一种抗工艺失配、无电阻的低温度系数电流基准源制造技术

本发明专利技术公开了一种抗工艺失配、无电阻的低温度系数电流基准源，该电流基准源包括第一场效应管(M1)、第二场效应管(M2)、第三场效应管(M3)、第四场效应管(M4)、第五场效应管(M5)、第六场效应管(M6)、第七场效应管(M7)；此电流基准源为全MOS管结构，可提供皮安(pA)级的低温度系数基准电流，功耗限制在110pW左右，利用MOS管的栅极泄露替代了传统电流基准源中的大电阻，减小了电路面积，同时向2T偏置结构注入与工艺相关的偏置电压，通过同类型管，产生稳定的ΔVTH，使得该电流源无需修调电路，便可使基准电流大小对工艺失配不敏感，同时在各个工艺角下取得低温度系数。艺角下取得低温度系数。艺角下取得低温度系数。

【技术实现步骤摘要】
一种抗工艺失配、无电阻的低温度系数电流基准源


[0001]本专利技术属于电流基准领域，特别涉及一种能够实现超低电压，无需修调电路便可抗工艺失配的低温度系数CMOS电流基准源。

技术介绍

[0002]电流基准模块在模拟电路和数模混合电路中都是一个重要的基础模块，广泛应用于DAC/ADC、DC
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DC转换器、锁相环等。电流基准需要产生一个随电源电压、温度和工艺失配不敏感的稳定基准电流，以此来保证电路正常工作。
[0003]现在的研究中，实现电流基准传统的方式是利用带隙基准来进行设计，但是带隙基准的问题在于需要一个较高的电源电压，不太适用于低电压系统中的应用。另一种方式是利用不同管子的阈值电压VTH随温度的变化的温度系数的不一样来进行叠加生成基准电流，但是问题在于VTH的变化对工艺的敏感性高。还有一种方法是利用V
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I转换用电阻作为桥梁来实现基准电流，但要实现pA级别的电流源，需要一个非常大的电阻，这导致了电流基准源占据的面积非常大。也有论文与本专利技术类似，利用栅极泄露来使得MOS管构成栅极泄露电阻，但是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗工艺失配、无电阻的低温度系数电流基准源，其特征在于：该电流基准源包括第一场效应管(M1)、第二场效应管(M2)、第三场效应管(M3)、第四场效应管(M4)、第五场效应管(M5)、第六场效应管(M6)、第七场效应管(M7)；其中第一场效应管(M1)、第三场效应管(M3)和第七场效应管(M7)为PMOS管，输入供电电压(VDD)与第一场效应管(M1)、第三场效应管(M3)和第七场效应管(M7)的源极相连，第二场效应管(M2)、第四场效应管(M4)、第五场效应管(M5)和第六场效应管(M6)为NMOS管；由第一场效应管(M1)、第二场效应管(M2)、第三场效应管(M3)、第四场效应管(M4)构成基准源的偏置电压电路，通过第六场效应管(M6)控制第五场效应管(M5)和第七场效应管(M7)产生输出基准电流(IREF)。2.根据权利要求1所述的抗工艺失配、无电阻的低温度系数电流基准源，其特征在于：所述的由第一场效应管(M1)、第二场效应管(M2)、第三场效应管(M3)、第四场效应管(M4)构成基准源的偏置电压电路中，第三场效应管(M3)的栅极与漏极相连，第四场效应管(M4)的栅极与源极相连，将第三场效应管(M3)的漏极与第四场效应管(M4)的漏极相连构成2T结构产生与工艺相关的电压Vgs3，通过第三场效应管(M3)与第一场效应管(M1)的栅极相连将该偏置电压注入到第一场效应管(M1)的栅极；...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴建辉，李俊寅，谢祖帅，王昊原，周全才，瞿剑，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：