物理瞬态阈值开关器件及其制备方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种物理瞬态阈值开关器件及其制备方法和装置，使用惰性金属材料，在衬底上制备底电极，将聚乙烯醇溶液滴在所述底电极上，以使聚乙烯醇溶液覆盖所述底电极的面积大于所述底电极表面积的一半，使用旋涂机进行旋涂，以使聚乙烯醇溶液分散于所述底电极表面，得到阻变功能层，使用活性金属材料，在所述阻变功能层上制备顶电极，得到物理瞬态阈值开关器件。该方法绿色环保，且适用于大面积旋涂，制备过程较为简洁，有助于大面积、高质量的物理瞬态阈值开关器件的制备。另外，物理瞬态阈值开关器件可以在溶液环境中实现触发式自销毁，保障了数据的安全存储。保障了数据的安全存储。保障了数据的安全存储。

【技术实现步骤摘要】
物理瞬态阈值开关器件及其制备方法和装置


[0001]本专利技术属于半导体器件
，具体涉及物理瞬态阈值开关器件及其制备方法和装置。

技术介绍

[0002]在新兴的存储器中，阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)有着简单的器件结构、简洁的制备工艺、较低的功耗以及理想的可扩展性，已然在大容量存储、神经计算以及逻辑功能构建等方面展现了重要潜能。当前，为了发挥两端RRAM器件的高密度集成优势，通常采用十字交叉型器件结构展开RRAM的集成应用。然而，在RRAM的高密度十字交叉阵列中却广泛存在着一类由泄漏电流所引发的串扰问题，不仅增大了体系的实际功耗，还会造成阻态的误读问题，给RRAM阵列的可靠应用带来了诸多隐患。
[0003]为了解决泄漏电流所产生的串扰问题，制备选通器件并与RRAM进行串联集成是当前普遍使用的解决方法。这类选通器件包括有：场效应晶体管、二极管以及选择器。Maheswari Sivan等人基于WSe2分别制备了晶体管与RRAM器件，并完成了串联集成，形成了1T1R(One Tran本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种物理瞬态阈值开关器件的制备方法，其特征在于，包括：使用惰性金属材料，在衬底上制备底电极；将聚乙烯醇溶液滴在所述底电极上，以使所述聚乙烯醇溶液覆盖所述底电极的面积大于所述底电极表面积的一半；使用旋涂机进行旋涂，以使所述聚乙烯醇溶液分散于所述底电极表面，得到阻变功能层；使用活性金属材料，在所述阻变功能层上制备顶电极，得到物理瞬态阈值开关器件。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将聚乙烯醇溶液滴在所述底电极上，以使聚乙烯醇溶液覆盖所述底电极的面积大于所述底电极表面积的一半之前，还包括：将分子量为13000～23000，87％～89％水解的聚乙烯醇粉末，以10wt％的质量比与去离子水混合，得到混合溶液；在60～80摄氏度下，对所述混合溶液进行磁力搅拌24～36小时，得到聚乙烯醇溶液。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用旋涂机进行旋涂，以使所述聚乙烯醇溶液分散于所述底电极表面，得到阻变功能层，包括：将旋涂机的旋涂转速设为450～500rpm，旋涂8～10s；将所述旋涂机的转速调整到2000～2200rpm，旋涂40～50s，以使所述聚乙烯醇溶液分散于所述底电极表面，并在氮气柜中静置36～48小时，使其自然晾干，得到阻变功能层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用惰性金属材料，在衬底上制备底电极之前，还包括：对初始衬底进行清洗，得到清洗完成的衬底；分别使用丙酮，异丙醇对所述清洗完成的衬底进行超声处理；用去离子水冲洗，使用氮气枪吹干，得到衬底。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用惰性金属材料，在衬底上制备底电极，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：马晓华，孙静，王宏，杨眉，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：