一种具有高介电常数的BME瓷介电容器及其制备方法技术

一种具有高介电常数的BME瓷介电容器及其制备方法，BME瓷介电容器由介电层与介电层相互叠加烧制而成，所述介电层包括介质层和印刷在介质层上的电极，介质层包括以下重量份的原料：100份的BZCT主基体、8

【技术实现步骤摘要】
一种具有高介电常数的BME瓷介电容器及其制备方法


[0001]本专利技术属于电容器制备领域，具体涉及一种具有高介电常数的BME瓷介电容器及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着电子产品小型化、多功能化的发展，表面贴装技术得到了广泛的应用与发展。多层陶瓷电容器(Multilayer Ceramic Capacitor)简称MLCC，是表面贴装技术中应用最广泛的一类片式元器件之一。伴随着电子设备小型化的需求，对多层陶瓷电容器在小型化、高比容等方面提出了更高的要求。
[0003]多层陶瓷电容器采用流延
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共烧工艺，通过流延、印刷、叠压将电极层与介电层相互叠加，再通过脱脂、烧结、端电极，从而制成多层陶瓷电容器。为了降低成本，内电极通常采用镍等贱金属。由于贱金属在空气气氛中烧结会发生氧化，所以需要再还原性气氛下进行烧制。另一方面，纯钛酸钡材料在还原气氛下烧结会被还原，发生半导体化，导致绝缘电阻降低，因此要在钛酸钡中加入锰、镁、钙、稀土等元素以使陶瓷材料适合于还原气氛中烧结。
[0004]更高的介电常数、更薄的介质层厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有高介电常数的BME瓷介电容器，由介电层与介电层相互叠加烧制而成，所述介电层包括介质层和印刷在介质层上的电极，其特征在于：所述介质层包括以下重量份的原料：100份的BZCT主基体、8
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12份的改性PVB、0.8
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2.7份的正硅酸乙酯，所述改性PVB为掺杂了Mg、Mn、V、Ba、Ca、Sc、Y、Yb、Dy、Ho、Er中的一种或多种元素的PVB。2.根据权利要求1所述的一种具有高介电常数的BME瓷介电容器，其特征在于：所述BZCT主基体由BaTiO3与ZrO2、Cr2O3采用固相法合成。3.根据权利要求2所述的一种具有高介电常数的BME瓷介电容器，其特征在于：所述BZCT主基体由BaTiO3与ZrO2、Cr2O3按照摩尔比1:0.002
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0.02：0.001
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0.005的比例制成。4.根据权利要求2所述的一种具有高介电常数的BME瓷介电容器，其特征在于：所述BaTiO3的粒径小于250mm，所述ZrO2、Cr2O3的粒径小于100nm。5.根据权利要求1所述的一种具有高介电常数的BME瓷介电容器，其特征在于：所述改性PVB由以下重量份的原料制成：聚乙烯醇100份、丁醛50
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65份、乙烯丙酮镁1.1
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5.7份、乙酰丙酮锰1.3
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4.0份、乙酰丙酮氧钒0.2
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0.7份、乙酰丙酮稀土2.0
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10.0份、乙酰丙酮钪1.7
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3.5份、乙酰丙酮钡1.7
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5.2份、乙酰丙酮钙1.2
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3.7份、盐酸5
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7份、去离子水800
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1000份。6.根据权利要求5所述的一种具有高介电常数的BME瓷介电容器，其特征在于：所述乙酰丙酮稀土为乙酰丙酮钇、乙酰丙酮镱、乙酰丙酮镝、乙酰丙酮钬、乙酰丙酮铒中的一种或多种。7.一种具有高介电常数的BME瓷介电容器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一，固相法合成BZCT主基体；步骤二，合成改性PVB：按配比将聚乙烯醇加入到去离子水中，加热至85
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95℃后，加入乙酰丙酮镁、乙酰丙酮锰、乙酰丙酮氧钒、乙酰丙酮稀土、乙酰丙酮钪、乙酰丙酮钡、乙酰丙酮钙和催化剂盐酸，随后降低温度至25
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45℃，滴加丁醛进行缩合反应0.5
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2h，然后升温至50
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70℃反应0.5
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2h，随后将温度降低至室温，进行水洗、脱水、干燥，即得到改性PVB；步骤三，制备改性PVB粘剂：将改性PVB、乙醇、甲苯按照重量比1:(1.5
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【专利技术属性】
技术研发人员：林志盛，洪志超，周永昌，喻巧，陈永虹，宋运雄，陈清阳，郑冬建，
申请(专利权)人：福建火炬电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：