一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置，涉及显示技术领域，用于提升薄膜晶体管的特性。所述薄膜晶体管包括：设置于基底上的有源层，有源层形成为栅格状结构，包括多条沿第一方向延伸的硅纳米线，有源层包括沿第一方向相对设置的源极区和漏极区，以及位于源极区和漏极区之间的沟道区；设置于基底上的栅极，栅极沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相交，栅极在基底上的正投影，与沟道区中的多条硅纳米线在基底上的正投影分别交叠；设置于基底上的源极和漏极，源极与源极区中的多条硅纳米线分别接触，漏极与漏极区中的多条硅纳米线分别接触。的多条硅纳米线分别接触。的多条硅纳米线分别接触。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置。

技术介绍

[0002]随着显示技术的不断发展，有源矩阵有机发光二极管(英文：Active-MatrixOrganic Light-Emitting Diode，简称：AMOLED)显示器件，以及液晶显示器(英文：Liquid Crystal Display，简称：LCD)的应用范围越来越广泛。其中薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor，简称：TFT)作为AMOLED显示器件和LCD的核心器件受到了极大的关注。但是目前应用在显示器件中的薄膜晶体管特性较差，不利于显示器件的显示质量。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置，用于提升薄膜晶体管的特性。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0005]本专利技术的第一方面提供一种薄膜晶体管，包括：
[0006]基底；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基底；设置于所述基底上的有源层，所述有源层形成为栅格状结构，包括多条沿第一方向延伸的硅纳米线，所述有源层包括沿所述第一方向相对设置的源极区和漏极区，以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；设置于所述基底上的栅极，所述栅极沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交，所述栅极在所述基底上的正投影，与所述沟道区中的多条所述硅纳米线在所述基底上的正投影分别交叠；设置于所述基底上的源极和漏极，所述源极与所述源极区中的多条所述硅纳米线分别接触，所述漏极与所述漏极区中的多条所述硅纳米线分别接触。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极形成为栅格状结构，包括多个沿所述第二方向延伸的源极图形，每个源极图形均与所述源极区中的多条所述硅纳米线分别接触；所述漏极形成为栅格状结构，包括多个沿所述第二方向延伸的漏极图形，每个漏极图形均与所述漏极区中的多条所述硅纳米线分别接触。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括介质层，所述介质层包括呈栅格状排列的多个凸起结构，所述凸起结构沿所述第一方向延伸，所述凸起结构包括沿所述第一方向延伸的两个第一侧面；所述有源层中包括的硅纳米线与所述第一侧面一一对应，每条所述硅纳米线均沿对应的第一侧面延伸。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：位于所述基底与所述有源层之间的缓冲层，所述缓冲层复用为所述介质层；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述有源层背向所述基底的一侧，所述栅极绝缘层在所述基底上的正投影，覆盖所述沟道区在所述基底上的正投影；所述栅极位于所述栅极绝缘层背向所述基底的一侧；所述薄膜晶体管还包括层间绝缘层，所述层间绝缘层位于所述栅极背向所述基底的一侧；所述源极和所述漏极均位于所述层间绝缘层背向所述基底的一侧，所述源极通过形成在所述层间绝缘层上的第一过孔，与所述源极区中的多条所述硅纳米线分别接触；所述漏极通过形成在所述层间绝缘层上的第二过孔，与所述漏极区中的多条所述硅纳米线分别接触。5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：位于所述基底与所述有源层之间的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层复用为所述介质层；所述栅极位于所述栅极绝缘层与所述基底之间，所述栅极在所述基底上的正投影位于所述栅极绝缘层在所述基底上的正投影的内部；所述源极和所述漏极均位于所述有源层背向所述基底的一侧。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述基底包括玻璃基底或柔性基底。7.一种显示基板，其特征在于，包括如权利要求1～6中任一项所述的薄膜晶体管。
8.一种显示装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺家煜，宁策，李正亮，胡合合，黄杰，姚念琦，王治，关峰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：