低压放电管芯片的制造方法技术

一种低压放电管芯片的制造方法，由于在形成阳极层之前形成了阳极埋层，所述阳极埋层位于所述衬底层的部分表面，且是向所述阳极埋层区域的位置处注入深度为第一厚度的第二导电类型的杂质离子，进一步再形成阳极层、阴极层以及隔离层，由于放电管芯片是PNPN结构，形成过程中一直在不断的进行浓度迭加，因此衬底层的掺杂浓度相对最淡，阻抗最高，本发明专利技术中在衬底内部设置阳极埋层可以使N型的衬底层中阻抗大的长度减小，也就是说减小了阻抗高的那部分的总长度，使得放电管芯片的阻抗降低，进而使其导通压降降低，提高了低压放电管芯片的性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
低压放电管芯片的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及一种低压放电管芯片的制造方法。

技术介绍

[0002]TSS(Thyristor Surge Suppressor，电压开关型瞬态抑制二极管)也称为半导体放电管，或者固体放电管等，TSS作为一种防浪涌保护器件，TSS不仅可以吸收闪电、电源通断所产生的感应电压，还可以吸收由于高压线路与信号线路之间的意外接触或者错误操作所造成的过电压，具有重要意义。其工作原理与气体放电管类似，与被保护电路并联，当TSS两端的过电压超过TSS的击穿电压时，TSS将过电压钳位至比击穿电压更低的电位上，此时这个更低的电位可以称之为导通压降，导通压降应接近0V，使得TSS器件所在的线路短路，TSS持续这种导通压降下的短路状态，直到流过TSS的过电流降到临界值以下后，TSS恢复开路状态。但是，实际上的TSS器件的导通压降是无法达到0V的，目前的TSS器件的导通压降一般在1V
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3V，对于一些电路来说，防浪涌保护能力还是有限。
[0003]因此，需要一种能够使导通压降更低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压放电管芯片的制造方法，其特征在于，包括：提供第一导电类型的衬底层，所述衬底层具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，在所述衬底层的第一表面形成器件层，所述器件层的形成步骤包括：定义出阳极埋层区域，所述阳极埋层区域位于所述衬底层的部分表面，向所述阳极埋层区域的位置处注入深度为第一厚度的第二导电类型的杂质离子，以形成阳极埋层；向所述衬底层的第一表面注入深度为第二厚度的第二导电类型的杂质离子，以形成阳极层，第二厚度小于第一厚度；在所述阳极区上定义出阴极区域，并向所述阴极区域的位置处注入第一导电类型的杂质离子，以形成阴极层，所述阴极层的厚度小于所述阳极层的厚度；定义出隔离区，对所述隔离区进行刻蚀工艺，形成隔离层，并在所述隔离层内覆盖钝化材料；在所述阳极区的上表面形成电极层。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括，在形成所述阳极层之前，还包括步骤：定义出重掺杂区域，向所述重掺杂区域的位置处注入第一导电类型的杂质离子，以形成重掺杂层，所述重掺杂层的注入深度大于所述阳极层的厚度。3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，向所述重掺杂区域的位置处注入第一导电类型的杂质离...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓锋，张潘德，
申请(专利权)人：浙江里阳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：