一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的导体化处理会导致有源层失去半导体性能或者TFT沟道长度在基板上分布均一性差的问题。本发明专利技术的薄膜晶体管的制备方法包括在导体化区域的邻接半导体区域的一侧形成过孔的步骤，该过孔可以防止导体化区域向半导体区域扩散，可以避免有源层的中部被扩散形成导体。可以避免有源层的中部被扩散形成导体。可以避免有源层的中部被扩散形成导体。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
[0001]本申请是申请号为201910024065.2、申请日为2019年01月
[0002]10日、专利技术名称为“一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置”的分案申请。


[0003]本专利技术属于显示
，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。

技术介绍

[0004]随着显示器尺寸的不断增大，非晶硅薄膜晶体管出现了电子迁移率不足、均一性较差的问题，为了解决上述问题，使用IGZO、ITZO、IZO等氧化物半导体材料取代非晶硅作为有源层的技术应运而生。
[0005]在进行薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)制备时，为了保证TFT中的源极和漏极(S/D)与IGZO有很好的接触，减小S/D搭接阻抗，提升TFT的性能，需对有源层的边缘用于与源漏极接触的位置进行导体化处理。
[0006]专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：有源层的边缘导体化处理后无法避免导体化扩散问题，导体化扩散会致使有源层的中部被扩散形成导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底，设于所述衬底上方的有源层、源极、漏极和栅极，所述有源层包括相连接的导体化区域和半导体区域，所述导体化区域包括与源极和漏极连接的第一导体化区域和与有源层连接的第二导体化区域，在所述第一导体化区域和第二导体化区域之间设置有过孔。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导体化区域的宽度与第二导体化区域宽度不相等。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导体化区域靠近所述源极和漏极形成第一侧壁，所述第二导体化区域远离所述半导体区域形成第二侧壁。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述第二侧壁并填充所述过孔。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡迎宾，赵策，丁远奎，苏同上，倪柳松，刘宁，宋威，闫梁臣，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：