发光器件、发光设备、显示装置、电子设备及照明装置制造方法及图纸

技术编号:31477218 阅读:26 留言:0更新日期:2021-12-18 12:08
提供一种发光效率和可靠性都高的发光器件。该发光器件包括第一发光单元及第二发光单元。第一发光单元包括第一发光层,第一发光层包含第一材料及第二材料,第一材料具有将三重激发能转换为发光的功能,第二材料具有将单重激发能转换为发光的功能并包含发光体及五个以上的保护基,发光体为稠合芳香环或稠合杂芳环,五个以上的保护基分别独立具有碳原子数为1以上且10以下的烷基、取代或未取代的碳原子数为3以上且10以下的环烷基和碳原子数为3以上且12以下的三烷基硅基中的任一个,并且从第二材料得到发光。二材料得到发光。二材料得到发光。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光器件、发光设备、显示装置、电子设备及照明装置


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种发光器件或包括该发光器件的显示装置、电子设备及照明装置。
[0002]注意,本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。此外,本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(composition of matter)。由此,更具体而言,作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光器件、照明装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。

技术介绍

[0003]近年来,对利用电致发光(Electroluminescence:EL)的发光器件的研究开发日益火热。这些发光器件的基本结构是在一对电极之间夹有包含发光性物质的层(EL层)的结构。通过将电压施加到该器件的电极间,可以获得来自发光性物质的发光。
[0004]尤其是,因为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光器件,包括:一对电极间的第一发光单元、第二发光单元以及电荷产生层,其中,所述第一发光单元包括第一发光层,所述第一发光层包含第一材料及第二材料,所述第一材料具有将三重激发能转换为发光的功能,所述第二材料具有将单重激发能转换为发光的功能并包含发光体及五个以上的保护基,所述发光体为稠合芳香环或稠合杂芳环,所述五个以上的保护基分别独立具有碳原子数为1以上且10以下的烷基、取代或未取代的碳原子数为3以上且10以下的环烷基和碳原子数为3以上且12以下的三烷基硅基中的任一个,并且,从所述第二材料得到发光。2.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述五个以上的保护基中的至少四个分别独立为碳原子数为3以上且10以下的烷基、取代或未取代的碳原子数为3以上且10以下的环烷基和碳原子数为3以上且12以下的三烷基硅基中的任一个。3.一种发光器件,包括:一对电极间的第一发光单元、第二发光单元以及电荷产生层,其中,所述第一发光单元包括第一发光层,所述第一发光层包含第一材料及第二材料,所述第一材料具有将三重激发能转换为发光的功能,所述第二材料具有将单重激发能转换为发光的功能并包含发光体及至少四个保护基,所述发光体为稠合芳香环或稠合杂芳环,所述四个保护基不与所述稠合芳香环或所述稠合杂芳环直接键合,所述四个保护基分别独立具有碳原子数为3以上且10以下的烷基、取代或未取代的碳原子数为3以上且10以下的环烷基和碳原子数为3以上且12以下的三烷基硅基中的任一个,并且,从所述第二材料得到发光。4.一种发光器件,包括:一对电极间的第一发光单元、第二发光单元以及电荷产生层,其中,所述第一发光单元包括第一发光层,所述第一发光层包含第一材料及第二材料,所述第一材料具有将三重激发能转换为发光的功能,所述第二材料具有将单重激发能转换为发光的功能,所述第二材料包含发光体及两个以上的二芳基氨基,所述发光体为稠合芳香环或稠合杂芳环,所述稠合芳香环或所述稠合杂芳环键合于所述两个以上的二芳基氨基,所述两个以上的二芳基氨基中的芳基分别独立具有至少一个保护基,所述保护基具有碳原子数为3以上且10以下的烷基、取代或未取代的碳原子数为3以上且10以下的环烷基和碳原子数为3以上且12以下的三烷基硅基中的任一个,
并且,从所述第二材料得到发光。5.一种发光器件,包括:一对电极间的第一发光单元、第二发光单元以及电荷产生层,其中,所述第一发光单元包括第一发光层,所述第一发光层包含第一材料及第二材料,所述第一材料具有将三重激发能转换为发光的功能,所述第二材料具有将单重激发能转换为发光的功能并包含发光体及两个以上的二芳基氨基,所述发光体为稠合芳香环或稠合杂芳环,所述稠合芳香环或所述稠合杂芳环键合于所述两个以上的二芳基氨基,所述两个以上的二芳基氨基中的芳基分别独立具有至少两个保护基,所述保护基具有碳原子数为3以上且10以下的烷基、取代或未取代的碳原子...

【专利技术属性】
技术研发人员:石曾根崇浩大泽信晴濑尾哲史
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
类型:发明
国别省市:

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