离子源、系统和方法技术方案

公开了离子源、系统和方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本/>开涉及。
技术介绍
离子能够使用例如液态金属离子源或气体场离子源而形成。在一些实例 中，通过离子源形成的离子能够用于确定被暴露于离子的样品的某些特性， 或修改样品。在另外的实例中，通过离子源所形成的离子能够用于确定离子 源自身的某些特性。
技术实现思路
在一方面中，本专利技术的特征为一种包括气体场离子源的系统，所述气体场离子源能够与气体相互作用从而产生在样品的表面具有10nm或更小的尺 寸的斑点尺寸的离子束。在另一方面中，本专利技术的特征为一种包括气体场离子源的系统，所述气 体场离子源能够与气体相互作用从而产生在样品的表面具有3 nm或更小的 尺寸的斑点尺寸的离子束。在又一方面中，本专利技术的特征为一种包括气体场离子源的系统，所述气 体场离子源能够与气体相互作用从而产生在样品的表面具有1 x 109A/cm2sr 或更大的亮度的离子束。在另外的方面中，本专利技术的特征为一种包括气体场离子源的系统，所述 气体场离子源能够与气体相互作用从而产生具有在样品的表面具有5 x 108A/rn2srV或更大的减小的亮度的离子束。在一方面中，本专利技术的特征为一种包括气体场离子源的系统，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：　形成气体场离子源；以及　在形成所述气体场离子源之后，将所述离子源布置入腔室以便提供气体场离子系统。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-12-2 60/741,956;US 2006-3-20 11/385,215;US1.一种方法，包括形成气体场离子源；以及在形成所述气体场离子源之后，将所述离子源布置入腔室以便提供气体场离子系统。2. 根据权利要求l的方法，其中所述气体场离子系统是气体场离子显 微镜。3. 根据权利要求l的方法，其中，在将所述离子源布置入腔室之后， 再形成所述气体场离子源。4. 根据权利要求3的方法，其中再形成所述气体场离子源包括选自由 加热所述气体场离子源、施加电场至所述气体场离子源和引导气体进入所述 系统所构成的组中的工艺。5. 根据权利要求3的方法，其中再形成所述气体场离子源包括加热所统。6. 根据权利要求3的方法，其中再形成所述气体场离子源包括加热所 述气体场离子源并且施加电场至所述气体场离子源。7. 根据权利要求3的方法，其中再形成所述气体场离子源包括加热所 述气体场离子源并且引导气体进入所述系统。8. 根据权利要求3的方法，其中再形成所述气体场离子源包括施加场 至所述气体场离子源并且可1导气体进入所述系统。9. 根据权利要求3的方法，其中所述再形成所述气体场离子源包括加 热所述气体场离子源。10. 根据权利要求3的方法，其中再形成所述气体场离子源包括施加场 至所述气体场离子源。11. 根据权利要求3的方法，其中再形成所述气体场离子源包括引导气 体进入所述系统。12. 根据权利要求ll的方法，其中所述气体包含02。13. 根据权利要求ll的方法，其中所述气体包含N2。14. 根据权利要求ll的方法，其中所述气体包含02和N2。15. 根据权利要求ll的方法，其中再形成所述气体场离子源包括溅射。16. 根据权利要求l的方法，其中形成所述气体场离子源包括形成具有 包括20或更少原子的端层的尖端。17. 根据权利要求16的方法，其中所述端层是三聚物。18. 根据权利要求l的方法，其中形成所述气体场离子源包括电化学蚀刻线。19. 根据权利要求l的方法，其中所述气体场离子源包括单晶尖端，该 单晶尖端包括导电材料。20. 根据权利要求l的方法，其中所述气体场离子源包括W ( 11 )尖二山 >而。21. 根据权利要求20的方法，其中所述W ( 111 )尖端具有是三聚物的 原子端层。22.根据权利要求1的方法，其中所述气体场离子源包括选自由钨、碳、 钽、铱、铼、铌、铂和钼构成的组的材料的导电尖端。23. —种方法，包4舌 形成具有发射轴的离子源；以及在形成所述离子源之后，将所述离子源的发射轴与离子光学系统的进入 轴对准。24. 根据权利要求23的方法，其中对准包括调整所述离子源的取向。25. 根据权利要求24的方法，其中调整所述离子源的取向包括倾斜所 述离子源。26. 根据权利要求23的方法，其中对准包括成像所述离子源。27. 根据权利要求26的方法，其中成像所述离子源包括作为场离子显 微镜运行所述离子源。28. 根据权利要求27的方法，其中所述方法包括调整所述离子源的取向。29. 根据权利要求23的方法，还包括，在将所述离子源的发射轴与所 述离子光学系统对准之后，将由所述离子源发射的离子束与所述离子光学器 件中的最后的透镜的轴对准。30. 根据权利要求29的方法，其中将所述离子束与所述最后的透镜的 轴的对准包括操纵偏转器的电位。31. 根据权利要求29的方法，其中将所述离子束与所述最后的透镜的 轴的对准包括将所述离子束与孔径对准。32. 根据权利要求23的方法，其中所述离子源是气体场离子源。33. 根据权利要求23的方法，其中所述离.子源包括单晶尖端，该单晶 尖端包括导电材料。34. 根据权利要求23的方法，其中所述离子源包含W ( 111 )尖端。35. 根据权利要求34的方法，其中所述W ( 111 )尖端具有是三聚物的 原子端层。36. 根据权利要求23的方法，其中所述离子源包括选自由鴒、碳、钽、 铱、铼、铌、铂和钼构成的组的材料的导电尖端。37. —种方法，包4舌形成气体场离子源的导电尖端，当所述气体场离子源存在于离子显微镜 中时。38. 根据权利要求37的方法，还包括，在所述离子显微镜中布置所述 气体场离子源之前，形成所述气体场离子源的导电尖端。39. 根据权利要求37的方法，其中所述方法包括从所述导电尖端场蒸 发原子。40. 根据权利要求39的方法，其中当所述离子显微...

【专利技术属性】
技术研发人员：比利W沃德，约翰A诺特四世，路易斯S法卡斯三世，兰德尔G珀西瓦尔，雷蒙德希尔，
申请(专利权)人：阿利斯公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]