一种三相整流模块及其制作方法技术

本申请提供了一种三相整流模块及其制作方法，涉及三相整流技术领域。该三相整流模块包括底板、覆铜板、过桥、交流引出端、正极引出端、负极引出端、共阴极整流二极管芯片、共阳极整流二极管芯片以及电极片，覆铜板包括共阳覆铜区、共阴覆铜区以及交流覆铜区，共阳覆铜区、共阴覆铜区以及交流覆铜区间隔设置，且共阴覆铜区位于阳覆铜区、交流覆铜区之间。本申请提供的三相整流模块及其制作方法具有散热更加均匀，可靠性更高的优点。可靠性更高的优点。可靠性更高的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种三相整流模块及其制作方法


[0001]本申请涉及三相整流
，具体而言，涉及一种三相整流模块及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着能源革命的推进，新能源汽车及变频器的不断成熟应用，整流元器件特别是三相整流模块得到更为广泛的应用，然而市场上现有的三相整流模块，存在着结构布局不合理导致的各芯片间线压降差别大(某些不合理设计，会导致额定电流下不同芯片VF差异超过0.2V)，布线占用陶瓷覆铜板(DBC)面积大，在规定的陶瓷覆铜板(DBC)的尺寸下，不能封装更大的芯片尺寸，热设计不合理进而导致各芯片间结温差异大导致整个三相整流模块的可靠性差。
[0003]综上，现有技术中存在三相整流模块可靠性与散热性较差。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种三相整流模块及其制作方法，以解决现有技术中存在的三相整流模块可靠性与散热性较差的问题。
[0005]为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
[0006]一方面，本申请提供了一种三相整流模块，所述三相整流模块包括底板、覆铜板、过桥、交流引出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三相整流模块，其特征在于，所述三相整流模块包括底板、覆铜板、过桥、交流引出端、正极引出端、负极引出端、共阴极整流二极管芯片、共阳极整流二极管芯片以及电极片，所述覆铜板包括共阳覆铜区、共阴覆铜区以及交流覆铜区，所述共阳覆铜区、所述共阴覆铜区以及所述交流覆铜区间隔设置，且所述共阴覆铜区位于所述阳覆铜区、所述交流覆铜区之间；其中，所述共阴极整流二极管芯片的阴极均与所述共阴覆铜区电连接，每个所述共阴极整流二极管芯片的阳极与一个所述电极片电连接；所述共阳极整流二极管芯片的阳极均与所述共阳覆铜区电连接，每个所述共阳极整流二极管芯片的阴极与一个所述电极片电连接；所述正极引出端与所述共阴覆铜区电连接，所述负极引出端与所述共阳覆铜区电连接，每个所述交流引出端与所述交流覆铜区电连接，且每个所述交流引出端通过所述过桥分别与一个所述共阴极整流二极管芯片、一个所述共阳极整流二极管芯片电连接。2.如权利要求1所述的三相整流模块，其特征在于，所述共阴覆铜区、所述共阳覆铜区以及所述交流覆铜区沿横向并排设置，所述共阴极整流二极管芯片包括第一芯片、第二芯片以及第三芯片，所述第一芯片、所述第二芯片以及所述第三芯片在所述共阴覆铜区上呈纵向排列；其中，所述共阴覆铜区上还设置有第一端子连接区，所述第一端子连接区位于所述第一芯片与所述第二芯片之间，所述正极引出端与所述第一端子连接区电连接。3.如权利要求1所述的三相整流模块，其特征在于，所述共阴覆铜区、所述共阳覆铜区以及所述交流覆铜区沿横向并排设置，所述共阳极整流二极管芯片包括第四芯片、第五芯片以及第六芯片，所述第四芯片、所述第五芯片以及所述第六芯片在所述共阳覆铜区上呈纵向排列；其中，所述共阳覆铜区上还设置有第二端子连接区，所述第一端子连接区位于所述第五芯片与所述第六芯片之间，所述正极引出端与所述第二端子连接区电连接。4.如权利要求1所述的三相整流模块，其特征在于，所述交流覆铜区包括第一交流覆铜区、第二交流覆铜区以及第三交流覆铜区，所述第一交流覆铜区、所述第二交流覆铜区以及所述第三交流覆铜区并排且隔离设置，所述交流引出端包括第一交流引出端、第二交流引出端以及第三交流引出端，所述第一交流引出端与所述第一交流覆铜区连接，所述第二交流引出端与所述第二交流覆铜区连接，所述第三交流引出端与所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴家健，王成森，孙健锋，钱嘉丽，陆施睿，
申请(专利权)人：捷捷半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：