粘合片、粘合片的制造方法及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及粘合片，该粘合片具有基材(Y)、和含有能量射线聚合性成分的聚合物及膨胀起始温度(t)为50～110℃的热膨胀性粒子的粘合剂层(X1)，其中，粘合剂层(X1)是向含有上述能量射线聚合性成分及上述热膨胀性粒子的聚合性组合物照射能量射线而形成上述能量射线聚合性成分的聚合物而成的层。合性成分的聚合物而成的层。合性成分的聚合物而成的层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粘合片、粘合片的制造方法及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及粘合片、粘合片的制造方法及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]粘合片不仅可用于半永久性地固定构件的用途，还有时作为在对建材、内部装饰材料、电子部件等进行加工或检查时用于对成为加工、检查的对象的构件(以下，也称为“被粘附物”)进行临时固定的临时固定用片而使用。例如，在半导体装置的制造过程中，在对半导体晶片进行加工时已使用了临时固定用片。
[0003]在半导体装置的制造过程中，半导体晶片经过通过磨削而使厚度变薄的磨削工序、进行切断分离而进行单片化的单片化工序等而被加工成半导体芯片。此时，半导体晶片在被临时固定于临时固定用片的状态下被实施给定的加工。对于实施了给定的加工而得到的半导体芯片，在从临时固定用片分离之后，根据需要而被适当地实施扩大半导体芯片彼此的间隔的扩片工序、使扩大了间隔后的多个半导体芯片排列的再排列工序、使半导体芯片的表背面翻转的翻转工序等，然后被安装于基板。在上述各工序中也可以使用适于各自的用途的临时固定用片。
[0004]专利文献1中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种粘合片，其具有：基材(Y)、和含有能量射线聚合性成分的聚合物及膨胀起始温度(t)为50～110℃的热膨胀性粒子的粘合剂层(X1)，其中，粘合剂层(X1)是向含有所述能量射线聚合性成分及所述热膨胀性粒子的聚合性组合物照射能量射线而形成所述能量射线聚合性成分的聚合物而成的层。2.根据权利要求1所述的粘合片，其中，相对于粘合剂层(X1)的总质量100质量％，所述热膨胀性粒子的含量为1～30质量％。3.根据权利要求1或2所述的粘合片，其中，粘合剂层(X1)在23℃下的厚度为5～150μm。4.根据权利要求1～3中任一项所述的粘合片，其中，粘合剂层(X1)在23℃下的粘合力为0.1～12.0N/25mm。5.根据权利要求1～4中任一项所述的粘合片，其中，所述热膨胀性粒子在23℃下的平均粒径为1～30μm。6.根据权利要求1～5中任一项所述的粘合片，其具有：基材(Y)、设置于基材(Y)的一面侧的粘合剂层(X1)、以及设置于基材(Y)的另一面侧的粘合剂层(X2)。7.根据权利要求6所述的粘合片，其中，粘合剂层(X2)是通过照射能量射线而固化从而发生粘合力降低的粘合剂层。8.一种粘合片的制造方法，其是制造权利要求1～7中任一项所述的粘合片的方法，其中，形成粘合剂层(X1)的方法包括：对含有所述能量射线聚合性成分及所述热膨胀性粒子的聚合性组合物照射能量射线而形成所述能量射线聚合性成分的聚合物的工序。9.根据权利要求8所述的粘合片的制造方法，其中，所述形成粘合剂层(X1)的方法包括下述工序I及II，工序I：在基材(Y)的一面侧形成聚合性组合物层的工序，所述聚合性组合物层由所述聚合性组合物形成；工序II：通过对所述聚合性组合物层照射能量射线而形成所述能量射线聚合性成分的聚合物，从而形成含有该聚合物和所述热膨胀性粒子的粘合剂层(X1)的工序。10.根据权利要求8或9所述的粘合片的制造方法，其中，所述聚合性组合物不含有溶剂。11.根据权利要求8～1...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿久津高志，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：