【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及空心体形的基材、特别是小直径的基材、例如 典型的药物封装件的内面的等离子体处理。
技术介绍
由EP 1 206 389 Bl已知一种用于材料在塑料容器中无菌封装的 方法和设备。对此实施等离子体处理，例如等离子体灭菌，其中在容 器壁的不同的区域内进行等离子体的空间上的和/或时间上的选择性 的激发。利用该方法和设备应可实施在塑料容器如安瓿、瓶子或管形 瓶中液体的无菌的、在药品的情况下甚至无热解的封装并且可与其他 的处理步骤相组合。EP1 250 190 Al描述一种用于空心体的均匀涂膜的方法，其中将 空心体的敞开的一端用一盖气密地密封，将空心体装入一诱发等离子 体的CVD反应器中，给空心体设置真空，调准一涂膜温度并且实现诱发等离子体的涂膜。此外由DE 196 29 877 Cl已知一种CVD方法和设备用于空心体 的内部涂膜，其中涂膜质量已在制造过程中可以预告。对此釆用一等 离子体脉冲方法，其中通过时间上的一 系列的触发脉冲触发等离子体， 同时不仅在加热阶段而且在涂膜阶段的时期测量和评定一氧等离子体随触发脉冲的光脉冲的时间上的校正，以及涂膜气体的至...
【技术保护点】
用于工件、特别是空心体形的工件的等离子体处理的方法，其中在一反应器室内将一处理区域至少部分地抽成真空，将一过程气体导入处理区域内、特别是工件的空腔中，并且借助于射进的电磁能量在导入处理区域的过程气体中触发等离子体；其特征在于，过程气体在等离子体处理过程中在区域的对置的两端之间流过处理区域。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2005-8-24 10 2005 040 266.61.用于工件、特别是空心体形的工件的等离子体处理的方法，其中在一反应器室内将一处理区域至少部分地抽成真空，将一过程气体导入处理区域内、特别是工件的空腔中，并且借助于射进的电磁能量在导入处理区域的过程气体中触发等离子体；其特征在于，过程气体在等离子体处理过程中在区域的对置的两端之间流过处理区域。2. 特别按照权利要求1所述的用于空心体形的工件的等离子体处 理的方法，其中将工件的空腔至少部分地抽成真空，将一过程气体导 入工件的空腔，并且借助于射进的电磁能量在导入空腔的过程气体中 触发等离子体，其中空心体形的工件还在工件的第一端上具有至少一 个通入空腔的孔，并且通过该孔将空腔抽成真空；其特征在于，过程 气体在一位置通入空腔中，该位置远离工件的第一端上的孔的距离为 空腔的伸长长度的3/4、优选空腔的伸长长度的9/10、特別优选空腔 的伸长长度的95/100。3. 按照上述权利要求之一项所述的方法，其特征在于，只在空心 体的内面上实施等离子体处理。4. 按照权利要求1至3之一项所述的方法，其特征在于，只在工 件的外面上实施等离子体处理。5. 按照权利要求1至4之一项所述的方法，其特征在于，不仅在 空心体的内面上而且在外面上实施等离子体处理，并且优选在空心体 的内面和外面上的等离子体处理是不同的或以不同的方式对表面产生 作用。6. 按照上述权利要求之一项所述的方法，其特征在于，i) 工件成形成圆柱形或圆柱似的，并且最大外径在lmm至50mm 之间、优选在3mm至30mm之间、特别优选在5mm至20mm之间， 并且高度为10mm至200mm、优选30mm至150mm、特别优选50mm 至100mm;或ii) 最大内径在lmm至50mm之间、优选在2mm至29mm之间、特别优选4mm至20mm，并且高度为10mm至200mm、优选30mm 至150mm、特别优选50mm至100mm以及壁厚为0.2mm至10mm、 优选0.3mm至8mm、 特另优选2mm至5mm; 或iii) 工件包括一第二圆柱形的或圆柱似的成型部，该成型部具有 较小的直径和较小的长度，所述直径和长度比最大直径和高度小至少 20%、优选50%;或iv) 工件包括一第二圆柱形的或圆柱似的成型部，该成型部具有 较小的直径和较小的长度，该成型部具有一优选狭窄的导管状的在 0.01与15mm之间、特别优选在0.05mm与4mm之间的内径；或v )容积在O.l-lOOml的范围内、优选在0.2-40ml的范围内、特别 优选在0.5國20ml的范围内。7. 