【技术实现步骤摘要】
带隙基准提供电路及电子设备
[0001]本专利技术涉及电子
,特别涉及一种带隙基准提供电路和一种电子设备。
技术介绍
[0002]相关技术中,带隙基准是将具有负温度系数的电压与具有正温度系数的电压相加从而去除温度的影响以得到与温度无关的电压源,以便为电路提供稳定的地参考;但是,现有的电压模带隙基准电路需要启动电路给正温度系数支路或者负温度系数支路提供启动脉冲,放大器才能输出信号控制晶体管开通进行工作,并且由于只通过晶体管为正温度系数支路和负温度系数支路提供电流,所以所需晶体管尺寸较大,从而增加放大器的电容负载,进而影响系统的稳定性及减慢系统的启动时间。
技术实现思路
[0003]本专利技术旨在至少在一定程度上解决上述技术中的技术问题之一。为此,本专利技术的一个目的在于提出一种带隙基准提供电路,通过另外增加晶体管以提供启动电流,从而无需启动电路即可得到带隙基准电压,进而减小电路设计复杂度及设计面积。
[0004]为达到上述目的,本专利技术实施例提出的一种带隙基准提供电路,包括:带隙基准输出端;电流 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种带隙基准提供电路,其特征在于,包括:带隙基准输出端;电流提供模块,所述电流提供模块用于在带隙基准使能开启时提供启动电流,并在带隙基准使能开启后提供带隙基准电流;放大控制模块,所述放大控制模块与所述电流提供模块相连,所述放大控制模块用于根据所述启动电流和所述带隙基准电流为所述电流提供模块提供带隙基准提供控制信号,以使所述带隙基准输出端提供带隙基准电压,其中,所述启动电流小于所述带隙基准电流。2.根据权利要求1所述的带隙基准提供电路,其特征在于,所述电流提供模块包括:第一MOS管,所述第一MOS管的源极连接到预设电源,所述第一MOS管的栅极连接偏置电压,所述第一MOS管的漏极分别与所述带隙基准输出端和所述放大控制模块相连,所述第一MOS管在带隙基准使能开启时根据所述偏置电压进行工作,以向所述放大控制模块提供所述启动电流;第二MOS管,所述第二MOS管的源极连接到所述预设电源,所述第二MOS管的栅极与所述放大控制模块的输出端相连,所述第二MOS管的漏极与所述带隙基准输出端相连,所述第二MOS管根据所述带隙基准提供控制信号进行工作,以便与所述第一MOS管共同提供所述带隙基准电流。3.根据权利要求2所述的带隙基准提供电路,其特征在于,所述第一MOS管和所述第二MOS管均为PMOS管。4.根据权利要求2所述的带隙基准提供电路,其特征在于,所述放大控制模块包括:正温度系数电流支路,所述正温度系数电流支路与所述带隙基准输出端相连,所述正温度系数电流支路用于根据所述启动电流输出第一开启电压;负温度系数电流支路,所述负温度系数电流支路与所述带隙基准输出端相连,所述负温度系数电流支路用于根据所述启动电流输出第二开启电压;放大器,所述放大器的正输入端与所述正温度系数电流支路的输出端相连,所述放大器的负输入端与所述负温度系数电流支路的输出端相连,所述放大器的输出端与所述第二MOS管的栅极相连,所述放大器根据所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘美冬,陈瑞隆,陈昱煌,
申请(专利权)人:厦门半导体工业技术研发有限公司,
类型:发明
国别省市:
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