主体材料、有机光电器件及显示或照明装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种主体材料，该主体材料包含至少一种第一主体化合物和至少一种第二主体化合物，其中所述第一主体化合物由通式Ⅰ表示并且所述第二主体化合物由通式Ⅱ表示：本发明专利技术的主体材料应用于发光层后的器件的电流效率有了显著提升，同时器件寿命也有所提升。同时器件寿命也有所提升。

【技术实现步骤摘要】
主体材料、有机光电器件及显示或照明装置


[0001]本专利技术涉及一种主体材料。更特别地，涉及一种主体材料、有机光电器件及显示或照明装置。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件(Organic Light
‑
Emitting Diode，简称为OLED)具有薄型且能在低驱动电压下高亮度发光以及能通过选择发光材料而进行多色发光的特征，因此倍受关注。
[0003]有机光电器件(例如有机电致发光器件)通过在器件两端施加电压，将电能转换成光。有机电致发光器件包括阳极、阴极和在阳极与阴极之间的有机层，该有机层可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层(包含主体材料和掺杂材料)、电子缓冲层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层等。根据材料功能的不同，组成有机层的材料可以分为空穴注入材料、空穴传输材料、电子阻挡材料、发光材料、电子缓冲材料、空穴阻挡材料、电子传输材料、空穴阻挡材料等。当施加偏压于器件，空穴从阳极注入至发光层，电子从阴极注入至发光层，空穴和电子相遇形成激子，激子复合发光，其中发光层对有机发光器件的性能的影响最为关键。发光层材料需要具有高的量子效率、高电子迁移率和高空穴迁移率等特性，发光层材料可以使用主体材料和掺杂材料的组合来提高颜色纯度、发光效率和稳定性。为了获得具有更高效率和更长的使用寿命等的有机光电器件，选择合适的主体材料和掺杂材料的匹配组合十分重要。日本专利申请公开号2001
‑
23777公开了含氮的5元杂芳基缩合在菲骨架的中间苯环化合物作为主体材料的有机电致发光器件，其中公开的包含上述化合物的有机电致发光器件具有优异的蓝色的颜色纯度特性。然而，上述化合物在驱动电压、电流效率以及驱动寿命方面仍需要改进。

