阴极导电层上的电子发射体；其特征在于：所述电子发射体含有碳纳米管及吸气剂材料。

【技术特征摘要】
1.一种场发射阴极，包括一阴极导电层及一形成在所述阴极导电层上的电子发射体；其特征在于所述电子发射体含有碳纳米管及吸气剂材料。2.如权利要求1所述的场发射阴极，其特征在于所述的电子发射体为两层结构，所述吸气剂材料形成一吸气剂材料层，所述碳纳米管在所述吸气剂材料层上形成一碳纳米管层，该吸气剂材料层位于所述阴极导电层上。3.如权利要求1所述的场发射阴极，其特征在于所述的电子发射体为单层结构，所述碳纳米管为阵列分布，所述吸气剂材料分布在碳纳米管阵列之间。4.如权利要求1所述的场发射阴极，其特征在于所述的电子发射体为单层结构，所述碳纳米管及吸气剂材料是混合分布。5.如权利要求2、3或4所述的场发射阴极，其特征在于所述的吸气剂材料是非蒸散型吸气剂材料。6.一种平面光源，包括一场发射阴极，其包括一阴极导电层及一形成在所述阴极导电层上的电子发射体；及一阳极，其包括一阳极导电层及一形成在所述阳极导电层上的荧光体层，该荧光体层和所述电子发射体相对；其特征在于所述电子发射体含有碳纳米管及吸气剂材料。7.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭彩林，潜力，唐洁，刘亮，杜秉初，胡昭复，陈丕瑾，范守善，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]