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一种低压放电管芯片的制造方法，由于在形成阳极层之前形成了阳极埋层，所述阳极埋层位于所述衬底层的部分表面，且是向所述阳极埋层区域的位置处注入深度为第一厚度的第二导电类型的杂质离子，进一步再形成阳极层、阴极层以及隔离层，由于放电管芯片是PNPN...
该专利属于浙江里阳半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江里阳半导体有限公司授权不得商用。

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