技术实现思路

[0004]为了克服现有技术中存在的缺陷，本专利技术提供一种主体材料、有机光电器件及显示或照明装置。本专利技术的有机光电器件具有高电流效率及长使用寿命。
[0005]为了实现本专利技术的目的，本专利技术的技术方案如下：
[0006]本专利技术提供了一种主体材料，所述主体材料包含至少一种第一主体化合物和至少一种第二主体化合物，其中所述第一主体化合物由通式Ⅰ表示并且所述第二主体化合物由通式Ⅱ表示：
[0007][0008]其中，X1‑
X8各自独立地选自CR或N原子，其中R选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基；
[0009]X1‑
X8彼此相同或不同；
[0010]L1、L2和L3各自独立地选自单键或取代或未取代的芳基；
[0011]R1、R2和R3各自独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C4～C30杂芳基或与邻近的原子键合成环，其中R1、R2和R3中至少一者选自如下取代或未取代的基团：
[0012][0013][0014]其中，R4‑
R
10
各自独立地选自氢、取代或未取代的C1
‑
C15烷基、取代或未取代的C6～C30芳基或取代或未取代的C4～C30杂芳基；
[0015]当X1‑
X8均不为N原子时，R1、R2和R3不全相同或全部不相同；
[0016][0017]其中，Ar1、Ar2和Ar3各自独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基或取代或未取代的C3～C30杂芳基；
[0018]Z1、Z2和Z3各自独立地选自碳或氮；
[0019]Y1和Y2各自独立地选自NR1或氧，其中R1为取代或未取代的C1～C20烷基、取代或未取代的C6～30芳基或取代或未取代的C3～C30杂芳基；
[0020]R
11
为氢、取代或未取代的C1
‑
C15烷基、取代或未取代的C6～C30芳基或取代或未取代的C4～C30杂芳基。
[0021]优选地，其中，由通式Ⅰ表示的化合物选自由以下各项组成的组合：
[0022][0023][0024][0025][0026][0027][0028][0029]优选地，式Ⅱ选自以下化合物：
[0030][0031]其中，Ar1、Ar2和Ar3各自独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基或取代或未取代的C3～C30杂芳基；
[0032]Z1、Z2和Z3各自独立地选自碳或氮；
[0033]R
11
为氢、取代或未取代的C1
‑
C15烷基、取代或未取代的C6～C30芳基或取代或未取代的C4～C30杂芳基。更优选地，其中，由式Ⅱ表示的化合物选自由以下各项组成的群组：
[0034][0035][0036][0037][0038][0039][0040][0041][0042][0043][0044]本专利技术又提供了一种有机光电器件，其包括阴极层、阳极层和有机层，其中，所述有机层为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层或电子传输层中至少一层，其中，所述发光层中含有该主体材料。
[0045]优选地，其中所述有机层为发光层，所述发光层还包含掺杂剂，其中所述主体材料与所述掺杂剂的质量比为1：99～99：1。优选地，其中所述第一主体化合物与所述第二主体化合物的质量比为1：99～99：1。
[0046]优选地，其中所述有机光电器件为有机光伏器件、有机发光器件、有机太阳电池、电子纸、有机感光体、有机薄膜晶体管或有机内存器件。
[0047]本专利技术进一步提供了一种显示或照明装置，其包括该有机光电器件。
[0048]本专利技术由通式Ⅰ表示的三并咔唑化合物具有较高的三线态能级，因此，具有好的空穴传输能力。本专利技术由通式Ⅱ表示的菲并噻唑、噁唑、呋喃、噻吩等的衍生化合物固有地具有高电负性和富电子基团，并且两种通式表示的化合物因其中三并咔唑、菲和噁唑、菲和噻唑、菲和呋喃或菲和噻吩等是稠合的结构而具有刚性特性，使得本专利技术的这两种衍生物促进了分子之间的电荷跃迁。另外，三并咔唑衍生物和菲和噁唑、菲和噻唑、菲和呋喃或菲和噻吩等衍生物具有良好的平面性，能增强此两种分子间堆叠，能更容易实现水平分子取向，从而使得能够实现快速电子电流特征。可以实现具有高效率及长寿命的有机电致发光器件。
具体实施方式
[0049]在下文中，将详细描述本专利技术。然而，以下描述旨在解释本专利技术，并不意味着以任何方式限制本专利技术的范围。
[0050]本专利技术提供了上述主体材料在有机光电器件中的应用。
[0051]本专利技术的有机光电器件顺次包括沉积的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
[0052]本专利技术的有机光电器件包括阳极、阴极以及位于阳极与阴极之间的若干个有机层，该有机层含有该主体材料。
[0053]本专利技术的有机光电器件是包含有通式Ⅰ和通式Ⅱ作为发光层的多种主体材料的发光器件，该发光器件包含基板、第一电极、有机层、第二电极以及覆盖层，优选的器件可包括基板，位于基板上的第一电极，位于第一电极上的有机层，位于有机层上的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.主体材料，所述主体材料包含至少一种第一主体化合物和至少一种第二主体化合物，其中所述第一主体化合物由通式Ⅰ表示并且所述第二主体化合物由通式Ⅱ表示：其中，X1‑
X8各自独立地选自CR或N原子，其中R选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳基或杂芳基；X1‑
X8彼此相同或不同；L1、L2和L3各自独立地选自单键或取代或未取代的芳基；R1、R2和R3各自独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C4～C30杂芳基或与邻近的原子键合成环，其中R1、R2和R3中至少一者选自如下取代或未取代的基团：
其中，R4‑
R
10
各自独立地选自氢、取代或未取代的C1
‑
C15烷基、取代或未取代的C6～C30芳基或取代或未取代的C4～C30杂芳基；当X1‑
X8均不为N原子时，R1、R2和R3不全相同或全部不相同；其中，Ar1、Ar2和Ar3各自独立地选自取代或未取代的C6～C30芳基或取代或未取代的C3～C30杂芳基；Z1、Z2和Z3各自独立地选自碳或氮；Y1和Y2各自独立地选自NR1或氧，其中R1为取代或未取代的C1～C20烷基、取代或未取代的C6～30芳基或取代或未取代的C3～C30杂芳基；R
11
为氢、取代或未取代的C1
‑
C15烷基、取代或未取代的C6～C30芳基或取代或未取代的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏，王子兴，高春吉，
申请(专利权)人：浙江华显光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：