一种带光放大功能的光接收TO制造技术

本发明专利技术公开一种带光放大功能的光接收TO，应用于光器件领域，针对现有的光接收TO不能满足高速和长距离传输的要求的问题；本发明专利技术对现有光接收TO进行改进，将SOA与PD集成封装在一颗TO内，可以极大的减少封装器件的大小，并且器件的稳定性也得以提高；相比于现有的普通的光接收TO，本发明专利技术的光接收TO可支持更高速率更长距离的传输。长距离的传输。长距离的传输。

【技术实现步骤摘要】
一种带光放大功能的光接收TO


[0001]本专利技术属于光器件领域，特别涉及一种光接收TO技术。

技术介绍

[0002]现有的光接收TO，内部只有PIN光电探测器(PIN PD)或者是雪崩型光电探测器(APD)，前者可以满足25G信号10km左右距离的传输，后者利用雪崩效应可将光生电流放大10倍左右，可以满足25G信号40km距离的传输，但面对高速和长距离传输的要求，现有技术仍然存在局限性。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本专利技术提出一种带光放大功能的光接收TO，将SOA与PD集成封装在一颗TO内，可以极大的减少封装器件的大小，并且器件的稳定性也得以提高。
[0004]本专利技术采用的技术方案为：一种带光放大功能的光接收TO，包括：半导体光放大器芯片3、SOA芯片基板5、热沉6、聚焦透镜7、光电探测器8、跨阻放大器9、TO底座11；所述SOA芯片基板5用于承载半导体光放大器芯片3；所述热沉6用于为SOA芯片基板5、聚焦透镜7、光电探测器8、跨阻放大器9提供支撑；
[0005]其中，半导体光放大器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带光放大功能的光接收TO，其特征在于，包括：半导体光放大器芯片(3)、SOA芯片基板(5)、热沉(6)、聚焦透镜(7)、光电探测器(8)、跨阻放大器(9)、TO底座(11)；所述SOA芯片基板(5)用于承载半导体光放大器芯片(3)；所述热沉(6)用于为SOA芯片基板(5)、聚焦透镜(7)、光电探测器(8)、跨阻放大器(9)提供支撑；其中，半导体光放大器芯片(3)、聚焦透镜(7)、光电探测器(8)、跨阻放大器(9)，位于主光路上，光信号耦合进入半导体光放大器芯片(3)进行放大，放大后的光信号经聚焦透镜(7)耦合至光电探测器(8)内，光电探测器(8)将接收到的光信号转换为电信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛晶磊，许远忠，张强，张勇，汪保全，何婵，
申请(专利权)人：成都光创联科技有限公司，
类型：发明
国别省市：