射频功率放大器及电子设备制造技术

一种射频功率放大器及电子设备，射频功率放大器包括：驱动放大模块，用于对射频输入信号进行驱动放大后输出驱动信号；射频功率放大模块，包括至少一信号产生单元和至少一输出单元；信号产生单元连接至驱动放大模块的输出端，用于根据驱动信号输出第一子驱动信号和第二子驱动信号；输出单元，连接至信号产生单元的输出端，用于根据第一子驱动信号和第二子驱动信号输出射频输出信号；第一子驱动信号的上升沿和第二子驱动信号的上升沿在不同时刻；和/或，第一子驱动信号的下降沿和第二子驱动信号的下降沿在不同时刻。本发明专利技术的射频功率放大器避免了直通情况，降低了射频功率放大器的功率损耗。功率损耗。功率损耗。

【技术实现步骤摘要】
射频功率放大器及电子设备


[0001]本申请涉及电子电路
，具体涉及一种射频功率放大器及电子设备。

技术介绍

[0002]功率放大器通常使用多个晶体管作为输出晶体管，其中，部分晶体管的源极连接电源电压，另外一部分晶体管的源极接地。如果所有晶体管同时导通，则电源和地之间会形成短路，这个情况称为“直通”，“直通”会导致功率放大器产生大量热量并带来高功率损耗。
[0003]随着信号频率的升高，比如当输入信号为射频信号时，功率放大器发生“直通”时会产生大量的热量和较大的功率损耗。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本申请提供一种射频功率放大器及电子设备，以解决现有的功率放大器发生“直通”时会产生大量的热量和较大的功率损耗问题。
[0005]本申请提供的一种射频功率放大器，包括：驱动放大模块，用于对射频输入信号进行驱动放大后输出驱动信号；射频功率放大模块，包括至少一信号产生单元和至少一输出单元；所述信号产生单元连接至所述驱动放大模块的输出端，用于根据所述驱动信号输出所述第一子驱动信号和所述第二子驱动信号；所述输出单元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频功率放大器，其特征在于，包括：驱动放大模块，用于对射频输入信号进行驱动放大后输出驱动信号；射频功率放大模块，包括至少一信号产生单元和至少一输出单元；所述信号产生单元连接至所述驱动放大模块的输出端，用于根据所述驱动信号输出第一子驱动信号和第二子驱动信号；所述输出单元，连接至所述信号产生单元的输出端，用于根据所述第一子驱动信号和所述第二子驱动信号输出射频输出信号；所述第一子驱动信号的上升沿和所述第二子驱动信号的上升沿在不同时刻；和/或，所述第一子驱动信号的下降沿和所述第二子驱动信号的下降沿在不同时刻。2.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述信号产生单元包括第一信号缓冲通路和第二信号缓冲通路；所述第一信号缓冲通路，用于根据所述驱动信号在第一预设时间后输出第一子驱动信号，所述第二信号缓冲通路，用于根据所述驱动信号在第二预设时间后输出第二子驱动信号；所述第一预设时间与所述第二预设时间不同以使得所述第一子驱动信号的上升沿和所述第二子驱动信号的上升沿在不同时刻；和/或，所述第一子驱动信号的下降沿和所述第二子驱动信号的下降沿在不同时刻。3.如权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一信号缓冲通路包括至少一第一反相器和第二反相器，所述第二信号缓冲通路包括至少一第三反相器和第四反相器；所述第一反相器的输入端用于输入所述驱动信号，输出端连接所述第二反相器，所述第二反相器的输出端用于输出所述第一子驱动信号；所述第三反相器的输入端用于输入所述驱动信号，输出端连接所述第四反相器，所述第四反相器的输出端用于输出所述第二子驱动信号。4.如权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一反相器、所述第二反相器、所述第三反相器和所述第四反相器均包括至少一第一PMOS晶体管和至少一第一NMOS晶体管；所述第一PMOS晶体管的栅极连接所述第一NMOS晶体管的栅极，漏极连接所述第一NMOS晶体管的漏极，源极连接电源电压，所述第一NMOS晶体管的源极接地；所述第二反相器中的第一PMOS晶体管的漏极用于输出所述第一子驱动信号，所述第四反相器中的第一PMOS晶体管的漏极用于输出所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘瑞峰，罗素，
申请(专利权)人：上海橙群微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：