按照上述权利要求之一项所述的方法，其特征在于，工件成形 成圆柱形的或圆柱似的，包括第一圆柱形的或圆柱似的表面；并且具 有一圆柱形的或圆柱似的成型部，包括第二圆柱形的或圆柱似的表面， 其中在第一圆柱形或圆柱似的表面上涂覆至少一个膜厚为Dl的薄膜， 而在第二圆柱似的表面上涂覆厚度为D2的膜，其中对于厚度Dl与 D2的比例满足0.2SD2/D1《5、优选、特别优选 0.7《D2/D1化2。8. 按照上述权利要求之一项所述的方法，其特征在于，将过程气 体经由至少一个导管通入处理区域，导管内孔径在O.lmm与5.0mm 之间、优选在0.2mm与3.0mm之间、特别优选在0.3mm与2.0mm之 间，并且导管壁厚在0.05mm与3.0mm之间、优选在O.lmm与2.0mm 之间、特别优选在0.15mm与l.Omm之间。9. 按照上述权利要求之一项所述的方法，其特征在于，工件通过 一在第一端上的孔抽成真空，并且通过工件的对置于第一端的第二端 上的另一孔导入过程气体，并且优选沿轴向方向、特别优选轴向对称 于工件地输入耦合电磁能。10. 按照上述权利要求之一项所述的方法，其特征在于，在内面 等离子体处理注射器体。11. 按照权利要求IO所述的方法，其特征在于，将注射器的空腔通过注射器的活塞孔抽成真空。12. 按照权利要求10或11所述的方法，其特征在于，通过注射 器体的鲁厄氏锥体供给过程气体。13. 按照权利要求10或11所述的方法，其特征在于，通过注射 器体的活塞孔供给过程气体。14. 按照上述权利要求之一项所述的方法，其特征在于，等离子 体处理包括以下步骤中的至少一个、优选两个等离子体涂膜、等离 子体活化、等离子体预处理、等离子体净化、等离子体浸渍、等离子 体改性、等离子体灭菌。15. 按照上述权利要求之一项所述的方法，其特征在于，所述方 法结合于制造链和/或处理链中，紧接着等离子体处理之后在无菌的环 境中进行进一步处理步骤。16. 按照上述权利要求之一项所述的方法，其特征在于，利用等 离子体处理沉积至少 一个膜，i) 所述膜具有对气体的阻挡作用，或ii) 具有对来自工件的组成部分、例如对来自工件制造的原始化 合物或附加化合物或最终化合物的阻挡作用；或Hi)沉积一具有化学阻挡作用的阻挡膜，或iv) 沉积一刮痕防护膜，或v) 沉积一 UV反射的或UV吸收的膜，或vi) 沉积一着色膜、优选一显示蓝色的膜，或vii) 沉积一反射的或抗反射的膜。17. 按照上述权利要求之一项所述的方法，其特征在于，处理工 件的塑料表面，所述塑料表面包含至少一种下列的材料多环构碳氢 化合物，例如环构聚合物或共聚物，优选环构聚烯烃共聚物或聚合物， 特别优选COC，特别是Topas或COP;聚碳酸酯，优选可压煮的聚 碳酸酯；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或PETG;聚苯乙烯；聚乙 烯，如MDPE，但特别是HDPE或LDPE;聚丙烯，同样取向的聚丙烯(O-PP)，或双轴取向聚丙烯(BOPP);聚曱基丙烯酸甲酯；PES; 聚萘二甲酸乙二酯(PEN); SAN;含氟聚合物，优选聚三氟氯乙烯 (PCTFE); EVOH;聚酰胺；PVC; PVDC; PMMI; PA; ABS; MABS; PMP; PES; PSI。18. 按照权利要求1至16所述的方法，其特征在于，等离子体处 理玻璃工件、玻璃陶资工件或陶资工件。19. 按照上述权利要求之一项所述的方法，其特征在于，电磁能 量借助于电极射进空腔。20. 按照上述权利要求之一项所述的方法，其特征在于，建立过 程气体通过工件空腔的轴向对称的流动，并且优选将电磁能量沿轴向 方向、特别优选轴向对称地输入耦合于空腔。21. 特别按照上述权利要求之一项所述的用于工件的等离子体处 理的方法，其中将一反应器室的至少一个区域至少部分地抽成真空， 将一过程气体导入该区域并且借助于射进的电磁能量在工件的表面的 至少一部分的周围中在导入的过程气体中产生等离子体，其中在将用 于产生等离子体的电磁能量射进导入的...
【专利技术属性】
技术研发人员：M比克尔，R霍梅斯，M洛迈尔，
申请(专利权)人：肖特股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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