一种选通器件及其制备方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种选通器件及其制备方法，所述选通器件包括制备在衬底上的第一电极层、中间介质层和第二电极层；所述中间介质层设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间，其中，所述第一电极层为惰性电极，所述第二电极层为惰性电极，所述中间介质层包括奇数个绝缘的介质层，且相邻介质层均为不同硫系化合物结构层，在实际应用中，中间介质层层数的增加，以及锑、碲元素的掺杂共同提升了选通器件的稳定性、耐久性及可靠性。耐久性及可靠性。耐久性及可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种选通器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及微纳电子器件
，尤其涉及一种选通器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着计算机、物联网和数字媒体等的进一步发展，数据的爆炸式增长对存储容量和存储密度提出了越来越高的要求。在这其中，忆阻器作为一种新兴的纳米信息器件，具有开关性能和工艺尺寸等方面的优势，是国内外研究的重点领域。然而，忆阻器交叉阵列中存在泄漏电流问题，成为阻碍大规模忆阻器阵列应用的瓶颈。
[0003]目前，将忆阻器与具有高度非线性的两端选通器件集成，可以与忆阻器工艺兼容，能够有效缓解泄漏电流的问题，是一种能够实现大规模阵列集成的可行方案。但选通器件的研究还处于探索阶段，在稳定性、可靠性及耐久性等方面还存在诸多挑战。因此，亟需设计一种稳定性及耐久性高的选通器件。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请的目的之一在于提供一种选通器件及其制备方法，可提升选通器件的稳定性、可靠性和耐久性。
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种选通器件，所述选通器件包括制备在衬底上的第一电极层、中间介质本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种选通器件，其特征在于，所述选通器件包括制备在衬底上的第一电极层、中间介质层和第二电极层；所述中间介质层设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间，其中，所述第一电极层为和所述第二电极层均为惰性电极，所述中间介质层包括奇数个绝缘的介质层，且相邻介质层均为不同硫系化合物结构层。2.根据权利要求1所述的选通器件，其特征在于，所述中间介质层包括依次叠加设置的第一介质层、第二介质层、第三介质层、第四介质层和第五介质层，其中，所述第一介质层贴合所述第一电极层，所述第五介质层贴合所述第二电极层；所述中间介质层的厚度范围为20纳米至100纳米。3.根据权利要求2所述的选通器件，其特征在于，所述第一介质层、所述第三介质层和所述第五介质层均为锗硒化合物结构层，所述第二介质层和所述第四介质层均为掺杂锑和碲元素的锗硒化合物结构层。4.根据权利要求2所述的选通器件，其特征在于，所述第一介质层和所述第三介质层基于所述第二介质层保持对称；所述第三介质层和所述第五介质层基于所述第四介质层保持对称；所述第二介质层和所述第四介质层基于所述第三介质层保持对称。5.根据权利要求1所述的选通器件，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层均为氮化钛金属层、钨金属层、钼金属层或铝金属层；所述第一电极层和所述第二电极层的厚度范围均为20纳米至60纳米。6.一种选通器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：采用惰性材料在衬底上制备第一电极层，其中，所述衬底为硅结构层或硅化物结构层；在所述第一电极层的表面上制备中间介质层，所述中间介质层为奇数个绝缘的介质层，且相邻介质层均为不同硫系化合物结构层；采用惰性材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋兵，李清江，刘海军，张诗清，于红旗，刘森，王伟，陈长林，王义楠，李智炜，步凯，王玺，曹荣荣，徐晖，刁节涛，王琴，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：