【技术实现步骤摘要】
一种像素结构
[0001]本专利技术涉及像素结构领域,具体涉及了一种触控屏的像素结构。
技术介绍
[0002]对于TIC(Touch in Panel)的产品,即触控线(TP线)在面板上,为满足主动笔以及demux设计等一些产品的触控信号检测准确度要求,需要降低触控线的寄生电容。目前,为降低触控线的寄生电容,一般采用将触控线走线改用金属层,并走在像素电极中间,单对于MID COM架构(共通电极在像素电极下面)的像素,触控线的寄生电容仍然较大。
技术实现思路
[0003]针对现有技术的不足,本专利技术提供一种触控线寄生电容小的像素结构。
[0004]本专利技术的一种像素结构,采用以下技术方案:其包括:基板、数据线、扫描线、薄膜晶体管、像素电极、触控线以及共通电极;
[0005]所述基板上设有覆盖有绝缘层一;
[0006]所述数据线与所述扫描线交错在所述绝缘层上包围像素区,所述绝缘层上依次覆盖有绝缘层二和有机层;
[0007]所述像素电极设在有机层上方,具有多个狭缝;
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种像素结构,其包括:基板、数据线、扫描线、薄膜晶体管、像素电极、触控线以及共通电极;所述基板上设有覆盖有绝缘层一;所述数据线与所述扫描线交错在所述绝缘层上包围像素区,所述绝缘层上依次覆盖有绝缘层二和有机层;所述像素电极设在有机层上方,具有多个狭缝;所述触控线设在绝缘层一上,穿过所述像素区,具有一延伸方向与所述数据线的延伸方向相同;所述薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极,所述栅极电性连接所述扫描线,所述源极电性连接所述数据线,所述漏极电性连接所述像素电极;所述共通电极设在有机层与像素电极之间,且与所述像素电极电性绝缘,共通电极一端电性连接所述薄膜晶体管,另一端电性连接所述触控线;其特征在于:所述共...
【专利技术属性】
技术研发人员:张桂瑜,
申请(专利权)人:华映科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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