一种片上光源调制系统技术方案

本发明专利技术公开了一种片上光源调制系统，包括：硅基底、二氧化硅埋氧层和氮化硅层，氮化硅层包括依次设置的第一波导至第四波导，第一波导和第二波导之间设置有微环谐振腔，且微环谐振腔与第一波导之间的间距为第一设定距离，微环谐振腔与第二波导之间的间距为第二设定距离；第二波导与第三波导之间设置有微环滤波器，微环滤波器与第二波导之间的间距为第三设定距离，微环滤波器与第三波导之间的间距为第四设定距离；第三波导与第四波导之间设置有微环调制器，微环调制器与第三波导之间的间距为第五设定距离，微环调制器与第四波导之间的间距为第六设定距离。本系统利用三个氮化硅微环结构对输入的光源进行处理，可以产生自由光谱范围更宽的光频梳。范围更宽的光频梳。范围更宽的光频梳。

【技术实现步骤摘要】
一种片上光源调制系统


[0001]本专利技术涉及微波光子学
，尤其涉及一种片上光源调制系统。

技术介绍

[0002]现有技术中，通常利用锁模激光器来得到光频梳，例如，公布号为CN108923250A的中国专利技术专利申请，提出了一种片上集成傅里叶锁模激光器，该激光器包括半导体光放大器、微波光子微环滤波器、分束器、光隔离器和片上集成光延时线，共同形成光学环路来产生光学谐振，从而得到光频梳。
[0003]这种通过锁模激光器得到光频梳的优点是能够实现单片集成，缺点是实现光频梳的光谱宽度较窄，光谱宽度能够达到十几个nm，梳齿间隔为十几到几十GHz之间；另外，由于锁模激光器谐振腔损耗比较大，导致相噪不是很理想，因此，得到光频梳的脉冲质量较差，相位噪声较差。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种片上光源调制系统，以解决现有技术中利用锁模激光器得到光频梳的光谱宽度较窄的问题。
[0005]基于上述目的，一种片上光源调制系统，包括：
[0006]硅基底120、二氧化硅埋氧层110和氮化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种片上光源调制系统，其特征在于，包括：硅基底(120)、二氧化硅埋氧层(110)和氮化硅层(100)，二氧化硅埋氧层(110)设置在硅基底(120)的上表面，氮化硅层(100)设置在二氧化硅埋氧层(110)的上表面；氮化硅层(100)包括：依次设置的氮化硅第一波导(2)、氮化硅第二波导(4)、氮化硅第三波导(6)以及氮化硅第四波导(10)，氮化硅第一波导(2)和氮化硅第二波导(4)之间设置有微环谐振腔(3)，且微环谐振腔(3)与氮化硅第一波导(2)之间的间距为第一设定距离，微环谐振腔(3)与氮化硅第二波导(4)之间的间距为第二设定距离；氮化硅第二波导(4)与氮化硅第三波导(6)之间设置有微环滤波器(5)，微环滤波器(5)与氮化硅第二波导(4)之间的间距为第三设定距离，微环滤波器(5)与氮化硅第三波导(6)之间的间距为第四设定距离；氮化硅第三波导(6)与氮化硅第四波导(10)之间设置有微环调制器(7)，微环调制器(7)与氮化硅第三波导(6)之间的间距为第五设定距离，微环调制器(7)与氮化硅第四波导(10)之间的间距为第六设定距离；所述的微环谐振腔(3)、微环滤波器(5)、微环调制器(7)均采用氮化硅微环结构。2.如权利要求1所述的片上光源调制系统，其特征在于，所述的微环调制器(7)上设置有第一电极(8)和第二电极(9)，第一电极(8)用于连接电源正极，第二电极(9)用于连接电源负极。3.如权利要求1所述的片上光源调制系统，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫培光，商镇远，陈浩，张子鸣，杨俊波，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：