荧光体、发光部件及图像显示设备制造技术

本发明专利技术公开了一种荧光体、发光部件及图像显示设备。本发明专利技术的荧光体包括Ｂａ↓［ｘ］Ｓｒ↓［１－ｘ］Ｇａ↓［２］Ｓ↓［４］：Ｅｕ，其中，０＜Ｘ＜０．５。优选的是，０．０３≤Ｘ≤０．４。本发明专利技术的发光部件包括基底部件和布置在该基底部件上的荧光体。本发明专利技术的图像显示设备包括发光部件以及使该发光部件进行发光的激励源。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种荧光体、以及使用其的发光部件和图像显示设备.
技术介绍
近来已经对各种荧光体材料进行研究，以改进显示器荧光体的亮度、颜色纯度等等.通常由CRT呈现的电子束激励荧光体包括 ZnS:Cu，Al; ZnS:Ag，Al; Y202S:Eu等等，近来还对诸如SrGa2S4:Eu光体材料。然而，在现有技术的P22型CRT荧光体中，在颜色再现范围和 亮度方面均不能够获得足够性能，与传统的ZnS:Cu，Al相比较，在 笫60-38431号日本专利公开中描述的绿色荧光体SrGa2S4:Eu具有较 宽的颜色再现范围，但是期望有进一步的颜色再现范围的扩大以及亮 度的增强.US3，639，254公开了一种荧光体RLxGa^^Eux (R是从 Ca、 Sr、 Ba选择出的碱性稀土金属).笫2007-36041号日本专利申 请公开了 一种荧光体Sn小yCaxBayGa2S4:Eu.第2007-112950号曰本 专利申请(对应于US公开US-2007-00卯748)公开了一种荧光体 Si^Ba^Ga^Eu (0<x<l)
技术实现思路
本专利技术提供了一种高亮度荧光体、能够显示高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种荧光体，包括：　　　　Ｂａ↓［ｘ］Ｓｒ↓［１－ｘ］Ｇａ↓［２］Ｓ↓［４］：Ｅｕ，　　　　其中，０＜Ｘ＜０．５。

【技术特征摘要】
JP 2007-4-25 2007-1161511.一种荧光体，包括BaxSr1-xGa2S4:Eu，其中，0＜X＜0.5。2. 如权利要求1所述的荧光体，其中，0.035X^0.4.3. —种发光部件，包括 基底部件；以及荧光体，布置在所述基底部件上，其中，所述荧光体包括如权利要求l所述的荧光体.4. 如权利要求3所述的发光部件，还包括布置在所述基底部件上 并且将被施加有电势的电极。5. —种发光部件，包括 基底部件；以及彼此具有不同的发光峰值波长的至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：相马真琴，笹栗大助，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]